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产出下降进行测量。这样就可以计算出新型抗反射层的产出增长量，该新型抗反射层能够提高组件1%的性能。在光致衰减（LID）测试中，PVEL直接从车间生产线上获取测试样本以确保受测组件没有经过预浸降低老化
决定了LID的程度，其范围为0.5%到4%。但是制造商通过用光预浸组件可以减少产量下降，在LID测试中蒙混过关。为了避免这种情况，PVEL与SolarBuyer合作直接从生产线获取测试样品。如果LID

较高，是颇具潜力的高效商业太阳能电池；其次，N型电池没有光诱导退化（LightInducedDegradation，LID)现象，据观察，P型电池效率退化幅度最高可达1%；再次，由于使用寿命高，N型电池
产品均被银材料消耗量所主导，因此两个类型的电池工艺成本相差不大，而我们的研究成果却令P型产品的银消耗量大幅削减。不过，P型材料具有LID问题，即P型产品的效率越高，LID效应就越大。相反，N型材料就无

（LightInducedDegradation，LID）现象，据观察，P型电池效率退化幅度最高可达1%；再次，由于使用寿命高，N型电池能够运用IBC电池概念，而IBC概念却无法运用在P型电池上；最后，相比于P型电池，N
消耗量大幅削减。不过，P型材料具有LID问题，即P型产品的效率越高，LID效应就越大。相反，N型材料就无这类问题。由于掺杂物是磷替代硼，因此并无硼氧化物生成。基于此，我们的N型产品每瓦总成本低于P型，而

2008年的13%开始到2011年的16%，虽然逐年稳步上升，但始终落后于西门子法多晶硅的效率大约0.6~1个百分点。冶金法刚问世时，光致衰减（LID）达到了20%，也让业界十分忧虑。尽管从2010年后
，冶金法多晶电池的LID已经比西门子法的LID还要低，达到了0.6%的水平；但用冶金法多晶硅所拉制的单晶电池的LID还高达4%，因此，这也是人们对于长期衰减的忧虑之一。而质量不稳定，则是冶金法的工艺所决定

%开始到2011年的16%，虽然逐年稳步上升，但始终落后于西门子法多晶硅的效率大约0.6~1个百分点。冶金法刚问世时，光致衰减（LID）达到了20%，也让业界十分忧虑。尽管从2010年后，冶金法
多晶电池的LID已经比西门子法的LID还要低，达到了0.6%的水平；但用冶金法多晶硅所拉制的单晶电池的LID还高达4%，因此，这也是人们对于长期衰减的忧虑之一。而质量不稳定，则是冶金法的工艺所决定的、几乎