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“SE+PERC”太阳电池的 IQE 测试太阳光谱的波长与其在硅片内的穿透深度呈非比例化正相关，波长为 1000 nm 的红外光在硅片内的有效穿透深度 ( 红外光的能量降为初始值的 1/e，e 为自然常数
内量子效率 IQE 测试，测试结果如图 4 所示。从图 4 中可以看出，当波长大于 900 nm 时，随着波长的增大 IQE 值逐渐降低，但随着反射率的增大，IQE 值也随之提高，这说明背面抛光效果越好

Junction 与全球领先的半导体晶圆供应商 IQE 正在与欧洲航天局(European Space Agency) 就开发下一代卫星太阳能电池的合同进行协商。Solar Junction 首席执行官 Jim
Weldon 表示：过去一年来，Solar Junction 和 IQE 一直保持密切合作，结成了战略制造合作伙伴关系，共同打造全球最高效的多接面太阳能电池。我们的稀氮化物技术和成效显著的技术路线

小山峰的数量和高度的增加而降低。消除缺陷后的电池内量子效率（IQE）和电性能比未消除缺陷的电池有很大提升。效率最高的黑硅电池效率、开路电压、短路电流密度分别是17.46%、623mV、35.99mA
黑硅表面的反射率，采用SolarCellScan100量子效应测试系统测试太阳能电池的IQE。图1.多晶黑硅太阳能电池的生产流程 3实验结果和讨论图2是六个不同条件的黑硅表面形貌

，而与单晶量产功率仅差1个档。量产技术：行业内率先实现四主栅技术的全面量产，并融合自主研发的低位错高纯度J硅片/低电阻焊接技术/IQE匹配封装技术，助力晶科多晶功率行业领先。发电性能 vs 行业单晶：晶科
实现全面量产低电阻焊接技术IQE封装匹配技术3．晶科较行业量产单晶发电性能更优组件电流越高，则电站中线路损耗越高，且组件工作时发热也越高，即组件工作温度更高，从而组件发电量损失越大

实现四主栅技术的全面量产，并融合自主研发的低位错高纯度J硅片/低电阻焊接技术/IQE匹配封装技术，助力晶科多晶功率行业领先。发电性能vs行业单晶：晶科量产多晶较行业量产单晶具有更低的电流，户外发电时线缆
技术-业内率先实现全面量产低电阻焊接技术IQE封装匹配技术3．晶科较行业量产单晶发电性能更优组件电流越高，则电站中线路损耗越高，且组件工作时发热也越高，即组件工作温度更高，从而组件发电量损失越大。从电

测试的4cm2区域的电池电性能数据以及虚拟填充数据。可以看出所有条件的电池包括对照组开路电压都很低，在630mV左右。从IQE的曲线对比可以发现所有电池的背面钝化效果较差，这主要是因为正面Al2O3
、背面PassDop钝化层所适应的退火温度不同，也就是说高温适用于Al2O3退火而不适用于PassDop钝化层退火，以致背面的钝化效果较差。所有电池短波区域的IQE都很高，说明电池正面的钝化效果良好。这

表面形成的纳米级小山峰的平均高度为150-600nm。随着小山峰高度的增加，在波长范围为300nm-1100nm的区域内其反射率会降低，内量子效率（IQE）也会随之降低。几个条件中最优的绒面小山
Cary 5000）测试波长范围为300nm-1100nm的入射光在硅片表面的反射率。通过四探针测试硅片表面方阻。通过内量子效率测试仪（Solar Cell Scan 100）测试电池的IQE。在25

IQE 正在与欧洲航天局（European Space Agency）就开发下一代卫星太阳能电池的合同进行协商。Solar Junction 首席执行官 Jim Weldon 表示：过去一年来
，Solar Junction 和 IQE 一直保持密切合作，结成了战略制造合作伙伴关系，共同打造全球最高效的多接面太阳能电池。我们的稀氮化物技术和成效显著的技术路线图为太阳能电池投入当前和未来的航天及地面应用