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太阳能电池的主要发展产品之一。 4.2.多元化合物薄膜太阳能电池多元化合物薄膜太阳能电池材料为无机盐，其主要包括砷化镓III-V族化合物、硫化镉、硫化镉及铜锢硒薄膜电池等。硫化镉、碲化镉多晶
)III-V化合物电池的转换效率可达28%，GaAs化合物材料具有十分理想的光学带隙以及较高的吸收效率,抗辐照能力强,对热不敏感，适合于制造高效单结电池。但是GaAs材料的价格不菲,因而在很大程度上限制了用

之一。 2．多元化合物薄膜太阳能电池多元化合物薄膜太阳能电池材料为无机盐，其主要包括砷化镓III-V族化合物、硫化镉、硫化镉及铜锢硒薄膜电池等。硫化镉、碲化镉多晶薄膜电池的效率较非晶硅薄膜
太阳能电池效率高，成本较单晶硅电池低，并且也易于大规模生产，但由于镉有剧毒，会对环境造成严重的污染，因此，并不是晶体硅太阳能电池最理想的替代产品。砷化镓（GaAs）III-V化合物电池的转换效率可达

聚光光学系统来替代昂贵但是高效率的III-V半导体芯片，使得它在发电度电成本上与光热技术和通常的平板（晶硅）系统具有竞争力，特别是在一些高辐射度的地区。高倍聚光特别适合于在阳光充足的地区（直射
III-V族半导体材料的多结芯片（如三结GaInP/InGaAs/Ge）。低倍聚光（LCPV）系统的聚光比一般小于100，通常使用高效的单晶硅芯片，采用单轴跟踪系统或双轴跟踪系统，本文对此不作重点

议论，但项目安装仍然在继续，在成本下降和技术进步方面看起来也还是乐观的。高倍聚光的基本原理是利用相对廉价的聚光光学系统来替代昂贵但是高效率的III-V半导体芯片，使得它在发电度电成本上与
（HCPV）系统采用高聚光比模组和双轴跟踪系统（统计至2014年11月）。所谓高聚光比指的是聚光比在300~1000之间，采用III-V族半导体材料的多结芯片（如三结GaInP/InGaAs/Ge

使用晶硅材料，但随着其他更高光电转换效率材料的发展和聚光比的提高，III-V族砷化镓系列的半导体多结材料慢慢成为聚光光伏使用的主流材料，而晶硅材料在聚光比提高以后无法承受高密度的光照，仅停留在低倍聚光
上应用。因此，聚光光伏又分为低倍聚光（LCPV）和高倍聚光（HCPV）。本文后面谈到的聚光光伏，特指高倍聚光。作为光电转换材料，III-V族砷化镓材料因其优异的热学、光学特性，以及抗太空辐射和重量轻

迄今报导的III-V族纳米线阵列太阳电池的最高效率，是以前的砷化镓纳米线阵列技术转换效率的一倍。对于光伏应用，控制原生GaAs表面状态的高密度至关重要，这些结果证明，Sol Voltaic公司已经
解决了太阳电池纳米线生长中的这个挑战。"我们的砷化镓纳米线的效率，乃是我们的低成本薄膜的重要方面。III-V族材料在光伏产业的应用，一直是人们追求的目标，但是，其成本一直令人望而却步。使用Sol

的半导体材料（简称III-V），最常见的是砷化镓。　　太阳能电池晶元抗断裂强度检测装置（NREL供图）第二个方面是传统的单晶硅研究。NREL的工作侧重于复合层叠电池，通过将性能最佳的特殊单元模块加装在
难题。NREL对两种连接方法都有研究，并且研究结果表明III-V作为顶部电池材料较好。第三个方面就是NREL已研究了35年的薄膜技术。研究人员研究了多种材料，包括：碲化镉，铜铟镓硒（CIGS），铜锌锡硫

列元素制成的半导体材料（简称III-V），最常见的是砷化镓。太阳能电池晶元抗断裂强度检测装置（NREL供图）第二个方面是传统的单晶硅研究。NREL的工作侧重于复合层叠电池，通过将性能最佳的特殊单元模块
技术难题。NREL对两种连接方法都有研究，并且研究结果表明III-V作为顶部电池材料较好。第三个方面就是NREL已研究了35年的薄膜技术。研究人员研究了多种材料，包括：碲化镉，铜铟镓硒（CIGS），铜

砷化镓III-V族化合物、硫化镉、硫化镉及铜锢硒薄膜电池等。硫化镉、碲化镉多晶薄膜电池的效率较非晶硅薄膜太阳能电池效率高，成本较单晶硅电池低，并且也易于大规模生产，但由于镉有剧毒，会对环境造成严重的污染
，因此，并不是晶体硅太阳能电池最理想的替代产品。砷化镓（GaAs）III-V化合物电池的转换效率可达28%，GaAs化合物材料具有十分理想的光学带隙以及较高的吸收效率,抗辐照能力强,对热不敏

家高级工业科技学院(AIST)的标准测试条件，该新电池的效率日前得到独立证实。该多结电池的效率在508的太阳能光线浓度条件下在一个菲涅尔聚光透镜下进行测试。所谓的多结电池，基于III-V半导体复合材料
另一款III-V太阳能电池在高浓度的模拟阳光下，转换44.7%的光。其也来自Soitec、CEA-Leti与Fraunhofer的合作关系，另外还有一家德国研究机构柏林亥姆霍兹研究中心

家高级工业科技学院(AIST)的标准测试条件，该新电池的效率日前得到独立证实。该多结电池的效率在508的太阳能光线浓度条件下在一个菲涅尔聚光透镜下进行测试。所谓的多结电池，基于III-V半导体复合材料，使
，这对于精确实现是一项特殊挑战。根据Fraunhofer ISE，这通过在电池结构内部精确调整各层的组成和厚度完成。本周的公告就在Soitec电池获得上次巨大效率刚刚超过一年后到来当时另一款III-V

。劣势是光电转换效率较低，商业化应用的转换率目前普遍在8%-10%左右；存在光电效率衰退效应，稳定性不高。多元化合物薄膜太阳能电池材料为无机盐，其主要包括砷化镓III-V族化合物、硫化镉、碲化镉
及铜锢硒薄膜电池等。砷化镓(GaAs)III-V族化合物光伏电池的转换效率可达40%。GaAs化合物材料具有十分理想的光学带隙以及较高的吸收效率，抗辐照能力强，对热不敏感，适合于制造高效单结