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索比光伏网讯:IGBT，学名绝缘栅双极晶体管，是全球最为先进的第三代主流功率半导体器件之一。在电能系统，其地位相当于计算机世界中的CPU。当前我国IGBT产品整体发展处于起步阶段，株洲所是我国唯一
全面掌握IGBT从芯片设计模块封装组件应用全套技术的企业，也是唯一建立了1200伏及以上高等级功率IGBT技术及模块技术完善的产品体系的企业。这，不仅得益于企业50年大功率半导体器件研制的历史积淀，更

控制器到电力电子在内的完整的解决方案的半导体供应商之一，其综合产品组合为太阳能应用提供最佳效率和可靠性。英飞凌凭借超结MOSFET、沟槽栅场终止技术的IGBT、无磁芯变压器驱动器等前沿技术以及丰富的
、护罩、冷却方面的成本，从而大大降低太阳能转换的系统成本降。此外，英飞凌还带来了其全新的650 CoolMOS C7和TRENCHSTOP 5 IGBT产品和各种功率等级的光伏用IGBT模块产品

针对可再生能源领域，展出多款产品，满足正在发展的太阳能市场需求。　　　　　　在众多展品中，全新的第7代IGBT模块特别瞩目，适合应用于太阳能发电。它采用了第7代IGBT硅片和二极管硅片；具有650V
。　　　　　　另外，针对太阳能发电，三菱电机还展出三电平逆变器用IGBT模块，它的特色是低损耗、低电感、高绝缘和易并联，绝对是太阳能发电装置的首选。　　　　　　三菱电机作为率先掌握功率

：ink"光伏逆变器MPPT电压有个范围，例如500KW光伏逆变器的范围是450VDC到820VDC，很多人不知道这个数值是怎么来的，其实它由两方面决定的（1）IGBT的耐压值，决定MPPT的最高电压
；如果选用1200V的管子，首先要给IGBT留100V余量，再加上母排的过电压100~200V，所以逆变器的工作电压一般要低于1000V~900V，考虑到组件的温度特性，逆变器MPPT电压一般要低于最高

到820VDC，很多人不知道这个数值是怎么来的，其实它由两方面决定的（1）IGBT的耐压值，决定MPPT的最高电压；如果选用1200V的管子，首先要给IGBT留100V余量，再加上母排的过电压100
一致性而带来的影响。315V逆变器要比270V逆变器多串两块组件，相应的风险就要大10%。3、功率器件IGBT，电容，母排等器件，电压应力越高，寿命越短。

光伏逆变器提供从控制器到电力电子在内的完整的解决方案的半导体供应商之一，其综合产品组合为太阳能应用提供最佳效率和可靠性。英飞凌凭借超结MOSFET、沟槽栅场终止技术的IGBT、无磁芯变压器驱动器等
，降低电磁、护罩、冷却方面的成本，从而大大降低太阳能转换的系统成本降。此外，英飞凌还带来了其全新的650 CoolMOS C7和TRENCHSTOP 5 IGBT产品和各种功率等级的光伏用IGBT模块

栅场终止技术的IGBT、无磁芯变压器驱动器等前沿技术以及丰富的经验和最优的质量，保证了其在太阳能应用领域的领军地位。此次展会上，英飞凌呈现的全方位太阳能解决方案能够完全满足
TRENCHSTOP5 IGBT产品和各种功率等级的光伏用IGBT模块产品。 CoolMOS C7系列是技术上的一次革命性飞跃，在硬开关应用的所有标准封装中都实现了全球最低RDS

少数能为ink"光伏逆变器提供从控制器到电力电子在内的完整的解决方案的半导体供应商之一，其综合产品组合为太阳能应用提供最佳效率和可靠性。英飞凌凭借超结MOSFET、沟槽栅场终止技术的IGBT、无磁芯
增加开关频率，降低电磁、护罩、冷却方面的成本，从而大大降低太阳能转换的系统成本降。此外，英飞凌还带来了其全新的650 CoolMOS C7和TRENCHSTOP5 IGBT产品和各种功率等级的光伏用

推进速度，预计度电成本有望低于0.5元/kWh，2014年和2015年电站实现净利润大约为3.61亿、11.56亿元，贡献EPS为0.28、0.63。8寸区熔单晶和IGBT功率器件是半导体业务看点。公司
点。公司半导体器件由于折旧成本较高，盈利能力较差，公司大功率IGBT 产品已小批量生产，国内大部分市场被欧美日企业占据，未来进口替代空间大。投资逻辑：从光伏制造到聚光电站，业绩有望高速增长。公司是逐渐向

速度，预计度电成本有望低于0.5元/kWh，2014年和2015年电站实现净利润大约为3.61亿、11.56亿元，贡献EPS为0.28、0.63。8寸区熔单晶和IGBT功率器件是半导体业务看点。公司区熔
半导体器件由于折旧成本较高，盈利能力较差，公司大功率IGBT 产品已小批量生产，国内大部分市场被欧美日企业占据，未来进口替代空间大。投资逻辑：从光伏制造到聚光电站，业绩有望高速增长。公司是逐渐向新能源