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为您找到 “IGBT”相关结果947 个
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综合
了解光伏逆变器行业流行哪些误区?
来源:索比光伏
发布时间:2015-09-06 23:59:59
器件比
IGBT
或MOSFET具有优越性。SiC器件是已经大批量量产的成熟产品,并且已经批量化使用。如果SiC器件不是成熟产品,全球所有做SiC器件的厂家可能都要倒闭,SiC供应商应该不会这么傻,只干一票
光伏要闻
产业警钟:从天津瑞海爆炸事件看光伏电站安全
来源:索比光伏
发布时间:2015-09-01 00:06:59
逆变器室,逆变器及时断开,因而没有受到损坏。3、爆炸事故:光伏电站发生爆炸事故虽然比较少,但影响大,对运维人员的安全带来很大的阴影。爆炸主要来自逆变器的里面的
IGBT
和电容。一个电容爆炸的威力很大,可
光伏电站
光伏安全
电站安全
警钟:天津瑞海爆炸事件给光伏电站带来的安全教育
来源:索比光伏
发布时间:2015-08-31 13:57:00
少,但影响大,对运维人员的安全带来很大的阴影。爆炸主要来自逆变器的里面的
IGBT
和电容。一个电容爆炸的威力很大,可击穿2毫米厚的钢板。 光伏电站事故如何防患于未然 合抱之木,生于微毫。任何一起
光伏电站
光伏电站质量
光伏电站
天津瑞海爆炸事件给光伏电站的安全敲响了警钟
来源:索比光伏
发布时间:2015-08-31 11:32:11
的
IGBT
和电容。一个电容爆炸的威力很大,可击穿2毫米厚的钢板。光伏电站事故如何防患于未然合抱之木,生于微毫。任何一起严重事故的背后,必然有29次轻微事故和300起未遂先兆,以及1000起事故隐患。这是
光伏要闻
英飞凌Advantage系列模块再添一员,助力中高压变频设备实现高性能
来源:索比光伏
发布时间:2015-08-26 16:01:38
/ 1700V
IGBT
模块针对中高压变频器的需求,配备了最新的
IGBT
以及二极管芯片,导通压降降低到2V(25C),可以有效地降低变频器损耗,提高变频器的功率密度,提升变频器的可靠性。该产品在保持英飞凌一贯
英飞凌
设备
产业
光伏组件
光伏业转型升级 投资重点转向电站开发(附受益股)
来源:索比光伏
发布时间:2015-08-25 16:44:40
株洲所生产的电抗器、变压器、散热器、
IGBT
、功率电阻、传感器、复合母排等零部件。南车株洲所在未来实施的风电和光伏项目采购中,同等条件优先采购阳光电源公司的产品,这些采购项目中不包括客户指定点装产品等
太阳能新材料
光伏业转型
光伏业
甘肃水利水电勘测设计研究院孙江河:并网光伏电站性能质量问题分析及保障
来源:索比光伏
发布时间:2015-08-19 16:46:18
模块并联,每个250KW模块由33个450A的
IGBT
组成。实验的结果是造成电流的不结合,导致转换的效率偏低。不同的
IGBT
的选型对于逆变器的可靠性影响较大。 内部工艺、内部接线,大家一目了然就可以看
宁夏
并网光伏电站
光伏评论
被宠坏的MPPT效率
来源:索比光伏
发布时间:2015-08-19 13:42:16
,电池板是达到了自身的最佳状态,可是我们似乎忘了考虑逆变器的感受?由于逆变器在高电压下,
IGBT
开关损耗变大,逆变效率降低。或许在最大功率点处降低一点电压,增加的逆变效率可以超过MPPT损失
光伏逆变器
MPPT
电池板功率
光伏行业转型提速 12只个股围猎全攻略
来源:索比光伏
发布时间:2015-08-13 14:04:13
、变压器、散热器、
IGBT
、功率电阻、传感器、复合母排等零部件。南车株洲所在未来实施的风电和光伏项目采购中,同等条件优先采购阳光电源公司的产品,这些采购项目中不包括客户指定点装产品等特殊情形。阳光电源的
光伏行业转型
光伏股票
领跑者
台达逆变器成功中标安徽芜湖繁昌60MWp渔光互补光伏项目
来源:索比光伏
发布时间:2015-08-12 23:59:59
,能有效抑制外来的粉尘、盐雾和高温、高湿对电子部件的干扰,不受散热气流影响,确保电子部件长寿命运行;第三,保证系统效率及品质。全部采用进口的高精度电子器件设计,并拥有台达近40年的
IGBT
(绝缘栅双极
光伏要闻
光伏业绩全面大逆转 12股严重低估
来源:索比光伏
发布时间:2015-08-11 10:17:20
0.28、0.63。 8寸区熔单晶和
IGBT
功率器件是半导体业务看点。公司区熔单晶的行业龙头地位稳固,市占率超70%,盈利能力稳定,公司已成为国内唯一一家(全球第二家)实现8英寸区熔单晶量产的企业,随着
半导体芯片向大直径方向发展,未来产品的推广有望成为公司新的利润增长点。公司半导体器件由于折旧成本较高,盈利能力较差,公司大功率
IGBT
产品已小批量生产,国内大部分市场被欧美日企业占据,未来进口替代
光伏行业
A股光伏公司
光伏业绩
万银科技展出新一代4MW单体逆变器 再次刷新行业纪录
来源:索比光伏
发布时间:2015-08-08 09:33:39
降低30%-50%,发电量可增加5%以上。 为解决超大型逆变器散热问题,ZENIT 4MW全球首创了全封闭内置循环液态冷却系统,
IGBT
核心器件满功率运行温度小于75摄氏度。 万银科技的
大数据预警系统,在线监控所有电器元器件,全天候提供多达115个相关参数,确保投资方不轻易损失每一度电。刘叶海说。 这款产品集成了28个
IGBT
驱动和28个模拟通道接口直接管理
IGBT
驱动
万银
单体
逆变器
光伏企业
关于提高光伏电站收益率的几点思考
来源:索比光伏
发布时间:2015-08-05 23:59:59
整个逆变器的转换效率得到极大的提升。a.采用最新一代NPT型IGBTNPT型
IGBT
是一种单晶非穿通型功率半导体器件,该器件相比传统PT型
IGBT
器件具有开关损耗小,高温特性好等优点。下图为PT型
IGBT
和NPT型
IGBT
关断波形,可以明显看出NPT型
IGBT
的开关损耗远小于PT型
IGBT
。 PT型
IGBT
关断波形 NPT型
IGBT
关断波形b.采用最小开关损耗的SVPWM调制算法最小开关损耗的
光伏要闻
特变电工TSVG制胜的五大法宝(二)
来源:索比光伏
发布时间:2015-08-04 09:16:58
保护列表见表1。 链节是SVG的最主要构成部分,对链节的准确可靠保护是保证SVG正常运行的关键,TSVG的链节保护系统对链节的重要组成部分通过FPGA实现快速保护,包括母线电容量故障、
IGBT
类
SVG
光伏发电
特变电工
特变电工TSVG五大制胜法宝(一)
来源:索比光伏
发布时间:2015-08-04 08:59:13
。我们基于多年电力电子产品开发经验,以及对
IGBT
温升的仔细研究,通过热仿真和温箱整机实验的方法,得到了
IGBT
温升和负载量以及环境温度之间的函数关系,通过这种函数关系,我们可以准确计算出在一定负荷、一定
:12台风机分为三组,共用一个风道,由三个接触器独立控制,根据当前
IGBT
结温和负载量由主控决定三组风机的投切。投切函数示意图见图8。 图8为风机启停函数示意图,图中横坐标为链节
IGBT
平均温度
光伏发电
逆变器
并网
光伏科技
特变电工TSVG制胜的五大法宝(四)——最可靠的SVG
来源:索比光伏
发布时间:2015-08-01 23:59:59
索比光伏网讯:一、硬件可靠1)高品质器件的应用采用高耐压、长寿命的金属膜电容器替代电解电容,不但能够承受高于传统电解电容器5倍的电流强度,更加能保证在浪涌电流下稳定的运行。(a)
IGBT
模块示意图
的最主要构成部分,对链节的准确可靠保护是保证SVG正常运行的关键,TSVG的链节保护系统对链节的重要组成部分通过FPGA实现快速保护,包括母线电容量故障、
IGBT
类故障、驱动故障以及电源故障。通过全面
特变电工TSVG制胜的五大法宝
特变电工TSVG五大制胜法宝(二)——最节能的SVG
来源:索比光伏
发布时间:2015-08-01 23:59:59
,这对于大部分西北地区冬季应用来说都是很大的电能浪费。我们基于多年电力电子产品开发经验,以及对
IGBT
温升的仔细研究,通过热仿真和温箱整机实验的方法,得到了
IGBT
温升和负载量以及环境温度之间的函数
2.风机分组启停示意图如上图所示,以35KV 30MVar 箱式直挂机型为例:12台风机分为三组,共用一个风道,由三个接触器独立控制,根据当前
IGBT
结温和负载量由主控决定三组风机的投切。投切函数示意图
特变电工TSVG制胜的五大法宝
科威尔电源助力中国首款1500V光伏逆变器全面通过GB/T19964国标测试
来源:索比光伏
发布时间:2015-07-27 23:59:59
IGBT
整流方式,具有主动PFC控制,效率在95%以上。在I-V模拟的核心控制方面,有核心的软硬件控制策略,确保了I-V模拟器实际输出的精度和动态特性。kewell的加入,解决了大功率高压型光伏逆变器
光伏要闻
组串式光伏逆变器超配能力调查
来源:索比光伏
发布时间:2015-07-24 16:25:01
运行,自然散热的A厂家40KW逆变器内部
IGBT
、电容等关键部件的温升至少比智能风扇散热的B厂家40KW逆变器高10℃,根据电子元器件寿命十度法则,即意味着同样的条件下,自然冷却方式的产品寿命会降低一半
组串式
逆变器
光伏逆变器
产业
国电光伏邓平:集散式相关专题介绍
来源:索比光伏
发布时间:2015-07-21 11:40:51
/AC逆变损耗差异 1)270Vac/1070A输出、420~900V输入(满载550V)
IGBT
: 1200V/450A 6个并联 (按500KW计算)
IGBT
的损耗计算:3相*6管*2
*190.6W=6.86kW (如下计算,在1070A电流下,每个
IGBT
和二极管单体的损耗157+33.6=190.6W,一个半桥模块的损耗为190.6*2=381.2W,每相6个并联,共3相
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