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材料，可以认为这将是未来一、两年光伏发展的趋势之一。相比1000V系统电压，1500V系统电压的光伏电站的设计，除逆变器电容和核心半导体器件IGBT以外，其他零部件不大会因为电压等级的变化而增加
成本。电容和IGBT目前产品的电压等级也完全满足1500V系统的要求。问题在于光伏发电设备的主角-光伏组件。光伏组件的关键绝缘结构是光伏背板。因此，开发1500V安全光伏背板便成了问题的关键。相对1000V挂

形式分，可分为单端式逆变器，推挽式逆变器、半桥式逆变器和全桥式逆变器。 5.按逆变器主开关器件的类型分，可分为晶闸管逆变器、晶体管逆变器、场效应逆变器和绝缘栅双极晶体管(IGBT)逆变器等。又可
称之为全控型，电力场效应晶体管和绝缘栅双权晶体管(IGBT)等均属于这一类。 6.按直流电源分，可分为电压源型逆变器(VSI)和电流源型逆变器(CSI)。前者，直流电压近于恒定，输出电压为交变方波

配套材料，可以认为这将是未来一、两年光伏发展的趋势之一。相比1000V系统电压，1500V系统电压的光伏电站的设计，除逆变器电容和核心半导体器件IGBT以外，其他零部件不大会因为电压等级的变化而增加
成本。电容和IGBT目前产品的电压等级也完全满足1500V系统的要求。问题在于光伏发电设备的主角-光伏组件。光伏组件的关键绝缘结构是光伏背板。因此，开发1500V安全光伏背板便成了问题的关键。相对

面的公式可以看出来，逆变器损耗越小，逆变器的转化效率越高，分别把我们的逆变器损耗进行一个分析，主要是电抗器损耗、IGBT损耗、风机损耗和其他损耗，IGBT损耗占到30%以上。我们逐一进行分析，如何降低我们
的方式。接下来重点分析一下IGBT损耗，我们进一步进行仿真和分析，得到相应的不同的导通损耗的占比，可以看出来导通损耗比较大，导通损耗和输出电流成正比的。因此，我们通过想办法降低导通损耗来达到降低