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。很可能将退出如下产品线，包括SEM(电子束扫描电镜)，CD-SEM(电子束CD测量)，U-Vision，掩膜检查设备等。相信公司的服务业务将再次分成另备件和特色产品部(比公司平均毛利率高的的产品
据分析师报道，尽管半导体设备业正在复苏过程之中，但是全球最大的半导体设备制造商应用材料公司正面临再次裁员及部分产品线的退出。　　　　由于应用材料公司其Q3(5-7月)的销售业绩仍不够理想，本周提出

μm。他说，TCSS晶圆可以降低硅晶圆基的PV制造设备投入，使之可以与最新的薄膜技术相媲美。薄膜PV方法需要廉价的沉积工具，可以沉积多晶硅，或者Cd-Te、CdS、CIS和CIGS
）降低了6倍。Gupta还介绍说，沉积好的衬底可以分割成方形或者矩形硅晶片，可以取代传统的多晶硅硅片，并与目前制作后道模块的设备兼容。“最终将在连续的衬底上制造多晶硅薄层，满足大尺寸集成PV电池板的要求

0.05mm，三星称之为"flapping display"。它拥有着100000：1的对比率，200cd/m2的亮度，480x272的分辨率。而LCD不一样，OLED拥有完整的色彩校准，并且100
%支持NTSC制式颜色，该制式广泛应用于美国和日本。　　目前三星尚未透露何时将该产品商业化，尽管它的尺寸和厚度很适合在PMP，GPS设备，智能手机，MID上使用。

比较少见的方式是，雾状缺陷会影响光透过掩膜版的传输，从而引起特征尺寸（CD）的变化。当掩膜版上的污染最终达到无法接受的程度时，就需要进行“保护膜再覆盖（repell）”工艺，即先去除原有的保护膜
有机物缺陷，它们往往很小，来源是保护膜、封装材料和储藏/曝光设备内的挥发性有机碳（VOC）。　　据Kalk所说，掩膜版的使用寿命会在很大的范围内变化（图1），介于1000到50,000个曝光

Cu2S／CdS太阳电池。为了适应工业化生产CdS薄膜，R，R.Chamberlin和J.F.Jorn等人发展了这种方法。用喷涂法制备CdS薄膜，其方法主要是将含有3和Cd的化合物水溶液，用
喷涂设备喷涂到玻璃或具有SnO2导电膜的玻璃及其它材料的衬底上，经热分解沉积成CdS薄膜。各国不同学者采用的工艺都基于如下热分解效应： CdC12+（NH2)2CS+2H20

备CdS薄膜，其方法主要是将含有3和Cd的化合物水溶液，用喷涂设备喷涂到玻璃或具有SnO2导电膜的玻璃及其它材料的衬底上，经热分解沉积成CdS薄膜。各国不同学者采用的工艺都基于如下热分解效应
制备Cd1-XZnXS来代替CdS，以改善小层的电子亲和力和降低界面态数目。由于喷涂法制备Cu2S/CdS（Cu2S/Cd1-XZnXS）薄膜太阳电池，不采用真空设备，使工艺得到简化

是为了降低成本，其优点是能直接制备出适于规模化生产的大尺寸方型硅锭，设备比较简单，制造过程简单、省电、节约硅材料，对材质要求也较低。晶界及杂质影响可通过电他工艺改善；由于材质和晶界影响，电池效率较低。电池工艺主要
非晶硅电他的市场份额超过40％。但非晶硅电池由于效率低、不稳定（光衰减），市场份额逐年降低，1998年市场份额降为13％。cdTe电池性能稳定，但由于资源有限和Cd毒性大，近10年来市场份额一直维持在