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，帮助读者正确把握和判断异质结电池成本降低前景。本文将分析用于沉积非晶硅薄膜和TCO透明导电层的沉积设备企业2020年最新进展。设备成本决定异质结产线投资额，而沉积设备占据设备成本的主要份额

1. HIT 电池性能优异，商业化节奏提速1.1 HIT：一种非晶硅与晶硅材料相结合的高效电池技术 HIT 电池是以晶硅太阳能电池为衬底，以非晶硅薄膜为钝化层的电池结构。HIT(异质结电池
，Heterojunction with Intrinsic Thin layer)是一种在 P 型氢化非晶硅和 n 型氢化非晶硅与 n 型硅衬底之间增加一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜的电池结构。标准

和掺杂非晶硅薄膜环节，理想万里晖提供的 PECVD 设备在备受好评，迈为股份也不断精进其 PERCVD 设备;在沉积 TCO 薄膜环节，钧石能源的 PVD 设备已经入大规模生产应用，捷佳伟创在获得
清洗制绒设备约 13.5-18 亿元;非晶硅沉积设备约 72-96 亿元;TCO 镀膜设备约 49.5-66 亿元;丝印烧结设备约 31.5-42 亿元;其他辅助设备约 12.5-18 亿元。各环节

硅基薄膜工艺形成p-n结发射区，制程中的最高温度就是非晶硅薄膜的形成温度(200℃)，避免了传统晶体硅电池形成p-n结的高温(950℃)。可以降低能耗、减少对硅片的热损伤。 ③获得较高的转换效率
。HJT电池中的本征薄膜能有效钝化晶体硅和掺杂非晶硅的界面缺陷，形成较高的开路电压。 ④由于电池上表面为TCO导电玻璃，电荷不会在电池表面的TCO上产生极化现象，PID现象(电势诱导衰减

三洋公司于1990年成功开发，因HIT已被三洋注册为商标，因此又被称为HJT或SHJ。HIT电池同样是基于光生伏特效应，只是P-N结是由非晶硅(a-Si)和晶体硅(c-Si)材料形成的(背面的高低结亦然
)。 HIT投资成本因设备配置变化而改变。其取决的因素包括采用完全进口设备还是部分国产设备;同种工艺选择何种设备，比如非晶硅沉积选择HWCVD还是PECVD，TCO镀膜选择RPD还是PVD。目前，全

异质结电池来说，藉由逐步使用薄片化硅片来达到提效降本的功能成为可能。工艺流程简单异质结电池的另一项优势在于工艺步骤相对简单，以梅耶博格所开发的整合沉积正反面非晶硅薄膜的
如下： 01 制绒清洗机：电池正反面制绒 02 等离子体增强化学气相(PECVD) 沉积正面本征非晶硅薄膜( i-a-Si:H)和 n型非晶硅薄膜( n-a-Si:H)，沉积反面沉积

逐步使用薄片化硅片来达到提效降本的功能成为可能。工艺流程简单异质结电池的另一项优势在于工艺步骤相对简单，以梅耶博格所开发的整合沉积正反面非晶硅薄膜的 HELiA PECVD 及沉积电池正反面
正反面制绒 02、等离子体增强化学气相(PECVD) 沉积正面本征非晶硅薄膜( i-a-Si:H)和 n型非晶硅薄膜( n-a-Si:H)，沉积反面沉积本征非晶硅膜( i-a-Si:H )和p型

异质结电池来说，藉由逐步使用薄片化硅片来达到提效降本的功能成为可能。工艺流程简单异质结电池的另一项优势在于工艺步骤相对简单，以梅耶博格所开发的整合沉积正反面非晶硅薄膜的
如下： 01、制绒清洗机：电池正反面制绒 02、等离子体增强化学气相(PECVD) 沉积正面本征非晶硅薄膜( i-a-Si:H)和 n型非晶硅薄膜( n-a-Si:H)，沉积反面沉积本征