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的 Emitter 和 BSF 区域为 p+非晶硅和 n+非晶硅层，在异质结接触区域插入一层本征非晶硅钝化层。HBC 电池具有高质量的钝化效果和低的温度系数，并同时具备大短路电流和高开路电压的双重优势
。钙钛矿电池成本优势具备广阔商业前景，道阻且长行则将至钙钛矿型太阳能电池(perovskite solar cells)，即利用钙钛矿型的有机金属卤化物半导体作为吸光材料的太阳能电池

PERC时代红利的逐步消失，太阳能电池迎来了从P型到N型的转型关键期。从材料角度，N型电池具有杂质少、纯度高、少子寿命高、无晶界位错缺陷以及电阻率容易控制等先天优势。由于少子寿命高有利于对外输出电流
，异质结电池生产步骤较少，仅制绒清洗、非晶硅镀膜、TCO膜制备、丝网印刷等4个环节。由于制程工艺少，生产良率更容易控制。在应用方面，除了高转换效率，高背面率、低衰减、低温度系数、弱光响应等特性也让下游用户

HJT的非晶硅钝化技术，演变成HBC电池，转换效率能到26%-27%。 IBC电池，除了比PERC路线更低的度电成本(LCOE)的发展潜力外，还拥有开创新的大应用市场的巨大潜力，因为IBC电池表面纯黑
：  掩模和CVD原位掺杂制备背面PN区  电池正面沉积本征非晶硅钝化层  PN区与基区之间沉积本征非晶硅钝化层  PN区与金属电极之间沉积TCO层  单面丝网印刷，无主栅或多主栅  兼容

被发现的很早，但第一块太阳能电池板却直到1954年才被贝尔制造出来，人类通过半导体硅片第一次实现了用光发电的夙愿。然而，早期的太阳能电池却效率低下，再加上不菲的售价，让市场一度对于晶硅电池的前景
充满质疑。基于这样的背景，部分激进的研究员开始尝试寻找晶硅材料的替代品。 20世纪70年代，一种基于活性材料非晶硅(a-Si)的薄膜电池横空出世，由于薄膜电池采用的活性材料几乎全部都是直接带隙半导体

制造商EcoSolifer提供的技术生产异质结太阳能电池。异质结太阳能电池是一种已经大规模生产的技术，预计未来十年其市场份额将显著增长。它们依靠一层非晶硅来提供钝化并改善电池性能
。 EcoSolifer于2020年在匈牙利的一家100 MW工厂利用异质结专家Meyer Burger提供的生产线开始其双面异质结太阳能电池的商业化生产。该公司表示，该工厂生产的电池目前已达到24.1%的转换效率

Passivating Contact)太阳能电池技术，简称TOPCon技术，能够有效降低表面复合和金属接触复合，为N型电池转换效率提升提供了更大的空间。 TOPCon电池技术优势钝化优势表面钝化性能主要
(POPAID)的新型TOPCon技术的开发，利用链式平台传输载板，能够在不破真空情况下同时完成隧穿氧化层和掺杂非晶硅沉积，做到真正意义上的无绕镀，将TOPCon 1.0中的12道制造工序缩短到9道

。钙钛矿材料未来的潜在研究方向是基于甲基铵的钙钛矿太阳能电池的稳定性以及有毒元素的替代研究。 2. 聚合物、生物材料和其他软物质在能源和自然资源应用领域，研究方向包括： ①提高能量存储系统的
电磁相位匹配的非线性设计，设计能产生负折射率的非电子材料，减少电子跃迁的固有损失。 4. 能源材料、催化材料和极端环境材料领域持续研发非晶硅、有机光伏、钙钛矿材料等太阳能转换为电能的材料，开发新

型技术产线建设。面对目前巨大的PERC电池产能，TOPCon和PERC电池技术和产线设备兼容性较强，以PERC产线现有设备改造为主，主要新增设备在非晶硅沉积的LPCVD/PECVD设备以及镀膜设备环节
40%; 3)设备方面降本：目前单GW成本低于4亿元，未来仍有40%降本空间。HJT制作工艺流程大幅简化，制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO薄膜沉积、电极金属化四个步骤，分别对应制绒清洗、PECVD

。 HWCVD技术自1979年由Wiesmann发明后并未引起人们的关注，直至20世纪80年代后期Doyle和Matsumura等人才开始对HWCVD制备氢化非晶硅(a-Si:H)进行研究，在1991年
，Mahan等人首次证明了HWCVD技术可生产器件级质量的a-Si:H材料。在1993年Kaiserslautern大学和NREL首次用HWCVD技术成功制备了薄膜硅太阳能电池，而到1995年，乌得勒支

1. TOPCon技术介绍隧穿氧化层钝化接触太阳能电池(Tunnel Oxide Passivated Contact solar cell,TOPcon)是2013年在第28届欧洲
PVSEC 光伏大会上德国 Fraunhofer太阳能研究所首次提出的一种新型钝化接触太阳能电池，首先在电池背面制备一层 1～2nm 的隧穿氧化层，然后再沉积一层掺杂多晶硅，二者共同形成了钝化接触结构，为

常态，推进绿色发展，晋能科技公司成立，引进光伏行业国内外技术专家和优秀管理者组成核心团队。该公司总经理杨立友曾在美国从事光伏材料及器件的研究与开发20多年，长期任职于世界太阳能电池行业领军企业BP
Solar公司，担任薄膜电池部门技术负责人，并在非晶硅薄膜电池的关键技术和产业化方面作出了卓越贡献。加入晋能科技公司后，杨立友利用其在产品研发、生产及销售中的丰富管理经验和个人影响力，瞄准全球

太阳能电池生产和研发的核心工艺设备。 3) 低压水平化学气相沉积镀膜系统 LPCVDLLP370/05：可应用于 N-TOPCon 电池的隧穿氧化层与非晶硅生长工艺，为下一代高效 N-TOPCon 电池
电池片技术晶体硅异质结太阳电池(HJT)是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜，它综合了晶体硅电池与薄膜电池的优势，具有转换效率高、工艺温度低、稳定性高、衰减率低、双面发电等优点，技术具有颠覆性

四端异质结钙钛矿串联太阳能电池，效率为 30.09% 由越南-韩国研究小组开发的复杂光伏器件由底部双面晶体硅钙钛矿过滤异质结子电池构成，该子电池能够吸收短波长范围内的所有太阳光
谱。韩国仁川大学主楼一个越南-韩国研究小组开发了一种四端钙钛矿-硅串联太阳能电池，该电池具有特殊的双面配置用于反照率反射。该电池实现了30.09%的功率转换效率(考虑到背面性能)。该串联器件由

); text-indent: 0px;"王文静博士表示，未来异质结太阳能电池进一步提高效率的方向是使用掺杂微晶硅或者掺杂微晶氧（碳）化硅替代目前的掺杂非晶硅，这样可以进一步提高掺杂浓度、增加透光性能，同时
论坛。大会将汇聚全球太阳能电池研究、制造、应用、投资等领域的企业和专家，全方位剖析异质结产业链各环节技术与市场热点话题，深度研讨异质结电池未来发展之道。 seline; border: 0px