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综合
新研制GaAs太阳能电池转换效率可达24.7%
来源:索比光伏
发布时间:2008-02-29 09:44:59
比利时研究机构IMEC宣布通过使用在锗基板(germanium substrates)上的砷化镓(GaAs)太阳能电池,取得了达24.7%的光电转换效率。该太阳能电池是ESA-IMAGER
研究计划的成果,其锗(Ge)基板是由材料供货商Umicore所生产;所采用的一种最佳化制程技术,可改善基板内部锗晶体的质量。 IMEC所取得的光电转换效率已经获得美国NREL (National
GaAs
太阳能电池
转换效率
薄膜太阳能电池前途看好
来源:索比光伏
发布时间:2008-01-21 16:55:59
。 多结太阳能电池通过采用吸收范围不同的材料来对更大范围内的太阳光谱加以利用。例如,SolFocus采用锗衬底来吸收红外光,并添加GaAs和InP层来吸收蓝光和紫外光,以用于航空领域。 不幸的是
薄膜太阳能电池
光伏要闻
太阳能电池板,多晶硅和单晶硅的区别
Solarbe.com
发布时间:2007-12-21 14:02:32
晶体又可以分为单晶体和多晶体。如果一个物体就是一个完整的晶体,这样的晶体就叫单晶体,如雪花、食盐小颗粒等。单晶体是科学技术上的重要原材料。例如,制造各种晶体管就需要纯度很高的单晶硅或单晶锗
电池
太阳能电池板
多晶硅和
薄膜太阳能电池前途光明
IDG
发布时间:2007-12-21 13:59:42
太阳光谱加以利用。例如,SolFocus采用锗衬底来吸收红外光,并添加GaAs和InP层来吸收蓝光和紫外光,以用于航空领域。 不幸的是,多结太阳能电池的价格是硅电池的两倍。太空中是没有办法获得
太阳能
光伏市场
日本HIT太阳能电池 光电转换率创新高
新华网
发布时间:2007-09-07 09:30:08
日本三洋电机公司发布新闻公报说,公司研制的非晶硅锗混合型异质结(HIT)太阳能电池在研究阶段达到了22%的光电转换率,创造了100平方厘米以上实用级尺寸的HIT太阳能电池光电转换率的新纪录
光伏要闻
日本新能源战略:“阳光计划”政策激励
solarbe.com
发布时间:2007-07-03 15:40:26
水平。1997年至2004年间,日本的太阳能普及始终保持着90%的增长率。在研究超高效太阳能电池方面,日本已经达到在锗和硅片上形成结晶,并使每1平方厘米单晶上的能量转换率分别达到约31%和18
太阳能光伏
大数据
各国电价及
日本新能源战略分析及对我国的启示
新华社
发布时间:2007-06-21 11:21:59
增长率。在研究超高效太阳能电池方面,日本已经达到在锗和硅片上形成结晶,并使每1平方厘米单晶上的能量转换率分别达到约31%和18%,居世界领先水平。 第二,实施新能源战略以后,日本政府又确定了激励
太阳能 光伏 能源
光伏市场
日本HIT太阳能电池光电转换率创新高
来源:索比光伏
发布时间:2007-06-21 09:28:59
日本三洋电机公司19日发布新闻公报说,公司研制的非晶硅锗混合型异质结(HIT)太阳能电池在研究阶段达到了22%的光电转换率,创造了100平方厘米以上实用级尺寸的HIT太阳能电池光电转换率的
HIT
太阳能电池
光伏要闻
日本三洋HIT太阳能电池光电转换率创新高
新华网
发布时间:2007-06-20 19:21:24
日本三洋电机公司19日发布新闻公报说,公司研制的非晶硅锗混合型异质结(HIT)太阳能电池在研究阶段达到了22%的光电转换率,创造了100平方厘米以上实用级尺寸的HIT太阳能电池
太阳能 光伏
光伏要闻
太阳能光伏技术——非晶硅太阳能电池
solarbe.com
发布时间:2007-06-08 17:21:47
光致衰退的效果。 形成异质叠层太阳电他的材料的带隙必须有恰当的匹配才可能获得最佳的效果。目前流行的非晶硅锗为基础的异质叠层太阳电池较好的匹配带隙分别为1。8eV、1。6eV、1。4eV。除了
等,这些材料主要用于窗口层。顶电池的i层主要是宽带隙非晶硅和非晶硅碳。最受重视的窄带隙材料是非晶硅锗。改变硅锗合金中锗含量,材料的带隙在1.1eV到1.7eV范围可调。硅与锗的原子大小不一,成键键能不
太阳能 光伏
光伏科技
(一)非晶硅太阳电池进一步的发展与现状
solarbe.com
发布时间:2007-05-22 17:08:02
窗口层。顶电池的1层主要是宽带隙非晶硅和非晶硅碳。最受重视的窄带隙材料是非硅锗。改变硅锗合金中锗含量,材料的带隙在1.leV到1.7eV范围可调。硅与锗的原子小下一,成键键能不同。非晶硅锗膜通常比非晶硅
非晶硅 太阳能 电池
光伏市场
2007中国(北京)国际半导体工业技术与设备展览会
来源:索比光伏
发布时间:2007-05-17 20:50:41
)◆ 参展范围:1、半导体材料:单晶硅、硅片、锗硅材料、S01材料、太阳能电池用硅材料及化合物半导体材料、石英制品、石墨制品、防静电材料等;2、半导体设备:半导体封装设备、半导体扩散设备、半导体焊接设备
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