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组件的光电转换效率分别达到16.5%和17%以上；高倍聚光光伏组件光电转换效率达到30%以上；硅基、铜铟镓硒、碲化镉及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别达到12%、13%、13%和12%以上。领跑者计划
《光伏制造行业规范条件》（2015年本）相关产品技术指标要求。其中，多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于15.5%和16%；高倍聚光光伏组件光电转换效率不低于28%；硅基、铜铟镓硒

，领跑者先进技术产品应达到以下指标：多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别达到16.5%和17%以上；高倍聚光光伏组件光电转换效率达到30%以上；硅基、铜铟镓硒、碲化镉及其他薄膜电池组件的
部《光伏制造行业规范条件》（2015年本）相关产品技术指标要求。其中，多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于15.5%和16%；高倍聚光光伏组件光电转换效率不低于28%；硅基、铜铟镓硒

中国太阳能光伏市场输出整线CIGS（铜铟镓硒）交钥匙工程，包括太阳能薄膜电池生产线设备及生产技术，该技术使CIGS薄膜组件的量产模块转换效率突破14.6%。在晶硅技术路线依然主导光伏发电市场的当
下，为数不多的薄膜电池厂商一如既往的为这个产业注入着属于它们的力量。刚刚过去的一年，起始于彼时14.6%这个高点，来到了16%这个当下的新峰值，Manz集团在CIGS领域的前行轨迹清晰可见。区别于部分

光电转换效率分别达到16.5%和17%以上；高倍聚光光伏组件光电转换效率达到30%以上；硅基、铜铟镓硒、碲化镉及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别达到12%、13%、13%和12%以上。领跑者计划通过
部《光伏制造行业规范条件》（2015年本）相关产品技术指标要求。其中，多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于15.5%和16%；高倍聚光光伏组件光电转换效率不低于28%；硅基、铜铟镓硒

光电转换效率分别达到16.5%和17%以上；高倍聚光光伏组件光电转换效率达到30%以上；硅基、铜铟镓硒、碲化镉及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别达到12%、13%、13%和12%以上。领跑者计划通过建设
《光伏制造行业规范条件》（2015年本）相关产品技术指标要求。其中，多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于15.5%和16%；高倍聚光光伏组件光电转换效率不低于28%；硅基、铜铟镓硒

发电系统。截止2014年年底，中国11个宜家门店已安装了屋顶太阳能薄膜电池板，并全部运行发电，实现绿色电力的自发自用，此外，宜家还向其在中国的数百家供应商推广汉能的太阳能发电项目。而汉能集团则负责宜家
的薄膜太阳能企业德国Solibro，美国MiaSol，Global Solar Energy和Alta Devices收入麾下，目前汉能的薄膜发电技术已经达到国际领先水平，其中铜铟镓硒电池最高转化率

效率分别不低于15.5%和16%；高倍聚光光伏组件光电转换效率不低于28%；硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、11%、11%和10%；多晶硅
、单晶硅和薄膜电池组件自项目投产运行之日起，一年内衰减率分别不高于2.5%、3%和5%，之后每年衰减率不高于0.7%，项目全生命周期内衰减率不高于20%。高倍聚光光伏组件自项目投产运行之日起，一年内衰减率

索比光伏网讯:近年来，汉能的薄膜发电技术应用不断取得新的突破，国家能源政策也倾向于大力扶持清洁能源和新能源的发展。分析人士表示，受益于国家政策的推动以及薄膜电池组件转化率的不断提高，汉能薄膜
中。与此同时，汉能的薄膜发电技术也在不断革新。过去几年间，汉能通过技术并购和自主创新，其薄膜发电技术已达到国际领先水平，其中铜铟镓硒(CIGS)组件转化率最高已达21%，其掌握的砷化镓（GaAs）技术

离职管理层人士对《中国企业家》记者说。事实上，针对薄膜技术，汉能集团近乎赌博似的押注也让外界对其充满疑惑，但李河君似乎更相信自己的判断。薄膜电池称之为太阳能电池的第二代，但现在技术还没定型，国内从事
薄膜电池生产的企业，其实日子并不好过。中国可再生能源学会副理事长孟宪淦接受《中国企业家》记者采访时说。来自多名光伏行业工程师的专业观点也均对此进行了侧面佐证，薄膜发电技术的转化率比较低，也还存在很多

。太阳能技术路线之一的薄膜技术，尤其是CIGS（铜铟镓硒）薄膜发电技术近年来发展势头强劲，其占全球薄膜电池产量的比重从2011年的20.5%迅速上升至2013年的40.39%。CIGS薄膜电池有着
Manz集团在CIGS薄膜太阳能效率方面创下了21.7%的新世界纪录，与多晶电池的转换效率差距扩大为1.3%（晶硅纪录为20.4%）。并且CIGS薄膜电池有较好的稳定性，不存在光致衰退效应，在光照不理想的

薄膜太阳能效率方面创下了 21.7% 的纪录，再次创下CIGS薄膜电池世界最高纪录。在历年来媒体的光伏行业前沿技术盘点中，Manz的CIGS技术突破都占有重要位置。CIGS电池转换效率刷新的频率远远
高于其他技术路线，也一定程度体现了CIGS薄膜电池巨大的进步潜力。GIGS一度被奉为薄膜光伏皇后，曾经备受推崇。据了解，GIGS 薄膜太阳能电池第一个商业量产实现者为Solar Frontier，其

CIGS薄膜太阳能工艺的研发伙伴巴登-符登堡邦太阳能和氢能研究中心 (ZSW)，在 CIGS 薄膜太阳能效率方面创下了 21.7% 的纪录，再次创下CIGS薄膜电池世界最高纪录。在历年来媒体的光伏行业
前沿技术盘点中，Manz的CIGS技术突破都占有重要位置。CIGS电池转换效率刷新的频率远远高于其他技术路线，也一定程度体现了CIGS薄膜电池巨大的进步潜力。 GIGS一度被奉为薄膜光伏皇后

不低于15.5%和16%；5.硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、11%、11%、10%；6.含变压器型的光伏逆变器中国加权效率不得低于96
年产能不低于5000万片；5.晶硅电池年产能不低于200MWp；6.晶硅电池组件年产能不低于200MWp；7.薄膜电池组件年产能不低于50MWp；8.逆变器年产能不低于200MWp（微型逆变器不低于

； 3.硅棒年产能不低于1000吨； 4.硅片年产能不低于5000万片； 5.晶硅电池年产能不低于200MWp； 6.晶硅电池组件年产能不低于200MWp； 7.薄膜电池
多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于17%和18.5%； 4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于15.5%和16%； 5.硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉

组件年产能不低于200MWp；7.薄膜电池组件年产能不低于50MWp；8.逆变器年产能不低于200MWp（微型逆变器不低于10MWp）。（四）现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求：1.多晶硅满足
多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于17%和18.5%；4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于15.5%和16%；5.硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其