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； 3.硅棒年产能不低于1000吨； 4.硅片年产能不低于5000万片； 5.晶硅电池年产能不低于200MWp； 6.晶硅电池组件年产能不低于200MWp； 7.薄膜电池组件
多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于17%和18.5%； 4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于15.5%和16%； 5.硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉

年产能不低于200MWp；7.薄膜电池组件年产能不低于50MWp；8.逆变器年产能不低于200MWp（微型逆变器不低于10MWp）。（四）现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求：1.多晶硅满足
多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于17%和18.5%；4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于15.5%和16%；5.硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其

能不低于200MWp；6.晶硅电池组件年产能不低于200MWp；7.薄膜电池组件年产能不低于50MWp；8.逆变器年产能不低于200MWp（微型逆变器不低于10MWp）。（四）现有光伏制造企业及项目产品
、氧含量分别小于1和16PPMA；3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于17%和18.5%；4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于15.5%和16%；5.硅基、铜铟镓硒

的光电转换效率分别不低于15.5%和16%；5.硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、11%、11%、10%；6.含变压器型的光伏逆变器中国
能不低于1000吨；4.硅片年产能不低于5000万片；5.晶硅电池年产能不低于200MWp；6.晶硅电池组件年产能不低于200MWp；7.薄膜电池组件年产能不低于50MWp；8.逆变器年产

挑战晶硅电池的地位。瑞士材料科技联邦实验室开发出一种新的薄膜太阳能电池，以CIGS（铜铟镓硒）为光电转换材料，用柔软灵活的高分子聚合物作衬底，其光电转化率达到20.4%，已经相当于多晶硅太阳能电池的效率
，要使太阳能具有竞争优势，关键是将光伏电价降低至现行石化能源(煤、油、天然气)发电的价格水平。降低成本要依靠技术创新来实现。太阳能光伏发电，从材料、设备、电池(包括晶体硅电池、薄膜电池等

？又或者它会不会只是一个梦？对此，南开大学孙云教授在接受记者采访时以铜铟镓硒（CIGS，一种薄膜技术）为例介绍，从技术成熟度和生产成本上看，CIGS的产业化前景十分明朗，且其很多优势（轻柔等）是晶硅所
太阳能电池组件的固定方式，而作为投资主体，汉能获得了由工商银行提供的70%贷款。这一贷款比例，在现如今的分布式项目中甚为罕见。原标题:汉能李河君身价超马云、王健林 "薄膜发电"如何制造首富？

光电转换效率分别不低于14.5%和15.5%； 5.硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、10%、11%、10%。（五）新建和改扩建
15.5%，单晶硅电池组件转换效率不低于16%。多晶硅、单晶硅、薄膜电池组件自投产运行之日起，一年内衰减率分别不高于2.5%、3%、5%。并网逆变器中国加权效率应满足：带变压器型不得低于96%，不带

、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、10%、11%、10%。（五）新建和改扩建企业及项目产品应满足以下要求：3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换
%，单晶硅电池组件转换效率不低于16%。多晶硅、单晶硅、薄膜电池组件自投产运行之日起，一年内衰减率分别不高于2.5%、3%、5%。并网逆变器中国加权效率应满足：带变压器型不得低于96%，不带变压器型不得

光伏组件和层压件生产商，向CBSA申请要求对来自中国的这两类产品启动双反调查。被调查产品是：原产于或出口自中国的光伏组件和层压件，包括其他共同运输或包装的层压件;由非晶硅、碲化镉或铜铟镓硒制造的薄膜晶体硅
之太阳能产品课征反倾销税，文件中建议对美国薄膜制造商FirstSolar征收每瓦0.11美元的反倾销税，其余厂商建议被课征之幅度则在每瓦0.48-$0.81美元之间。但好在印度能认清事实

月26日，汉能3GW光伏产业集群暨一期600MW铜铟镓硒（CIGS）项目签约仪式在山东淄博举行。根据淄博高新区官方网站，该项目是铜铟镓硒薄膜太阳能电池项目，规划总产能为3GW，总投资约350亿元
）新工艺技术入园仪式在河北省唐山市举行。汉能曹妃甸项目整体规划为总产能达3GW的铜铟镓硒（CIGS）太阳能薄膜组件生产基地。一期项目生产线产能为600兆瓦，计划于2014年3月展开厂房建造工程，2014年