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图，边缘部分膜层没有去除干净。这部分膜已经失去了钝化效果，烧结后存在于铝和硅的中间层，会增加铝硅的接触电阻。下一页 3.测试及
太阳能光伏发电是新能源的重要组成部分，近年来在国内外受到了高度重视并迅速发展。光伏发电的核心技术晶体硅电池技术也在取得持续进步。钝化发射极及背局域接触电池（PERC）最早是由新南威尔士大学研发的

太阳电池生产过程中，部分晶体硅太阳电池难免会因为各种原因导致局部漏电，甚至短路。晶体硅片在制作生产过程中导致局部漏电主要原因为1）通过PN结的漏电流；2）沿电池边缘的表面漏电流；3）金属化处理后沿着
进行准确的识别。刻蚀不完全或未刻蚀的硅片在IR下表现为电池片边缘发红，如图3所示。刻蚀不完全或未刻蚀的电池片在进行四周打磨后漏电流会减少到2A以下，如表1所示。以上几点可以判断为刻蚀不完全或未刻蚀

生产过程中导致局部漏电主要原因为1)通过PN结的漏电流;2)沿电池边缘的表面漏电流; 3)金属化处理后沿着微观裂纹或晶界形成的微观通道的漏电流。本文主要探究了晶体硅电池漏电的原因，并进行具体分析。一
。刻蚀不完全或未刻蚀的硅片在IR下表现为电池片边缘发红，如图3所示。刻蚀不完全或未刻蚀的电池片在进行四周打磨后漏电流会减少到2A以下，如表1所示。以上几点可以判断为刻蚀不完全或未刻蚀造成的

、封装材料、边框之间存在漏电流，大量电荷聚集在电池片表面，使得电池片表面的钝化效果恶化，导致填充因子（FF）、短路电流（Isc）、开路电压（Voc）降低，使组件性能低于设计标准。SunPower称此
内部的导电通道，降低了组件的电流输出。 3) 第三种原因解释光伏组件的边缘部分容易有水气进入， EVA发生水解后会生成醋酸，醋酸和玻璃中的Na反应，可以生成大量的自由移动的Na离子

、气孔关闭，叶绿素钝化、分解、破坏及植物组织灼伤，使光合作用强度下降。所以在实际测量时光强过高时光光合作用曲线会呈抛物线状。植物的光合作用强度和呼吸作用强度达到相等时的光强值称为光补偿点。不同
用途还是产生永久性损害缺少司法解释，各光伏电站开发商均游走于红线边缘。根据伏圈知名的新媒体平台光伏资讯微信平台整理了国土资源部官方网站发布的与光伏有关信息，供大家参考。咨询：新建

渐近线，这种现象称为光饱和现象。这个光的临界点称为光饱和点。若光强高于光饱和点，不仅不会使植物光合作用强度增强，反而会导致叶温升高、气孔关闭，叶绿素钝化、分解、破坏及植物组织灼伤，使光合作用强度下降
边缘。根据伏圈知名的新媒体平台光伏资讯微信平台整理了国土资源部官方网站发布的与光伏有关信息，供大家参考。1）2014-11-13此类光伏电站是否需办理农用地转用审批手续？咨询：新建农业大棚，棚上安装

在2%的HCl和10%的HF中去除金属离子、杂质、氧化层。在825℃条件下，使用POCl3扩散。然后边缘刻蚀，在体积分数10%的HF溶液中去除磷硅玻璃。采用等离子体增强化学气相沉积法 (PECVD)沉积
。通过改善黑硅表面钝化和Ag-Si接触可以进一步提升黑硅太阳能电池的转换效率。参考文献L.L.Ma,Y.C.Zhou,N.Jiang,etal.

高于光饱和点，不仅不会使植物光合作用强度增强，反而会导致叶温升高、气孔关闭，叶绿素钝化、分解、破坏及植物组织灼伤，使光合作用强度下降。所以在实际测量时光强过高时光光合作用曲线会呈抛物线状。植物的
损害缺少司法解释，各光伏电站开发商均游走于红线边缘。根据伏圈知名的新媒体平台光伏资讯微信平台整理了国土资源部官方网站发布的与光伏有关信息，供大家参考。1）2014-11-13 此类光伏电站是否需办理

阶段的代表技术，电池效率提高到17%，电池成本大幅度下降。1985年后是电池发展的第三阶段，光伏科学家探索了各种各样的电池新技术、金属化材料和结构来改进电池性能提高其光电转换效率：表面与体钝化技术、Al
/P吸杂技术、选择性发射区技术、双层减反射膜技术等。许多新结构新技术的电池在此阶段相继出现，如效率达24.4%钝化发射极和背面点接触(PERL)电池。目前相当多的技术、材料和设备正在逐渐突破实验室的

阶段的代表技术，电池效率提高到17%，电池成本大幅度下降。1985年后是电池发展的第三阶段，光伏科学家探索了各种各样的电池新技术、金属化材料和结构来改进电池性能提高其光电转换效率：表面与体钝化技术、Al
/P吸杂技术、选择性发射区技术、双层减反射膜技术等。许多新结构新技术的电池在此阶段相继出现，如效率达24.4％钝化发射极和背面点接触（PERL）电池。目前相当多的技术、材料和设备正在逐渐突破实验室的限制

，太阳能电池转换效率是整个太阳能光伏发电技术的核心。随着局部背钝化电池（Passivated Emitter Rear Cell， PERC）技术和转化效率的提升以及其商业化进程的加快，2016年PERC
、Solamet? PV36x铝浆、Solamet? PV56x背面银浆全套完整的PERC浆料方案，成功地将多晶背钝化电池转换效率提升至19.6%的水平。在60片多晶组件上可达到286瓦的高输出功率，为业界该类

，太阳能电池转换效率是整个太阳能ink"光伏发电技术的核心。随着局部背钝化电池（Passivated Emitter Rear Cell， PERC）技术和转化效率的提升以及其商业化进程的加快，2016年
PV56x背面银浆全套完整的PERC浆料方案，成功地将多晶背钝化电池转换效率提升至19.6%的水平。在60片多晶组件上可达到286瓦的高输出功率，为业界该类型太阳能组件的最高水平。相较于其他晶硅电池，PERC

造成硅片划伤；粒径小则切割能力不足。圆度体现了碳化硅颗粒棱角的尖锐程度，即切割能力，在切割过程中，棱角会被磨平钝化，切割能力不足，会导致均匀锯痕的出现。当碳化硅中微粉含量过高时，不具有切割能力的微粉会
增大，携砂能力降低，且由于切割面积的增加，碳化硅的破碎率也随着几何切割面积的增加而增多，出刀期间线弓无法有效消除，从而导致出刀边缘锯痕严重，而由此导致的1、4棒胶面B4片数量较多。针对此问题，解决措施

设置和监控，确保扩散工艺的最佳效果，即同一炉扩散硅片的电阻不均匀度和同一硅片扩散电阻不均匀度基本一致。去PSG：利用HNO3、HF和H2SO4混合液体对硅片侧面进行腐蚀，去除边缘的N型硅，使得
同时，对太阳电池起到很好的表面和内部钝化作用，提高电池的短路电流和开路电压。印刷/烧结：通过丝网印刷在电池硅片上形成背电极、背电场和正电极。通过烧结工艺排出浆料的有机组分，使电极和硅片形成良好

市场需求推出了业界领先的cSi生产解决方案，在PERC太阳能电池的生产在线得以量产出（背面钝化太阳能电池）平均效率高达20.6%的PERC电池。Manz此次展出两款生产PERC电池的关键设备参加SNEC
第九届（2015）国际太阳能产业及光伏工程（上海）展览会（SNEC PV Power Expo 2015），包括用于太阳能电池正面和背面钝化的VCS 1200垂直真空镀膜系统，以及LAS 2400 激光

6 样片2 LBIC Current 测试然后，电池经过去SiN 膜、去正反电极、去铝背场和n 型层，再经碘酒钝化后，硅片少子寿命测试如图7 和8 所示。图7 样片1 少子寿命测试
形貌内，其位错密度均高达10E6~10E7 左右。黑斑边缘区域位错密度106 个/cm2 均为无位错单晶要求1000～10000 倍，这是相当大的位错密度。图10 样片1位错密度图11

奖项的基础，它们都曾获得过行业的表彰，并为打破太阳能电池效率做出过贡献。组件化、可升级的Eclipse平台，能够每小时生产多达4000片硅片，再配备零边缘接触的处理技术，使破片率低于0.15
。另外，得可还与哈梅林太阳能研究所（ISFH）共同合作，通过在电池背面采用丝网印刷金属接触电极的同时在正面采用丝网/钢网二步印刷工艺，提高了业内晶体硅太阳能电池（在此案例中为背钝化电池或

，使得电池表面的钝化效果恶化，导致组件性能低于设计标准。PID现象严重时，会引起一块组件功率衰减50%以上，从而影响整个组串的功率输出。高温、高湿、高盐碱的沿海地区最易发生PID现象。造成组件PID现象
的原因主要有以下三个方面：1）系统设计原因：光伏电站的防雷接地是通过将方阵边缘的组件边框接地实现的，这就造成在单个组件和边框之间形成偏压，组件所处偏压越高则发生PID现象越严重。对于P型晶硅组件，通过

效应（PID，PotentialInduced Degradation）是电池组件长期在高电压作用下，使玻璃、封装材料之间存在漏电流，大量电荷狙击在电池片表面，使得电池表面的钝化效果恶化，导致组件性能
： 1）系统设计原因：光伏电站的防雷接地是通过将方阵边缘的组件边框接地实现的，这就造成在单个组件和边框之间形成偏压，组件所处偏压越高则发生PID现象越严重。对于P型晶硅组件，通过有变压器的逆变器负极接地

，使得电池表面的钝化效果恶化，导致组件性能低于设计标准。PID现象严重时，会引起一块组件功率衰减50%以上，从而影响整个组串的功率输出。高温、高湿、高盐碱的沿海地区最易发生PID现象。造成组件PID
现象的原因主要有以下三个方面：1）系统设计原因：光伏电站的防雷接地是通过将方阵边缘的组件边框接地实现的，这就造成在单个组件和边框之间形成偏压，组件所处偏压越高则发生PID现象越严重。对于P型晶硅组件