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装13%电池片。传统晶硅组件采用金属栅线连接，一般会保留约2~3毫米的电池片间距。叠瓦组件将传统电池片切割成4-5片，将电池正反表面的边缘区域制成主栅，用专用导电胶使得前一电池片的前表面边缘和下一
电池片的背表面边缘互联，省去了焊带焊接。在一张60型面积大小相当的版型组件内，叠瓦组件可以封装66~68张完整电池片，比常规封装模式平均多封装13%的电池片。叠瓦技术的优势在于增加受光面

引言：高效率、低成本是太阳能电池研究最重要的两个方向。对于晶体硅太阳能电池来说，随着晶体硅制造技术的提升，基体硅片的体载流子寿命不断提高，已经不再是制约电池效率提升的关键因素。而电池表面的钝化对转
。这就为太阳能电池表面钝化技术提出了挑战，为了在硅片薄化的过程中仍然保持电池的高转化效率，对晶体硅太阳电池表面钝化技术的研究是必不可少的。因此，无论是提高太阳能电池的转换效率，还是降低太阳能电池的

1.Perc技术显著提升光伏电池转换效率 PERC(PassivatedEmitterandRearCell)电池，全称为发射极和背面钝化电池，是从常规铝背场电池(BSF)结构自然衍生而来。常规
电池背面附上介质钝化层，可以较大程度减少这种光电损失，从而提升光伏电池1%左右的光电转换效率。相比常规BSF电池的工艺流程，PERC电池的工艺流程新增了两道重要工序:1)背面钝化层沉积，2

PECVD目的在硅片表面沉积一层氮化硅减反射膜，以增加入射在硅片上的光的透射，减少反射，氢原子搀杂在氮化硅中附加了氢的钝化作用。镀膜原理光照射在硅片表面时，反射会使光损失约三分之一
: 从裸露的硅表面和从覆盖有折射率为1.9 和2.3 的减反射膜的硅表面反射的正常入射光的百分比与波长的关系： 2、氮化硅膜的钝化效果 PECVD 沉积SixNy 薄膜有一定

全力以赴则是必需。通威集团董事局主席刘汉元曾指出：在很长时间里，我们很难理解为何一个伟大的公司可以快速发展，而一个不太好的公司会被迅速边缘化，后来我们从数学的角度找到了答案，每天进步1%，一年以后就是
。不论是个人、团队还是企业，如果连敢于面对自己的缺点与不足，敢于发现与别人之间差距都做不到的话，这样的个人和组织何谈进步呢?它永远都是封闭的小王国，将面临市场边缘化，甚至最终被市场淘汰。在偶然中

生产成本。这些优势在生产晶硅太阳能电池和薄膜太阳能电池中得到了充分的体现。在晶硅太阳能电池生产中，激光技术被用于切割硅片和边缘绝缘。电池边缘的掺杂是为了防止前电极和背电极的短路。激光技术越来越多
地用于掺杂工艺，因为它能在太阳能电池上提高局部掺杂浓度得分布从而改善载流子的移动性，特别是接触栅极。此外，激光技术的另一个应用是在晶硅太阳能电池上选择性烧蚀钝化层。超短脉冲和高脉冲能量的激光器

0.027元/W。降本：无金属边框设计，降低组件成本约0.05元/W。双玻组件可采用无金属边框设计，免接地，安装更快捷，节省人力成本，有效降低度电成本;使用过程中减少边缘积灰，降低日常维护保养成本。铝框
的细栅格，并对钝化膜中的氮化硅膜层及激光开孔部分做一些优化。设备方面，需提高背面电极栅格印刷设备及激光设备的精度。发电增益方面，p-PERC双面因子仅60%-80%，略低于其他技术路线，主要是因为铝栅格

扩散炉;三是边缘刻蚀和去磷硅玻璃，此环节需要仪器SCHMID刻蚀机、SCHMID自动动化仪器;四是背钝化在硅片背面沉积三氧化二铝膜和氮化硅膜，此环节需仪器MeyerBurger的一体机式镀膜机、罗博特科
生产过程中，PERC电池钝化膜损伤及各种EL缺陷等造成成品率下降颇为严重。本文通过对PERC电池片生产工艺、设备、生产管理上探究一定优化解决方案。 1PERC电池片与常规电池片简介常规电池采用

电池片的目的。烧结过程中有利于PECVD工艺所引入的-H向体内扩散，可以起到良好的体钝化作用。烧结是一个扩散、流动和物理化学反应综合作用的过程。在印刷状况稳定的前提下，温区温度、气体流量、带速是烧结的
效率低的电池进行EL检测，发现有边缘或整面发黑的现象，怀疑浆料污染或电池正面在生产过程中被与履带接触的地方污染或烧结炉内部有污染点与电池正面有接触，污染了电池片。针对此问题，一方面，清洗烘干炉履带和机台

的不同而异。因此，钝化膜沉积设备和膜开口设备(既可以使用激光也可以运用化学蚀刻)都需要在传统的电池生产线上额外增加加工设备。对于较少应用的激光边缘隔绝处理工艺生产线，需要增加一个化学湿式工作台进行背面
PERC(Passivated Emitter and Rear Cell)，即钝化发射极和背面电池技术，最早在1983年由澳大利亚科学家Martin Green提出，目前正在成为太阳电池新一代的

劣化、H2O会加剧硅表面的腐蚀。清洗硅片不仅要除去硅片表面的杂质而且要使硅片表面钝化，从而减小硅片表面的吸附能力。高规格的硅晶片对表面的洁净度要求非常严格，理论上不允许存在任何颗粒、金属离子、有机粘附
、水汽、氧化层，而且硅片表面要求具有原子级的平整度，硅片边缘的悬挂键以结氢终止。目前，由于硅片清洗技术的缺陷，大规模集成电路中因为硅材的洁净度不够而产生问题甚至失效的比例达到50%，因此优化硅片的清洗

Tempress扩散炉、R2D自动化、捷佳创低压扩散炉;三是边缘刻蚀和去磷硅玻璃，此环节需要仪器SCHMID刻蚀机、SCHMID自动动化仪器;四是背钝化在硅片背面沉积三氧化二铝膜和氮化硅膜，此环节需
以下。达到金属铝背层红外辐射光仅60%-70%能反射回去。 PERC电池采用PERC技术需在常规背电场(BSF)技术基础上增加背面钝化解决方案。在具体实施中，需要沉积一层背面钝化膜，然后在这层膜上开槽

狙击在电池片表面，使得电池表面的钝化效果恶化，导致组件性能低于设计标准。PID现象严重时，会引起一块组件功率衰减50%以上，从而影响整个组串的功率输出。高温、高湿、高盐碱的沿海地区最易发生PID现象
。产生PID效应后有部分电池出现出现了高电阻造成组件PID现象的原因主要有以下三个方面：一是系统设计原因：光伏电站的防雷接地是通过将方阵边缘的组件边框接地实现的，这就造成在单个组件和边框之间形成

存在漏电流，大量电荷狙击在电池片表面，使得电池表面的钝化效果恶化，导致组件性能低于设计标准。PID现象严重时，会引起一块组件功率衰减50%以上，从而影响整个组串的功率输出。高温、高湿、高盐碱的沿海地区最
易发生PID现象。产生PID效应后有部分电池出现出现了高电阻造成组件PID现象的原因主要有以下三个方面：一是系统设计原因：光伏电站的防雷接地是通过将方阵边缘的组件边框接地实现的，这就造成在单个

PERT，HJT，HBC等等。原则上电池只要正反面都采用透光介质膜钝化或减反基本都可以做出双面电池。接下来小固就目前市场上应用比较多的P型PERC，N 型PERC 和N 型HIT 介绍下其主要技术路线
图3 组件边缘檀条安装图安装双面电池时，檀条一定要位于组件边缘，避免檀条对组件背面的遮挡，同时需要减少其他构件(譬如逆变器)对组件背面的遮挡。解读：背面和周边环境会严重影响背面的发电增益

成像无缺陷)，组件的电池上表面颜色均匀一致，无机械损伤，焊点无氧化斑。 4)组件的每片电池与互连条应该排列整齐，组件的框架应整洁无腐蚀斑点。 5)组件的封装层中不允许气泡或脱层在某一片电池与组件边缘
等级》(GB8923-88) 的相关规定。 b. 除锈方法：钢构件可采用喷砂或喷丸的除锈方法，若采用化学除锈方法时，应选用具备除锈、磷化、钝化两个以上功能的处理液，其质量应符合现行国家标准《多功能钢铁

材料、边框之间存在漏电流，大量电荷聚集在电池片表面，使得电池片表面的钝化效果恶化，导致填充因子、短路电流、开路电压降低，使组件性能低于设计标准，但此衰减是可逆的。也有研究发现并对PID效应作出解释
原因是：光伏组件的边缘部分容易有水气进入，EVA发生水解后会生成醋酸，醋酸和玻璃中的Na反应，可以生成大量的自由移动的Na离子，会与电池片表面的银栅线发生反应，从而腐蚀电池栅线，导致串联电阻的升高，导致

表面的钝化效果恶化，导致填充因子、短路电流、开路电压降低，使组件性能低于设计标准，但此衰减是可逆的。也有研究发现并对PID效应作出解释：光伏组件在受到负偏压时，由漏电流阳极离子（一般为Na离子
）流入电池片，降低电池的并联电阻。即，半导体内出现了杂质，这些杂质会形成电池内部的导电通道，降低了组件的电流输出。第三种产生光伏组件PID效应的原因是：光伏组件的边缘部分容易有水气进入，EVA发生

存在漏电流，大量电荷狙击在电池片表面，使得电池表面的钝化效果恶化，导致组件性能低于设计标准。PID现象严重时，会引起一块光伏组件功率衰减50%以上，从而影响整个组串的功率输出。高温、高湿、高盐碱的
沿海地区最易发生PID现象。产生的原因 1.系统设计原因：光伏电站的防雷接地是通过将方阵边缘的组件边框接地实现的，这就造成在单个组件和边框之间形成偏压，组件所处偏压越高则发生PID现象越严重。对于P型

电子工业用助焊剂，普通有机酸助焊剂会腐蚀未封装的太阳电池片。铝合金边框：保护玻璃边缘、铝合金结合硅胶打边加强了组件的密封性能、大大提高了组件整体的机械强度。铝型材的表面处理（先喷沙后氧化）太阳组件要保证
长达25年的使用寿命，铝合金表面必须经过钝化处理阳极氧化，表面氧化层厚度大于12m。用于封装的边框应无变型，表面无划伤。目前组件厂家铝边框的平均氧化层处理厚度在15m2m阳极氧化：接线盒