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钝化发射极和背面(PERC)技术已成为太阳电池新一代的常规技术。业内机构亚化咨询提供的最新数据显示，2019年，全球PERC电池产能将超过100GW。而PERC之后，以TOPCon为代表的钝化接触
工艺、激光工艺、导电浆料与金属化工艺的供应商们持续改进技术和设备，以提升设备生产能力和在线率，并降低物料和能量消耗。与此同时，选择性发射极、多主栅和隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)等技术也正在被引入

，而在分子层可以把高能激发效应转化为两个低能激发效应，然后通过精心设计的界面转移到硅太阳能电池中，在那里进一步转化成电能。整个过程不需要额外的电流接触，也无需改变太阳能电池本身的操作内容。这将大大减少
，三重态激子不能通过辐射的方式返回基本状态。该限制延长了它们的寿命，但是抑制了共同的能量转移机制，否则该能量转移就能够通过例如厚的钝化层(保护太阳能电池表面免受污染的惰性材料)进行激发的长程转移

, Al2O3/S i接触面具有较高的固定负电荷密度, 背面玻璃中析出的Na+使氧化铝内的电荷发生再分布, 导致钝化效果恶化。同时, 双面PERC电池片正面含有一层氧化硅减反射层, 可以起到抗PID效应
。使用POE封装的光伏组件背面更易出现PID现象是因为双面PERC电池片正面为化学钝化, 其氮化硅中含有高密度的固定正电荷, 对Na+有一定的排斥作用, 会减弱一部分Na+的富集;但是其背面为场钝化

澳大利亚国立大学(Australian National University)的研究人员正在研究如何利用氢原子来改善钝化接触太阳能电池掺磷多晶硅(poly-si)薄膜的性能。科学家们相信，在
掺磷多晶硅层中，氢原子可以被操纵用来提高钝化接触结构的质量，因而他们将氢原子应用于电池的表皮层，这一层的厚度比人类的头发薄1000倍，能发出非常独特的光。研究人员很快意识到，氢原子的存在极大地改变

。成功解决了背钝化电池局域背场的形成以及金属接触的关键技术难题，显著提高晶体硅太阳电池的结构性能，从而提升晶体硅太阳能电池的转换效率。编辑点评：天合光能大面积6英寸IBC电池的转换效率超过24
。Hi-MO2是基于单晶双面PERC技术开发的双面发电产品，PERC(钝化发射极及背接触)技术是晶硅太阳电池近年来最具性价比的效率提升手段，与常规电池产线兼容性高，并且产线改造投资成本低。PERC技术是未来3到5

极上使用钝化电子选择n +型多晶硅氧化(POLO)触点，在正接触极上使用孔选择P+型POLO触点。 POLO触点的高选择性是实现高效率的一个关键因素，背部叉指模式使用了这种触点，能够最大限度地减少
Brendel教授表示，我们的结果表明，无论是n型硅、硼扩散还是非晶硅，它们都不是实现超高效率所必须的。还有其他很有吸引力的办法能取得最高硅效率，同时潜在的成本又很低! 创下记录的电池在电池负接触

不低于19%和21%。此前工信部发布的2017年我国光伏产业运行情况显示，P型单晶及多晶电池技术持续改进，常规产线平均转换效率分别达到20.5%和18.8%，采用钝化发射极背面接触技术(PERC
%。黑硅技术对导电浆料提出更高要求由于通过黑硅技术处理后的绒面较常规砂浆片更小更细，对于附着力小的浆料容易出现虚印、断栅等问题。因此，黑硅电池对导电浆料的拉力和金属化接触等方面提出了更高的要求。不同

通过调节氮化硅减反膜厚度可制备出呈现各种颜色的彩色多晶硅太阳电池，但如何获得良好欧姆接触及拉脱力的电极是彩色多晶硅太阳电池制备的难点。本文通过在常规工艺路径基础上增加腐蚀开槽工艺解决了电极性能问题
膜的方法，由于减反膜较厚，目前行业市场化的正面电极银浆无法穿透氮化硅减反膜而到达p-n 结，使正面银浆与硅基体不能形成良好的欧姆接触。因此，本文彩色多晶硅太阳电池在制备过程中最重要的工序是腐蚀，即在

，受到了行业的焦点关注。TOPCon技术是在电池背面制备一层超薄的隧穿氧化层和一层高掺杂的多晶硅薄层，二者共同形成了钝化接触结构。该结构可以阻挡少子空穴复合，提升电池开路电压及短路电流。在工艺方面
，TOPCon技术只需要增加薄膜沉积设备，能很好地与目前量产工艺兼容。同时TOPCon电池还具有进一步提升转换效率的空间，有望成为下一代产业化N型高效电池的切入点。根据理论计算，钝化接触太阳能电池的潜在效率

焦点关注。TOPCon技术是在电池背面制备一层超薄的隧穿氧化层和一层高掺杂的多晶硅薄层，二者共同形成了钝化接触结构。该结构可以阻挡少子空穴复合，提升电池开路电压及短路电流。在工艺方面，TOPCon
技术只需要增加薄膜沉积设备，能很好地与目前量产工艺兼容。同时TOPCon电池还具有进一步提升转换效率的空间，有望成为下一代产业化N型高效电池的切入点。根据理论计算，钝化接触太阳能电池的潜在效率

掺杂浓度(Nd)有关，势垒越低，掺杂浓度越高，接触电阻越小。 (2)减少载流子Auger复合，提高表面钝化效果当杂质浓度大于1017cm-3时，Auger复合是半导体中主要的复合机制，而Auger
选择性发射极(iveemitter,SE)太阳电池，即在金属栅线与硅片接触部位及其附近进行高浓度掺杂，而在电极以外的区域进行低浓度掺杂。这样既降低了硅片和电极之间的接触电阻，又降低了表面的复合

height)和表面掺杂浓度(Nd)有关，势垒越低，掺杂浓度越高，接触电阻越小。 (2)减少载流子Auger复合，提高表面钝化效果当杂质浓度大于1017cm-3时，Auger复合是半导体中主要的
选择性发射极(selectiveemitter,SE)太阳电池，即在金属栅线与硅片接触部位及其附近进行高浓度掺杂，而在电极以外的区域进行低浓度掺杂。这样既降低了硅片和电极之间的接触电阻，又降低了表面

太阳能相关器件，希望利用自己的专业知识解决全球能源问题。现在称为TOPCon的隧穿氧化钝化技术，就是我的博士论文课题。此外，目前应用广泛的PERC技术，我也是发明人。从80年代起，陆续有中国留学生
国内光伏组件产能严重过剩，大批企业陷入困境的情况下，张凤鸣成立了南京日托光伏科技有限公司。他希望开发出一种差异化、难以被复制的高效太阳能电池技术，这也是MWT背接触专利的由来。今年的SNEC