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一等奖。天合光能自主研发的高效晶体硅N型i-TOPCon双面太阳电池组件产品，采用了基于量子隧穿的钝化接触技术、先进的硼发射极制备技术、精确的复合电流密度表征方法和高密度封装技术
，有效解决了传统电池接触复合严重的难题，提高了组件产品的抗隐裂能力，在行业内率先实现了产业化，多项技术成果达到行业领先水平。天合光能的N型i-TOPCon双面太阳电池组件产品除了具备正面高效率之外

电池。P型电池的极致即为PERC电池， N型电池是提高转换效率的方向。与HJT同属N型电池的PERT(钝化发射极背表面全扩散电池，一种典型的双面电池)、TOPCon(隧穿氧化钝化接触技术电池
Emitter and Rear Cell)是指发射极及背面钝化电池，是目前量产效率最高的单晶硅电池。 HJT电池的光电转换率高于PERC电池，且衰减率更低，其劣势在于成本偏高。今年以来，HJT电池的

PERC电池效率的突破基于公司自主开发的PERC2.0技术方案，在扩散掺杂、界面钝化、金属接触等关键技术上的进一步优化提升，大幅降低电池总J0，开压提升至691mV以上。前段时间，正泰新能源海宁工厂
组件制造商的实力和地位。正泰新能源Super PERC+ 3.0应用了最新的印刷优化、正面钝化、LDSE3.0、新背膜等技术，减少了遮光面积、电学损失，增强了钝化效果，降低了表面复合，对比Super

10月15日，中来对外宣布其最新研发结果出炉，基于新一代隧穿氧化层和无绕镀原位掺杂非晶硅沉积的钝化接触技术制造的J-TOPCon 2.0电池，其量产平均效率可以实现24%以上，良率达到97%以上
多晶硅实现钝化接触，大幅度提高电池效率。经过多年研发和生产调试，中来量产效率虽然达到了世界领先的23.5%+，但是由于隧穿氧化层通过高温氧化， LPCVD沉积非晶硅，离子注入掺磷，并经高温退火，多晶硅绕镀

德国弗劳恩霍夫太阳能系统研究所(ISE)的科学家们利用强脉冲光(IPL)处理技术开发了一种无母线硅异质结太阳能电池。该装置采用多硅基隧道氧化物钝化触点，并在晶圆片的两侧施加。德国
(IPL)主要由可见光组成，以持续毫秒的脉冲电磁辐射发送，用于电池的低温金属接触快速加热。该小组指出：平均而言，经过ipl退火的SHJ电池在0.3 - 0.4%的abs上的表现优于经过热处理的悬件，特别是

遮光部分在任何入射角度下，入射光利用率均高达约75%，从而实现光学增益提升组件效率约0.2%-0.3%;电学上降低电池横向电流传输损耗及互联条电阻损耗，同时通过减少电极面积增强了PERC电池的钝化效果
高密度封装技术的公司，规避了叠焊组件焊带与电池间刚性接触的风险，天合选定小间距高密度技术作为至尊系列组件的封装方式。通过将焊带局部(电池片之间连接区域)进行定向减薄，得以将片间距缩小至0.5mm，提升

晶科自主开发的N型HOT2.0高效电池技术，通过HOT隧穿层钝化接触和先进金属化等技术的开发导入，电池效率高达24.79%，再度创下大面积N型单晶硅单结电池效率的世界纪录;采用78片设计，延续叠焊技术
输出功率和转换效率。贺利氏相信，其超细线和出色接触性能的金属化解决方案及提供选择性发射极保护的产品能够帮助客户将PERC电池效率提高至24%这也是全行业的共同目标。赛得能源&中环艾能光储系统项目

钝化接触电池效率世界纪录。该测试结果已获得德国哈梅林太阳能研究所(ISFH)下属的检测实验室的独立认证。晶科能源研发团队包含了硅片、电池和光伏组件等领域的专家，多年来在高效及高功率电池和组件方面多次
取得了重大突破。此次破纪录的太阳电池采用了大面积(267.72 cm2)直拉N型单晶硅片，通过高品质扩散、低表面复合钝化、高效陷光以及HOT隧穿层钝化接触等多项创新技术及先进材料应用，实现了效率的

SOL6700B主栅的组合在客户端也得到了广泛的认可。图6. 分步印刷示意图 SOL6700B 独特的非接触型设计，使浆料对氮化硅或氧化铝钝化层的腐蚀非常低。EL的图示也显示出新的
窄线宽，同时，优化接触性能以满足客户更高方阻工艺的需求。高印速下的超细线(UFL)丝网印刷降低金属化遮光面积提高短路电流一直是电池制造商、网版以及浆料供应商产品工艺改进的目标，如高目数细线径

相对P型晶硅电池，N型晶硅电池的少子寿命高，无光致衰减，弱光效应好，温度系数小，是晶硅太阳能电池迈向理论最高效率的希望。 TOPCon是一种基于选择性载流子原理的隧穿氧化层钝化接触(Tunnel
Oxide Passivated Contact)太阳能电池技术，其电池结构为N型硅衬底电池，在电池背面制备一层超薄氧化硅，然后再沉积一层掺杂硅薄层，二者共同形成了钝化接触结构，有效降低表面复合和金

单晶替代多晶、P-PERC 替代常规单晶的技术迭代。其中常规单晶电池是铝背场电池，在硅片的背光面沉积一层铝膜;P-PERC 电池通过引入背钝化和开槽接触工艺，在电池背面形成背反射器，减少入射光损失
，但背面开槽处金属接触区域增加额外的复合电流;N 型电池技术路线繁多，其中 N-PERT 是 P-PERC 技术的改进型，在形成钝化层基础上进行全面的扩散，加强钝化层效果;TOPCon 在电池表面