with Intrinsic Thin Layer, HJT)全称本征薄膜异质结,其通过在P-N结之间插入本征非晶硅层进行表面钝化来提高转化效率。基于HJT的诸多优点,其有可能会成为下一代主流技术:1)传统HJT理论 with Intrinsic Thin Layer,也被称为HIT,中文名为本征薄膜异质结。HJT电池为对称双面电池结构,中间为N型晶体硅,然后在正面依次沉积本征非晶硅薄膜和P型非晶硅薄膜,形成P-N结。而硅片
2021年3月31日,天合光能股份有限公司发布《2020 年年度报告》。年报信息显示,在研项目方面,天合光能正在开展钙钛矿/晶硅两端叠层太阳池的设计、制备研究。进展包括(1)单节宽带隙钙钛矿 太阳电池效率的相关突破,基于 1.62 eV 和 1.70 eV 带隙钙钛矿单节电池效率分别为 20.32%和 19.67%。(2)天合实验室 P 型 PERC 效率 23.3%左右,N 型