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80亿，短短几年间，单位产能降低致以前的16%。切片流程更是如此，尤其去年开始的金刚线切割革命导致一个切割机台的产能是以前的3倍，以前切片环节还有过独立的公司存在，因为切片环节有自己独特的存在价值
： ↓↓↓ 光伏制造业按照生产流程划分，大致可以划分为四个环节，分别为硅料、硅片、电池片、组件。经过这么多年的发展，光伏产业最终稳定的形成两股势力，一股势力以最上游的保利协鑫生产的硅料为代表

更是如此，尤其去年开始的金刚线切割革命导致一个切割机台的产能是以前的3倍，以前切片环节还有过独立的公司存在，因为切片环节有自己独特的存在价值，但在以后，就不太可能存在独立的切片厂了，单位切片产能投资
的投资价值在组件端首先回顾一下光伏产业格局：光伏制造业按照生产流程划分，大致可以划分为四个环节，分别为硅料、硅片、电池片、组件。经过这么多年的发展，光伏产业最终稳定的形成两股势力，一股势力以最上游的

新型晶体硅太阳电池 1常规设备的改进 2常规BSF电池的关键技术：黑硅技术表3：金刚线切割多晶硅片的常规织绒技术还未解决单晶硅电池与多晶硅电池的差距在缩小
价差缩小的原因分析：金钢线切割导入单晶硅，但是多晶硅遇阻降低氧含量连续投料薄片化新型的尺寸设计单晶硅片将完全用金刚线切割 对于切片企业是个巨大的技术升级压力

和低等水质用水环节无需额外使用自来水，减小了多晶硅片制造过程中的自来水消耗。本方法实施例中的废水循环利用系统的水处理成本也较低，并可长期自动稳定运行，而且对于下一代金刚线切割制造工艺而言，该系统依然非常适用，无须升级改造。

为协鑫集成极具竞争力的技术方案。郑加镇博士表示，经过光伏产业链的共同努力，直接制绒或黑硅技术已逐渐成熟并进入量产，有效解决了金刚线切割硅片制绒难的问题;此外，关于多晶PERC光衰减问题，通过烧结
PERC电池光衰现象。数据显示，掺镓与掺硼氢钝化后衰减对比：掺B多晶PERC电池LID衰减在2%以内，平均LID衰减为1.1%;掺Ga多晶PERC电池LID衰减在2%以内，平均LID衰减为0.8%。氢钝化

全面投入量产。黑硅技术黑硅对光伏行业来讲，不是一个新技术。不过，黑硅技术近期的发展热潮可能归结于两个主要因素：第一，金刚线切割能够大幅度的降低多晶硅片成本，但传统的酸制绒导致电池效率降低，而
存在光致衰减(LID)问题(从组件厂家的质保承诺来看，首年功率衰减一般不高于2.5%或3%)，主要原因是p型硅片中的硼与氧在室外光照后产生的B-O对导致组件功率降低。采用了PERC技术后，光生空穴

2010-2011年硅片的产能急速扩张带来了巨大的成本开支，同时近三年来，发行人通过内部原材料和其他措施，发行人不断提高硅片产生率及降低生产成本，主要包括金刚线切割技术、高效铸锭炉升级、在线回收推广等。在硅片

。以金刚线切割的多晶硅片为基础，正面是低反射率的亚微米级绒面，结合SiOx/SiNx薄膜保证正面的钝化效果。背面采用AlOx/SiNx叠层钝化，形成PERC电池结构，大大改善背表面的钝化效果。低反射率的
金刚线切割的多晶硅片硅材料损失较少，单位时间内的切片数增加，在成本上比常规砂浆线切割的多晶硅片有优势。而且其机械损伤较少，相应的缺陷密度较小。但是用常规的酸制绒手段不能实现有效的绒面制备。金刚线切割的

如图7所示。以金刚线切割的多晶硅片为基础，正面是低反射率的亚微米级绒面，结合SiOx/SiNx薄膜保证正面的钝化效果。背面采用AlOx/SiNx叠层钝化，形成PERC电池结构，大大改善背表面的钝化效果
金刚线切割的多晶硅片硅材料损失较少，单位时间内的切片数增加，在成本上比常规砂浆线切割的多晶硅片有优势。而且其机械损伤较少，相应的缺陷密度较小。但是用常规的酸制绒手段不能实现有效的绒面制备。金刚线切割

%以上的高效多晶电池的批量生产，有望在年内实现20.5%以上量产效率。其高效多晶硅电池结构如图7所示。以金刚线切割的多晶硅片为基础，正面是低反射率的亚微米级绒面，结合SiOx/SiNx薄膜保证正面的钝化
、开路电压和填充因子，最终获得了高转换效率。图7.晶科能源量产高效多晶电池结构示意图金刚线切割的多晶硅片硅材料损失较少，单位时间内的切片数增加，在成本上比常规砂浆线切割的多晶硅片有优势。而且其机械损伤较少

反应离子刻蚀(RIE)或湿法黑硅技术能够解决多晶金刚线切割硅片的制绒问题，但需要增加额外的设备投资、水电、原料及人力等成本。其中，仅固定投资成本部分(不含配套的水电、原料及人力等成本)将增加0.16元/片
左右。并且，即便多晶金刚线切割硅片通过增加额外投资的方式解决了制绒问题，多晶硅材料晶界的疏松特性和存在的硬质点将始终成为阻碍其切割速率提升和进行薄片化切割的主要障碍。单晶切片领域目前已普遍采用金刚线切片

切片技术在多晶领域的应用与进一步提升造成障碍。虽然目前部分多晶制造企业研发采用的反应离子刻蚀(RIE)或湿法黑硅技术能够解决多晶金刚线切割硅片的制绒问题，但需要增加额外的设备投资、水电、原料及人力等
成本。其中，仅固定投资成本部分(不含配套的水电、原料及人力等成本)将增加0.16元/片左右。并且，即便多晶金刚线切割硅片通过增加额外投资的方式解决了制绒问题，多晶硅材料晶界的疏松特性和存在的硬质点将始终

多晶领域的应用与进一步提升造成障碍。虽然目前部分多晶制造企业研发采用的反应离子刻蚀（RIE）或湿法黑硅技术能够解决多晶金刚线切割硅片的制绒问题，但需要增加额外的设备投资、水电、原料及人力等成本。其中
，仅固定投资成本部分（不含配套的水电、原料及人力等成本）将增加0.16元/片左右。并且，即便多晶金刚线切割硅片通过增加额外投资的方式解决了制绒问题，多晶硅材料晶界的疏松特性和存在的硬质点将始终成为阻碍其

湿法黑硅技术能够解决多晶金刚线切割硅片的制绒问题，但需要增加额外的设备投资、水电、原料及人力等成本。其中，仅固定投资成本部分（不含配套的水电、原料及人力等成本）将增加0.16元/片左右。并且，即便多晶
金刚线切割硅片通过增加额外投资的方式解决了制绒问题，多晶硅材料晶界的疏松特性和存在的硬质点将始终成为阻碍其切割速率提升和进行薄片化切割的主要障碍。单晶切片领域目前已普遍采用金刚线切片工艺，可以最大程度

金刚线切片技术在多晶领域的应用与进一步提升造成障碍。虽然目前部分多晶制造企业研发采用的反应离子刻蚀(RIE)或湿法黑硅技术能够解决多晶金刚线切割硅片的制绒问题，但需要增加额外的设备投资、水电、原料
及人力等成本。其中，仅固定投资成本部分(不含配套的水电、原料及人力等成本)将增加0.16元/片左右。并且，即便多晶金刚线切割硅片通过增加额外投资的方式解决了制绒问题，多晶硅材料晶界的疏松特性和存在的硬质