至不到20%,奠定了单晶路线是面向未来主流晶体硅路线的基础。今天多晶硅片价格1.4RMB处于现金成本区域,如果单晶硅片价格跌破2.4RMB,多晶有可能彻底退出市场。
颠覆性新技术激发跳跃间断 上升通道。
在过去十年的行业发展过程中出现过两次跳跃间断点。第一次是2009-2010年冷氢化西门子法制硅料,硅料价格的雪崩导致a-si、CIGS和镝化镉等等薄膜路线的退出(first solar
至不到20%,奠定了单晶路线是面向未来主流晶体硅路线的基础。今天多晶硅片价格1.4RMB处于现金成本区域,如果单晶硅片价格跌破2.4RMB,多晶有可能彻底退出市场。
颠覆性新技术激发跳跃间断 上升通道。
在过去十年的行业发展过程中出现过两次跳跃间断点。第一次是2009-2010年冷氢化西门子法制硅料,硅料价格的雪崩导致a-si、CIGS和镝化镉等等薄膜路线的退出(first solar