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明显下滑，直至 2009 年第二季度才开始逐渐复苏，此后直至目前一直保持了较好的增长态势;2010 年国际光伏市场满产满销的原因之一是欧洲各国逐步调低了光伏上网电价的补贴，光伏电站投资商均希望赶在
费用4，627.671，977.491.95%134.02% 合计29，316.559，888.1412.34%196.48% 销售费用比上年增加219.56%，主要原因是经营业务增长引起的运费等支出的增加;管理费用比上

组件美观。但更重要的是：串焊机的焊接可靠性要远大于人工焊接。焊接不良是导致组件提前失效的重要原因。太阳能光伏组件的设计寿命为25年，而组件通常都安装在户外，每天要承受30℃左右的温度变化，加上季节更替温度
不良焊接的原因很多。比如：焊台的温度、助焊剂的涂布、电烙铁的温度、人员的熟练程度等等。有些方面是可以通过有效的管理来解决的，而有些情况是无法完全控制的，对于人工焊接过程中影响焊接可靠性的因素，全自动

单体具有更大的共轭体系，电子更易于移动和迁移，而且电聚膜与垫底接触电阻小，因此表现出比其单体更佳的光电性能。除有机光敏染料外，影响光电性能的还有电解液的酸碱性和氧化还原性质以及环境中的氧化性和还原
是GaAs／A1xGa1-xAs电极量子产率高的一个重要原因。另外GaAs／AlxGa1-xAs和InxGa1-x/GaAs两种量子阱在非水溶液中都表现出光生载流子界面隧穿电荷转移所导致的不同于体材料的

发生异常短路或异常停机时，必须查出真实原因并作出正确处理后，方可继续加工。 11、加工中因断线等原因暂停时，经过处理后必须确认没有任何干涉，方可继续加工。 12、修改加工条件参数必须在机床
允许的范围内进行。 13、加工中严禁触摸电极丝和被切割物，防止触电。 14、加工时要做好防止加工液溅射出工作箱的工作。 15、加工中严禁靠扶机床工作箱，以免影响加工精度。 16

除仅仅1.75 mm的硅就可以获得这种全光散射。等离子体粗糙处理的优点很多，包括更低的反射（从粗糙处理之前的35%下降到10%）、斜入射光耦合和更低的接触电阻（因为硅衬底和银电极之间的接触面积更大）。我们
多孔硅而言，在多晶衬底上生长的外延层质量较差，这个事实可以解释性能下降的原因。目前正在优化工艺，在不久的将来有望获得更高效率的增益。　　多晶硅薄膜的改进　　对于另一种类型的太阳能电池，也就是基于

原因是，（1）CdS层高度惨杂，因此耗尽区只是CdS厚度的一小部分；（2）由于CdS层内缺陷密度较高，空穴扩散长度非常短，如果耗尽区没有电场，载流子收集无效。因此减少缺陷密度，可使扩散长度
／)，对于太阳电池基区光子的吸收、少数载流子的收集，因而也即对光电流的收集产生了非常有利的条件。这也就是CdS／Cu1nSe2太阳电池会有39mA/cm2这样高的短路电流密度的原因，这样小的吸收长度

悬挂键得到适量氢的完全补偿，使得隙态密度低，结构保持最高的稳定性。寻找理想廉价的工艺技术来实现这种理想的结构，应能从根本上消除光致衰退，这是一项非常困难的任务。2．6 a-Si太阻电池效率低的原因
效率的一半，其它品种的太阳电池实际达到的光伏性能与理论值相比，差距都小于非晶硅的差距。a-Si太阳电池效率低的主要原因如下： 1）a-Si材料的带隙较宽，实际可利用的主要光谱域是

受到重视。比较典型的聚光电池是斯但福大学的点接触聚电池，其结构与非聚光点接触电池结构相同，不同处是采用200 Ωcm高阻n型材料并使电池厚度降低到100一160tLm，使体内复合进一步降低。这种电池在
单晶硅高效电池的典型代表是斯但福大学的背面点接触电池（PCC），新南威尔士大学（UNSW）的钝化发射区电池（PESC，PERC，PERL以及德国Fraumhofer太阳能研究所的局域化背表面场