第八节 日本MITSUBISHI 硅料晶硅薄膜齐发力 硅料电池称雄双前五
提起日本MITSUBISHI(三菱),国人大概首先想到的就是成龙主演《我是谁WHO AM I 》的电影和电影里成龙的坐骑 2009年三菱多晶硅电池18%、18.6%和18.9%的电池效率取得世界纪录。2010年钻石支架系统和DC系统方案进军美国市场。
在光伏初兴的末期,三菱切入光伏电池生产,叩门二十强,光伏中兴时期则长期
University of Delaware(特拉华大学)The Institute of Energy Conversion(能源转换研究所)开发出第一个薄膜太阳能电池,超过10%的效率,采用Cu2S/CdS 光伏建筑一体化屋顶。到2004年20周年时,经过华盛顿特区20年密集环境影响后,还能每天发电约1000度电。
1985年,新南威尔士大学光伏工程中心成功研制出20%高效率的晶硅电池。
八十年代
型单晶硅( C-Si )为衬底光吸收区,经过制绒清洗后,其正面依次沉积厚度为5-10nm的本征非晶硅薄膜(i-a-Si: H 和掺杂的 P 型非晶硅(P-a-Si: H ),和硅衬底形成 p-n 异质结。硅片的背面又通过沉积厚度为5-10nm的i-a-Si: H 和掺杂的 N 型非晶硅(n-a-Si: H )形成背表面场,双面沉积的透明导电氧化物薄膜(TC0)不仅可以减少收集电流时的串联电阻