世界记录。HIT太阳电池组件HIT(Heterojunction with intrinsic Thinlayer)硅太阳能电池,是在晶体硅片上沉积一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂 种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜。采取该工艺措施后,改善了PN结的性能。因而使转换效率达到23%,开路电压达到729mV,并且全部工艺可以在200℃以下实现。与常规晶体硅太阳电池组件相比,HIT太阳电池
5月创造的22.94%的同项世界纪录,也是天合光能光伏科学与技术国家重点实验室第13次打破世界记录。HIT太阳电池组件HIT(Heterojunction with intrinsic Thinlayer)硅太阳能电池,是在晶体硅片上沉积一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜。采取该工艺措施后,改善了PN结的性能。因而使转换效率达到23%,开路电压达到
在2014年5月创造的22.94%的同项世界纪录,也是天合光能光伏科学与技术国家重点实验室第13次打破世界记录。HIT太阳电池组件HIT(Heterojunction with intrinsic Thinlayer)硅太阳能电池,是在晶体硅片上沉积一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜。采取该工艺措施后,改善了PN结的性能。因而使转换效率达到23%,开路电压