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环绕穿通电池，MWT电池将电池正面收集的电子通过孔洞中的金属转移至电池背面。它不再需要在电池正面制作母线，因此电池表面就有更大面积来收集光子并将其转化为电能。德国研究人员Fraunhofer等已经制备
出17.1%的MWT电池，还有荷兰研究机构研究的多晶MWT电池效率也达到了17%。但是MWT电池中金属化孔洞的制备和电级间的分流仍然是MWT发展需要优化的难题。EWT

母线，因此电池表面就有更大面积来收集光子并将其转化为电能。德国研究人员Fraunhofer等已经制备出17.1%的MWT电池，还有荷兰研究机构研究的多晶MWT电池效率也达到了17%。但是MWT电池
中金属化孔洞的制备和电级间的分流仍然是MWT发展需要优化的难题。 EWT(Emitter Wrap-Through )即发射极环绕穿通电池，它是MWT电池的改进版，兼具了IBC电池与MWT电池的优点

至电池背面。它不再需要在电池正面制作母线，因此电池表面就有更大面积来收集光子并将其转化为电能。德国研究人员Fraunhofer等已经制备出17.1%的MWT电池，还有荷兰研究机构研究的多晶MWT电池效率
也达到了17%。但是MWT电池中金属化孔洞的制备和电级间的分流仍然是MWT发展需要优化的难题。EWT(Emitter Wrap-Through )即发射极环绕穿通电池，它是MWT电池的改进版，兼具了

。薄膜太阳能板一般仅需汇流排。互连带直接焊在硅晶体上把太阳能板中的太阳能电池互相连接起来。互连带将太阳能电池产生的电流带到PV汇流排上。PV 汇流排是绕太阳能板周边安装的热浸镀锡铜导体。PV汇流排把互连
越来越严格；b) 不断减薄的太阳能电池要求焊带屈服强度更低（Rp0.2%）；c) 新太阳能板设计采用每一电池三条互连焊带以替代二条焊带，这反映了对于更小（更窄且更薄）焊带的要求不断增长。这又转而推动

文献中可以找到有可能适用于PV的一些抗反射材料、膜结构和制备技术的评论。现在，ARC的商业应用已在基于c-Si的PV组件规模生产中实现。但是，把ARC应用于串结或多结薄膜太阳能电池的研究还很少见，大多是
由于在ARC与薄膜太阳能电池制造工艺间的兼容性，以及抗反射光谱满足子电池间的电流匹配要求的缘故。本研究中，我们用简单的制备方法（太阳能电池能很好适应的低温150℃下），将同质单层ARC直接应用在a-

索比光伏网讯:1范围本标准规定了地面用光伏组件边框组装、接线盒与背板粘接、接线盒灌封、汇流条密封及薄膜光伏电池支架粘接所使用的硅橡胶密封剂的技术要求。本标准适用于晶体硅光伏组件和薄膜光伏组件装配
湿-冷试验后产品性能湿冷试验后的产品产品性能应符合表8的要求4.5薄膜电池支架粘接剂4.5.1外观产品应为细腻、均匀膏状物，无气泡、结块、凝胶、结皮。4.5.2固化后产品性能固化后产品性能应符合表10

合而为一的特色制备思路，以TiB2晶体为前驱体，通过水热及后续的热处理过程获得了间隙硼掺杂的锐钛矿TiO2微米球，并且硼在从球表面至体相厚约50纳米的范围内呈现梯度分布。理论研究表明，间隙B+（ 3）离子
、一个是砷化镓晶片技术、一个是高效的转换率。他同时介绍到，首先在一个临时的模板晶片上使用金属有机气相沉积工艺生产薄膜，然后将薄膜分离，并再次使用这个模板晶片，由此得到了极薄并可弯曲的薄膜，它可以做成任何

温度过高(950～1000oC)，扩散均匀性差，表面掺杂浓度低不易形成很好的电极接触等诸多问题。因此，研究人员开始寻求其他形成pn结的技术用来替代液态B扩散，制备N型高效电池。 Al烧结技术在P
兼容性。此外，该工艺还具有制备工艺步骤少的特点，和液态B扩散相比具有相当的成本优势，具有很好的产业化应用前景。然而，将丝网印刷Al浆烧结工艺用在N型电池中形成p型发射极还处在研究阶段。在工艺条件优化方面

如此淀积的Ag纳米点和Si:H薄膜的光学性质。结果和讨论图1是孔径约80nm的AAO膜表面形貌和截面图的SEM图像。由于AAO是用二步法阳极氧化制备的，可以得到孔径及孔间间距分布窄的有序孔结构，见图1
范围为1.04eV~1.72eV。CIGS系电池可以很方便地做成多结系统，在四个结的情况下，从光线入射方向按禁带宽度由大到小顺序排列，太阳能电池的理论转换效率极限可以超过50%。制备CIGS薄膜的方法

集成器件等应用上发挥更大作用。中国科学院兰州化学物理研究所固体润滑国家重点实验室贾均红研究员带领的课题组在对金属硫化物纳米材料及其功能薄膜的设计、制备和性能研究方面，取得了一系列突破和重要进展。他们利用
化学浴沉积结合自组装技术在单晶硅及玻璃上可控制备了一系列金属硫化物如CuxS、CdS、In2S3及Bi2S3等纳米晶薄膜。同时，采用自组装结合紫外光刻技术制备了完整、有序的硫化物图案化薄膜，研究了图案

薄膜的厚度。然后把样品与电池结构上已蒸发的CdCl2薄层在空气氛围中进行热处理，接着在溴甲醇溶液中刻蚀。在真空室中用连续热蒸发Cu和Au制备Cu:Au背接触。最后在Cu/Au合金上刷银浆作为背电极
of China 　 CdTe的直接带隙是1.45eV，这与太阳光谱非常匹配，有利于光伏能量装换。CdTe的的吸收系数高达105cm-1，99%的能量大于带隙光子能被吸收在几微米的CdTe薄膜中。高

（ECR-CVD）制备异质结太阳电池。ECR-CVD具有以下几个好处：改善淀积工艺的控制、对生长薄膜的离子损伤少、等离子密度高以及有可能得到高淀积速率。许多作者已经报道了用ECR-CVD在低温下淀积微晶(c
支架位于距等离子室孔25cm处。用涡轮分子泵把等离子室抽到高真空，残余气体压强接近310-6Torr。本研究中只报导生长p+薄膜，用的掺杂气体是硼（B），在氢气中体积浓度为0.5%。工艺气体经ECR区

索比光伏网讯:太阳能硅片的清洗很重要，它影响电池的转换效率，如器件的性能中反向电流迅速加大及器件失效等。因此硅片的清洗很重要，下面主要介绍清洗的作用和清洗的原理。清洗的作用1.在太阳能材料制备过程中
，在硅表面涂有一层具有良好性能的减反射薄膜，有害的杂质离子进入二氧化硅层，会降低绝缘性能，清洗后绝缘性能会更好。2.在等离子边缘腐蚀中，如果有油污、水气、灰尘和其它杂质存在，会影响器件的质量，清洗后

。1918年波兰科学家Czochralski发展生长单晶硅的提拉法工艺。1921年德国物理学家爱因斯坦由于1904年提出的解释光电效应的理论获得诺贝尔（Nobel）物理奖。1930年B.Lang研究
-氧化亚铜整流器和光电池论文。1941年奥尔在硅上发现光伏效应。1951年生长p-n结，实现制备单晶锗电池。1953年Wayne州立大学DanTrivich博士完成基于太阳光普的具有不同带隙宽度的各类

索比光伏网讯:摘要高效率、低成本是晶体硅太阳电池发展的主流方向。背接触电池以其独特的器件结构、简单的制备工艺及较高的电池效率,备受光伏市场的关注。概括了目前国际上研究较多的几种背接触硅太阳电池,对其
,大大降低了串联电阻。IBC电池的核心问题是如何在电池背面制备出质量较好、呈叉指状间隔排列的p区和n区。为避免光刻工艺所带来的复杂操作,可在电池背面印刷一层含硼的叉指状扩散掩蔽层,掩蔽层上的硼经扩散

溶剂的作用a.溶解树脂，使导电微粒在聚合物中充分的分散；b.调整导电浆的粘度及粘度的稳定性；c.决定干燥速度；d.改善基材的表面状态，使浆料与基体有很好的密着性能。导电银浆的溶剂的溶解度与极性，是选择
主要用在太阳能电池，压电陶瓷等方面。低温银浆主要用在薄膜开关及键盘线路上面。三、浆料成分对浆料电性能的影响当玻璃粉含量不变时，电阻率在一定范围内随着银粉的含量逐渐增加而降低。当银粉含量过大时，电阻率

因子和20．8％（AM1.5）的效率。（B）钝化发射区和背表面电池（PERC）：铝背面吸杂是PEsC电池的一个关键技术。然而由于背表面的高复合和低反射，它成了限制PESC电池技术进一步提高
层上沉积SiN为A只乙后面用RF-PECVD掺硼的c一Si薄膜作为背场，用SiN薄膜作为后表面的钝化层，Al层通过SiN上的孔与cSi薄膜接触。5cmX5cm电池在AM1．5条件下效率达到21.4