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核心部件就是IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写，中文名称为绝缘栅双极型晶体管）， IGBT号称电动汽车的"CPU"！因为IGBT约占汽车电机驱动系统成本的
播放器等，其工作电压可以低到1V左右，电流低至毫安级别，这类电子设备也需要高速开关例如很多逻辑判断都是需要晶体管导通或者关断的，不过MOSFET虽然开关频率高但不能工作在高压大电流状态，在高电压领域

突破性进展。他们设计和制备的叠层有机太阳能电池材料和器件，实现了17.3%的光电转化效率，刷新了世界纪录。相比硅基无机太阳能电池，有机太阳能电池可以弯曲，并且足够薄，可在建筑物或服装内弯曲和扭曲
(InterdigitatedBackContact，交叉指状背接触)因其全背电极结构设计而得名，在其结构设计中，导出电流的正、负电极金属化栅线设计在太阳电池的背面，是目前商品化晶体硅电池中难度最高的技术

12月6日，在江苏召开的第三届N型晶硅电池与钝化接触技术论坛上，业内尖端技术的引领者晋能科技总经理杨立友博士以《晶体硅-非晶硅异质结电池量产技术的发展》为题，向业内展示了晋能科技在异质结技术研发与
、薄硅片应用、温度系数低、可双面发电等一系列优势，使其有望成为下一代光伏技术的黑马。晋能科技在位于山西晋中电池组件生产基地规划了GW级异质结产品产能，并于2017年5月率先实现量产。晋能科技HJT

2.红片原因：(1).沉积时间过短; (2).减薄量过低; (3).石墨舟使用次数过多 (4).石墨舟预处理效果不佳解决：(1).根据实际情况调整镀膜时间; (2).根据已镀膜完
片子的情况，结合对应的减薄量，实时调整镀膜时间; (3).检查操作记录，确认舟已使用多少次，如果使用次数过多就要求员工将石墨舟作刻蚀处理 (4).对该石墨舟尽早做刻蚀处理 3.淡蓝原因：(1

教授为现场观众分析阐述了几种常见的高效率晶体硅太阳能电池，包括IBC电池、HIT电池、PERL电池。一、IBC电池 IBC电池(全背电极接触晶硅光伏电池)是将正负两极金属接触均移到电池片背面的技术
，Sunpower研发的第三代IBC电池最高效率已经达到25%。应用层选择性激光工艺来制造POLO-IBC电池，功率转换效率已经达到26.1%，这是P型晶体硅太阳能电池的世界纪录效率。 2.产业趋势

之相对应的更薄的EVA，虽然组件面积增大1%，组件整体总重量保持不变。对于安装运输等环节把不利影响降低到了最小。 4、生产158.78mm的方形单晶硅片拉晶体环节和硅料环节的成本有所增加，但硅片厚度
版型单晶perc组件主流功率接近甚至达到330瓦的水准。 3、158.75mm边长的电池片封装后的组件规格尺寸仅增长1.4cm，按照百分比测算相当于增加1%，且由于应用到了160um更薄的硅片以及与

头破血流的同质化竞争之路，而是走差异化、高质量发展之路。德鑫的设备虽然大多为进口设备，但当初设计是基于常规晶体硅光伏电池的生产，如何用这些不是最先进的设备进行最高端的光伏制造
推进高效技术的研发和优化，从MWT技术叠加、薄硅片使用等方面，进一步提高电池可靠性及成本效益，打造最佳性价比的高效产品。差异化时代：创造性破坏步入新周期在笔者采访中环股份董事长沈浩平先生时，他

上下层之间的接触面积;CIS/CIGS 层作为光吸收层是电池的最关键部分，要求制备出的半导体薄膜是 p 型的，且具有很好的黄铜矿结构，晶粒大、缺陷少是制备高效率电池的关键;CdS 作为缓冲层，不但
71020Cm13 范围。通过掺入适量的稼以替代部分 In，形成 CuInSe2 和 CuInGa2 的固熔晶体，表示为 Cu(In1-xGax)Se2 (简称 CIGS)}嫁的掺入会改变晶体的晶格常数

。降本逻辑：功率提升降低BOS成本，或发电量增加摊薄度电成本(降低分子+提升分母)。光伏电站初始投资成本可分为：1) 组件成本，占比约50%;2) 与功率有关的BOS成本，如
土地、支架、人工等，占比约20%;3) 与功率无关的BOS成本，如逆变器、升压设备，占比约30%。因此，组件功率的提升可以通过摊薄BOS成本来实现系统单位投资的降低。测算显示，60片组件的

厚度的减薄，少数载流子的扩散长度可能接近或大于硅片的厚度，部分少数载流子将扩散到电池背面而产生复合，这将对电池效率产生重要影响。随着晶体硅太阳电池的薄片化，表面复合成为了影响太阳电池效率的关键因素
密度最低。在300℃热处理下，a-Si∶H/SiNx薄膜的钝化效果能在至少90min以内始终保持优于a-Si∶H薄膜的钝化效果。以上结果对于a-Si∶H/SiNx薄钝化膜在晶体硅太阳电池产业中的

。而流化床法生产工艺也是近年国内企业积极探索的领域，预计未来随着技术发展相对成熟安全，市场占比将会逐步提升。硅片，连续拉晶和硅片切到更薄。通过连续拉晶提高生产效率。国内成功研制全自动连续拉晶技术
，效率和成本方面。目前，最新的全自动连续拉晶生长炉每月可以生产单晶硅圆棒4500公斤左右，每公斤单晶硅的非硅成本在30元以下，电费为0.75元/每度。目前，市场上的晶体生长炉每一个月可以生产单晶硅圆棒

始于2007年，而应用于晶体硅片的切割2010年才开始。金刚线较传统切割有关键的四大优势： 1.、提高切割速度，大幅提升机器生产率，降低用户设备采购成本，提升产能; 2.、摒弃游离切割所使用的
砂浆切割的硅片主流厚度是180微米，最薄一般也只能做到160微米，并且会带来良率下降等问题;而采用金刚线切硅片目前可以做到140微米甚至更低，从而可以进一步摊薄硅片的硅成本和折旧。 3、另外，金刚线

一根如发丝般的细线可以做什么?金刚切割线告诉你，可以引出百亿资本局，让多家公司竞折腰。这种应用于光伏晶体硅切割和蓝宝石切割的上游材料，随着去年光伏行业超预期发展迎来大爆发。一位业内分析人士告诉
，得益于其对下游光伏制造领域产生的不可忽视的蝴蝶效应：首先，金刚线切割可降低单位硅片对硅料需求，使得硅片切得更薄更快，从而减少硅片单位投资成本;其次，金刚线切割技术的使用改变了单多晶企业在硅片市场的竞争

损耗少、出片率高。切割线线径越大造成切割时刀缝越大从而导致材料损耗越多，而切割线的线径是裸线径与磨料/刃料直径之和。金刚线因切割能力强，其镀层比切割液与碳化硅混合形成的砂浆要小薄，从而造成的刀缝损耗
较小。另外，金刚线切割造成的损伤层小于砂浆线切割，有利于切割更薄的硅片。更细的线径、更薄的切片有利于降低材料损耗，提高硅片的出片率。2015年的硅片厚度多为 180m，砂浆切割的刀缝损耗大约

电极。电介质叠层的制作过程分成两步，首先是使用ALD或PECVD工艺在裸硅表面沉积一层非常薄的AI2O3(~5-25nm);紧接着使用PECVD工艺沉积一层较厚(100nm)的SiN层。通过脉冲
，这对于多晶硅电池来说并不奇怪，主要原因是多晶体的晶格质量变动较大，即便所使用的是高质量硅片。尽管如此，对于硅光伏行业来说大约20%的平均转换效率仍然是值得称道的成绩。在本实验中，电池的绝对效率提升

晶体生长炉每一个月可以生产单晶硅圆棒在2,400公斤左右，每公斤单晶硅的非硅成本约60元，电费为0.75元/每度。拉晶技术突破将有效提高硅料产能效率及降低非硅成本。硅片薄化有利于降低硅耗和电池成本
97%，未来仍将是主流生产工艺。而流化床法生产工艺也是近年国内企业积极探索的领域，预计未来随着技术发展相对成熟安全，市场占比将会逐步提升。硅片，连续拉晶和硅片切到更薄。通过连续拉晶提高生产