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经济效益和社会效益。从能源消耗角度看，以原料硅石为起点，到制成晶体硅光伏发电系统，全部能量消耗为1.04kWh/Wp(根据国家工信部发布的《光伏制造行业规范条件(2018年本)》中能耗指标要求计算所
kWh/W，是系统消耗能量的31倍之多。另一方面，随着太阳级硅材料能耗逐年下降，光伏电池效率继续提高，基片继续减薄，多晶硅光伏发电系统的能量回收期将继续缩短。按照测算结果，完全可以实现光伏发电对传

退出市场。 158.75mm直角单晶为什么会成为当今的主流产品? Solarwit分析师张治雨认为，158.75mm直角单晶之所以成为主流，是晶体生长成本不断下滑使得消灭导角带来的收益大于消灭导角所
推进平价上网的关键时刻，对组件的高功率、高品质、高性价比都提出了更高的要求。在电池转换效率提升越来越难的情况下，158.75mm尺寸通过消除倒角损失，增加硅片面积，进一步提升了组件功率，摊薄了单瓦成本，同时，凭借产线改造简单、投入较少资金等突出特性，稳坐行业中心位置，备受企业客户青睐。

四面体结构，晶体中多了1 个氧的负电荷，可将p 型电池的少子( 电子) 反射回去减少复合，实现电池背面的有效钝化。峰值温度过高将导致Al-O4减少，氧化铝浆料烧结温度通常低于金属化烧结温度，介质
侵蚀性成分腐蚀减薄氮化硅层，最后形成的氧化铝/ 背面氮化硅叠层厚度约为230～250 nm，如图5 所示。背抛光后硅片印刷氧化铝并烧结，使用WT-2000 设备测试少子寿命值在10 s 左右

晶体硅太阳能电池的极限效率，29.43%。制造业积极布局，量产转换效率突破 23%。从海外来看，LG 和REC 在TopCon 技术均有量产产能。国内方面，中来股份已实现
大幅降低。设备投资额的大幅下降有望推动 TopCon 技术加速发展。三、异质结：技术逐步成熟，龙头积极布局异质结(本征薄膜异质结，亦成为 HJT/SHJ)，通常以 n 型晶体硅作衬底，宽带隙的

、本次发行不会导致公司控股股东和实际控制人发生变化。 11、本公司董事会已制定《关于非公开发行A股股票摊薄即期回报及填补回报措施》，本公司提示投资者制定填补回报措施不等于对公司未来利润做出保证
设备与产业协会 WSTS指世界半导体贸易统计组织半导体材料指导电能力介于导体和绝缘体之间的材料单晶硅指整块硅晶体中的硅原子按周期性排列的单晶硅，是用高纯度多晶硅为原料，主要通过直拉法和区熔法

左右，由于功率较高，能够有效摊薄组件和 BOS 成本，TOPCon 电池 23%的效率已经和 PERC 电池 22%效率的系统端成本持平，加上 TOPCon 组件高双面率、低衰减特性，综合
和设备关键性能整体均处于国际先进水平。管式PECVD设备主要采用业内领先的背面钝化叠层膜技术，有效提高晶体硅电池的转换效率。公司研发技术及生产能力覆盖电池片前中端生产所有核心设备，是国内仅有

薄膜太阳能电池的产品类型主要包括晶体硅薄膜太阳能电池、非晶硅薄膜太阳能电池、铜铟镓硒薄膜太阳能电池和CdTe 薄膜太阳能电池等。虽然这些太阳能电池占据了柔性薄膜太阳能电池大部分的市场份额，但这些
太阳能电池原衬底在工艺处理后可以被重复使用。在当今太阳能光伏市场上，柔性薄膜太阳能电池的产品类型主要包括晶体硅薄膜太阳能电池、非晶硅薄膜太阳能电池、铜铟镓硒薄膜太阳能电池和 CdTe 薄膜太阳能电池等

转换效率突破25%：含本征非晶硅薄膜的非晶硅/晶体硅异质结(HIT/HJT)电池由于非晶硅薄膜优秀的钝化效果，转换效率近年在晶硅电池中位居前列，纯HJT电池的实验室转换效率已达到25.11%。异质结是
半导体材料组成的太阳能电池均可称为异质结太阳能电池，与之相对的是同质结电池，即p-n结由同种半导体材料组成。目前实际商业应用的晶硅太阳能电池基本均为同质结电池(p-n结由晶体硅材料形成)，而产业中一般所提到的

为802cm2，厚度为2mm，特别适合于难以安装常规面板的位置，例如由于重量限制而无法安装光伏系统的屋顶上。松下公司声称，使用喷墨涂料的方法达到了它所谓的创纪录的效率。它还减少了面板重量使用薄玻璃基板
。不过，它没有说这一结果是否得到了一个独立实体的证实。稳定性稳定性差一直是钙钛矿电池的弊端，松下的科学家们用甲胺、铯和铷取代了影响太阳能电池热稳定性的甲胺，从而改进了钙钛矿的晶体

太阳能电池厚度约200 微米，薄，但不怎么柔软，因此有时会因运送、装设碰撞或维护不到位受损，产生小小的裂纹，基本上这些裂纹肉眼不可见，如果没有用设备检测可能就会忽略。不过太阳能系统不只有电池而已
电子背向散射绕射(electron backscatter diffraction，EBSD)技术来分析晶体材料，并用闪烁计数器侦测器(everhart thornley) 来侦测太阳能板产生电压

a-Si：H膜(膜厚5-l0nm)和背面侧的i-n型a-Si：H膜(膜厚5-l0nm)夹住晶体硅片，在两侧的顶层形成透明的电极和集电极，构成具有对称结构的HIT太阳能电池。图表1：HIT太阳能电池结构
处理中的性能退化，从而允许采用低品质的晶体硅甚至多晶硅来作衬底。 (2)双面电池HIT是非常好的双面电池，正面和背面基本无颜色差异，且双面率(指电池背面效率与正面效率之比)可达到90%以上，最高可达

PERC技术通过在电池背面附上介质钝化层，可以较大程度减少这种光电损失，从而提升光伏电池1%左右的光电转换效率。与需要在晶体层面突破的另一种电池 - 钙钛矿光伏相比，PERC是电池和组件组装方面的一项创新
通过提高电池在较长波长下捕捉光的能力来提高效率，特别是在清晨、傍晚或多云的情况下。PERC技术在电池和铝层之间添加了一层薄的介电层。任何穿过电池而不产生电子的光都会被这层反射回来 - 因此，这种光有

背面场(Al-BSF)到钝化发射机和背电池(PERC)技术，因为后者能与用于标准技术的现有生产线兼容。不过，依靠氢化非晶硅(a-Si:H)实现优异的晶体硅(c-Si)表面钝化性将使得将硅薄膜生产线
了260MWp，大规模生产的平均电池效率为22.8%。技术开发从图1中可以看到，SHJ电池的结构非常简单，并且仅需要6道工艺制造步骤。通常，SHJ电池由n型c-Si硅片制成，该硅片在两侧涂覆有薄的本

之后就进入PVD或RPD设备，沉积透明金属氧化物导电膜TCO。TCO纵向收集载流子并向电极传输。非晶硅层晶体呈长程无序结构，电子与空穴迁移率较低，横向导电性较差，不利于光生载流子的收集，因此需要在正面
薄硅片的厚度取决于硅片生产工艺和电池加工温度。当前使用金刚线切割工艺的硅片最薄可以做到120微米，再薄成本不降反升。异质结技术产业化后，国内硅片厂完全有能力供应120+微米厚度的N型硅片。但当前

传统PECVD钝化技术，ALD技术使钝化膜更薄，并且大大降低TMA使用量，从而使成本降低。 ALD技术带来4.72%的成本下降空间：经测算，当加工成本自1.97元/片降低至1.72元/片时，非硅成本从
，高效电池成为主流：当前，在领跑者计划和产业转型升级的推动下，各种晶体硅电池生产技术呈现百花齐放发展态势，规模化生产的普通结构铝背场单晶和多晶硅电池的平均转换效率分别达19.8%和18.5%的水平

片、LED 用蓝宝石衬底片等的切割。金刚线规模应用于蓝宝石切割始于2007 年，而应用于晶体硅片的切割2010 年才刚刚开始。从目前金刚石线需求最大的两大下游行业分析，蓝宝石切割与晶体硅切割对金刚石线的技术
规格要求不尽相同。 2. 金刚线切割较传统砂浆切割体现出碾压式优势光伏制造的切割应用情况。光伏产业链主要包括晶体硅材料制备、晶硅片生产、太阳能电池制造、组件及系统封装与应用

高端光伏幕墙已成为幕墙产业内部转型的方向随着传统幕墙行业恶性竞争的加剧，行业利润率越来越薄，行业门槛也越来越低，高端光伏幕墙已经成为幕墙产业内部转型的方向。光伏幕墙是将光伏发电技术与幕墙技术
封装在两层玻璃面板之间形成一种特殊的发电玻璃，有点类似于在夹层玻璃中间夹着光伏电池片，最简单的双玻组件结构原理如下图所示：目前光伏幕墙的面板材料主要有两种技术路线：一种是晶体硅材料幕墙，一种是非

之前，单晶体PERC和其他单晶技术还有多少改进空间? Meydbray:每种技术的效率曲线都显示出快速增长，然后基本持平。铝背面场(BSF)是最后一种技术，可以达到的最大效率大约是20%或20.5
目前使用量的，这可能是现实的。记者那么，你对什么样的电池和组件技术特别感兴趣? Meydbray:从大约2009年到现在，晶体硅电池的效率稳定地以每年大约0.6%的速度增长，这是惊人的。我们