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晶圆两面形成非晶硅层的异质结构造的HIT太阳能电池（图1）。非晶硅层可减少硅晶圆表面的结晶缺陷、抑制再结合损失，因此容易提高电压。但受非晶硅层、透明导电膜和表面电极等的影响，有部分太阳光被遮挡，因此
）。松下一直在设法提高太阳能电池单元的转换效率，2011年使厚度只有98m的HIT太阳能电池的单元转换效率达到23.7％，2012年提高至23.9％。该公司此次通过提高电极的宽高比以及抑制透明导电膜的

%转换效率的是在单晶硅晶圆两面形成非晶硅层的异质结构造的HIT太阳能电池(图1)。非晶硅层可减少硅晶圆表面的结晶缺陷、抑制再结合损失，因此容易提高电压。但受非晶硅层、透明导电膜和表面电极等的影响，有部分
稍低(b)。松下一直在设法提高太阳能电池单元的转换效率，2011年使厚度只有98m的HIT太阳能电池的单元转换效率达到23.7%，2012年提高至23.9%。该公司此次通过提高电极的宽高比以及抑制透明

构造的HIT太阳能电池（图1）。非晶硅层可减少硅晶圆表面的结晶缺陷、抑制再结合损失，因此容易提高电压。但受非晶硅层、透明导电膜和表面电极等的影响，有部分太阳光被遮挡，因此很难提高电流值
98m的HIT太阳能电池的单元转换效率达到23.7％，2012年提高至23.9％。该公司此次通过提高电极的宽高比以及抑制透明导电膜的光吸收，将短路电流密度由2012年的38.9mA/cm2成功提高到

。1918年波兰科学家Czochralski发展生长单晶硅的提拉法工艺。1921年德国物理学家爱因斯坦由于1904年提出的解释光电效应的理论获得诺贝尔（Nobel）物理奖。1930年B.Lang研究
出售硅光伏技术商业专利，在亚利桑那大学召开国际太阳能会议，Hoffman电子推出效率为2%的商业太阳能电池产品，电池为14mW/片，25美元/片，相当于1785USD/W。1956年

后进行刻蚀。在扩散过程中，硅片的周边表面也形成扩散层。周边扩散层使电池的上电极和下电极形成短路，必须将它除去。这个工序是太阳电池制作中必不可少的一步，周边存在任何微小的局部短路都会使电池并联电阻下降
，然后烧结可以使N型层返回到P型。去周边用激光切割的方法或等离子体刻蚀法。激光切割可以在太阳电池电极印刷和烧结结束后进行。激光切割去周边时必须把激光束照在背电极上，而且不能让激光把硅片击穿，必须控制好激光

索比光伏网讯:一、基本信息1.组成：导电相银粉、无机粘结剂玻璃料、有机载体及改善电池性能的微量添加剂组成，其中有机载体包括有机溶剂和有机树脂，它通过丝网印刷或其他喷涂技术将承印在基底表面，干燥成膜后
形成电极。2.要求：稳定良好的银-硅欧姆接触；高导电率较低成本；良好的焊接性、附着力、印刷性能以及适宜大规模生产的工艺性。与硅片连接牢固，对酸碱、水汽等的侵蚀有一定抵抗力。这些都对光伏" title

电流；不适合的焊接工艺还有可能造成电池的电极与硅片脱落，无法收集电流，从而造成封装损失的增加。封装试验及讨论不同氮化硅膜厚电池的封装对比选族三组不同氮化硅膜厚、效率17.25%档的单晶
可以减少，简介降低了生产成本。本文分别从光学损失和电学损失两方面分析和讨论了可能影响封装损失的因素，得到了一些初步的结论，可为组件公司提高产品性能提供参考。另外我们只针对组件封装时的功率损失进行了研究

了一些初步的结论，可为组件公司提高产品性能提供参考。另外我们只针对组件封装时的功率损失进行了研究，未涉及电池片光致衰减（LID）导致的组件输出功率下降等问题。　　封装损失的分析常规晶体硅太阳电池组件的
。下一页太阳电池的表面沉积了一层氮化硅结构的减反射膜，折射率约为2.1，其上有EVA和钢化玻璃（两者的折射率约为1.48左右），为使组件的

的焊接工艺还有可能造成电池的电极与硅片脱落，无法收集电流，从而造成封装损失的增加。　　封装实验及讨论　　不同氮化硅膜厚电池的封装对比　　选取三组不同氮化硅膜厚、效率17.25%档的单晶
两方面分析和讨论了可能影响封装损失的因素，得到了一些初步的结论，可为组件公司提高产品性能提供参考。另外我们只针对组件封装时的功率损失进行了研究，未涉及电池片光致衰减（LID）导致的组件输出功率下降等问题

。非晶硅的原料是晶硅太阳能电池生产中西门子法生产多晶硅之前的硅烷气体，通过在硅烷（SiH4）中掺杂乙硼烷（B2H6）和磷化氢（PH3）等气体，在低成本基板上（玻璃、不锈钢）低温成膜，避开了成本最高和技术
生产设备之一。华工激光新推出的激光刻膜机LDY1040/LDG540采用先进的激光刻蚀技术，对太阳能非晶硅薄膜电池板的电极层和发电层进行刻蚀。整机采用龙门式结构，由工作台带动电池板与激光头作相对运动。X-Y

索比光伏网讯:将植物里的叶绿素提取出来，放到人工制备的膜里，光照时就会产生电。这就是叶绿素电池。目前，全球每年至少要消耗13太瓦(1太瓦=1万亿瓦)能源。石油等化石能源的不可再生性，决定了人们必须
)、叶绿素b(Chlorophyllb)、类胡萝卜素(Carotenoids)等。目前已知的是，在漫长的进化历程中，植物只选择了吸收红光的叶绿素a和吸收蓝紫光的叶绿素b捕捉光。近来研究发现，为了应对弱光

轻松制造异质结构造产品的时代。此外，韩国LG电子组合异质结构造和背接触构造，以2cm见方的小型单元实现了高达22.33％的转换效率（图4）。在背接触构造背面的电极周边采用异质结
LG电子发布了组合异质结构造和背接触构造的单元研究成果（a）。阿特斯在金属贯穿式背电极构造的单晶硅单元上实现了19.5％的转换效率（b）。三洋电机领先一步

太阳能发电系统，包括民用、商业应用及工业应用。产品介绍：公司生产的各种类型光伏组件采用最新工艺由高效率的晶体硅（单晶硅、多晶硅）太阳电池、EVA胶膜、低铁绒面钢化玻璃及复合氟塑料背膜（PET）组成。组件
控制器，太阳膜，太阳能逆变器等产品的开发及销售。通过了ISO9001质量体系认证和CE认证。主要产品：太阳能电池、电池组件、电池板、太阳能电源、电站、太阳能灯具及充电控制器、蓄电池、太阳能逆变器

锂离子或聚合物充电电池采用固体材料作为电池的电解质。由于完全不使用电解液，因此不会发生漏液现象，大幅降低了着火及爆炸的可能性。另外大多数产品还具备膜厚仅数μ～100μm（不包括底板）、重量轻以及底板可
借助硫化物类粉末来形成均一电解质层的方法（a）。三重县产业支援中心等为了降低电解质与电极片之间的表面电阻，目前正在研究在电极片上涂抹树脂溶液后，通过交联形成高分子的方法（b）。　　三重县产业支援

该公司的举措进行了介绍：（a）改进形成电极的丝网印刷，把单晶硅太阳能电池的转换效率提高到接近18％；（b）借助利用激光形成微细布线的“Pluto技术”使单晶型的转换效率提高到18.8％，并且在2年内达到
20％。争取在2009年使Pluto技术产品的产量达到50MW；（c）以太阳能电池转换效率加倍为目标，使用纳米技术和等离子技术开发未来的超高效率电池。　　而此前同样在踏实开展技术开发的中电光伏

农副产品。发展到现代，太阳能的利用已日益广泛，它包括太阳能的光热利用，太阳能的光电利用和太阳能的光化学利用等。太阳能的利用有被动式利用（光热转换）和光电转换两种方式。太阳能发电一种新兴的可再生能源利用方式
太阳能开发银行，促进太阳能产品的商业化。日本在1974年公布了政府制定的“阳光计划”，其中太阳能的研究开发项目有：太阳房、工业太阳能系统、太阳热发电、太阳电池生产系统、分散型和大型光伏发电系统等。为