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技术是指在电池的背电极与体层间添加一个电介质钝化层（一般为三氧化二铝、二氧化硅或氮化硅）来提高转换效率。由于标准电池结构中更高的效率水平受限于少数载流子的复合，PERC电池最大化跨越了P-N结的电势
已开始运用PERC技术大规模生产电池，我国大部分企业已落后，仅晶澳、乐叶等一线企业在积极引入此技术。2）HIT电池技术HIT电池的特征是以光照射侧的p-i型a-Si：H膜（膜厚5～l0nm）和背面侧的

索比光伏网讯:南洋科技(002389)上周日表示，对于锂电池隔膜项目，公司将在做好目前生产线运营基础上再考虑是否扩大。对于太阳能背材膜，公司表示，根据有关行业分析，市场需求仍有比较大的缺口，公司新建项目产能消化将不成问题。南洋科技的主营业务为电容器专用电子薄膜的制造和销售。

企业的水平，但在高效率电池技术研发方面还存在着差距。而提高硅电池的光电转换效率的主要技术壁垒包括以下几个方面：●减少电池表面栅线遮光率，以增加电池的有效受光面积。●制备良好的绒面和减反射膜以降低电池
表面光反射损失。●在电池背面形成良好的背电场，以降低表面的复合速率。●采用高的发射极方块电阻，以提高电池的短波长光谱效应。光伏系统能否普遍推广运用，取决于光伏并网技术发展的成熟度，所以，必须突破最大功

理解，而光生载流子复合损失是什么呢？光生载流子的复合主要是由于高浓度的扩散层在电池前表面引入大量的复合中心，此外，当少数载流子的扩散长度与硅片的厚度相当或超过硅片厚度时，电池背表面的复合速度对太阳能电池
减反射膜。在晶体硅表面制作一层具有一定折射率的膜，可以使入射光产生的各级反射相互间进行干涉甚至完全抵消。减反射膜不但可进一步减少光反射损失，还能提高电池的电流密度并起到保护电池、提高电池稳定性的作用

是什么呢？光生载流子的复合主要是由于高浓度的扩散层在电池前表面引入大量的复合中心，此外，当少数载流子的扩散长度与硅片的厚度相当或超过硅片厚度时，电池背表面的复合速度对太阳能电池特性的影响也很明显
结构，虽然此方法能更有效的地降低光反射率，但成本比化学腐蚀制绒法高，因此不适合在生产上大规模使用。　　倒置金字塔陷光结构2、制作减反射膜。在晶体硅表面制作一层具有一定折射率的膜，可以使入射光产生的各级

复合损失是什么呢？光生载流子的复合主要是由于高浓度的扩散层在电池前表面引入大量的复合中心，此外，当少数载流子的扩散长度与硅片的厚度相当或超过硅片厚度时，电池背表面的复合速度对太阳能电池特性的影响也
陷光结构，虽然此方法能更有效的地降低光反射率，但成本比化学腐蚀制绒法高，因此不适合在生产上大规模使用。倒置金字塔陷光结构2、制作减反射膜。在晶体硅表面制作一层具有一定折射率的膜，可以使入射光产生的各级

。这样高能量光子在宽带隙薄膜表面处被吸收，能量较小的红外光子透过薄膜表面后在带隙极小处被吸收，从而最大限度地提高光子的吸收效率。另外，后偏析V型带隙分布由于在靠近Mo背电极附近的吸收层形成势垒，减少
了光生载流子在Mo背电极的复合，从而可获得更多的电流输出。（6）抗辐射能力强硅基太阳能光伏电池经过较长一段时间使用后，或多或少存在热斑现象，导致发电性能减弱，增加维护费用。CIGS吸收层中的Cu迁移和

效率。另外，后偏析V型带隙分布由于在靠近Mo背电极附近的吸收层形成势垒，减少了光生载流子在Mo背电极的复合，从而可获得更多的电流输出。（6）抗辐射能力强硅基太阳能光伏电池经过较长一段时间使用后，或多或少
Solar采用Cu、In、Ga溅射成膜，然后硒化的技术路线，所开发的4Ow电池组件的转化效率为12.1%。Global Solar同样采取溅射硒化的技术路线，研发的900cm。电池组件转化效率达13.2

等离子体加强化学气相沉积（PECVD）的65nm厚的SiNx层。首先在硅片表面制作氧化层掩膜留出2*2cm2的窗口。通过RIE使用SF6/O2在120℃条件下刻蚀硅片窗口位置7分钟制作黑硅。图2a显示
，背面通过PassDop工艺进行钝化。PassDop工艺包括PECVD沉积磷掺杂非晶SiCx：H层，在钝化层表面激光开槽形成接触点。激光开槽后，在接触点位置磷扩散形成局部背表面场。在硅片背面烝镀铝形成背面

硅片制备方法有异同点，在硅片切割工艺后续工艺基本相同。硅片来料检验制绒扩散制结-PECVD-去PSG磷硅玻璃丝网印刷背电场电极-烧结-检测分级-包装。电池加工工艺异点在制绒工艺上，单晶采用异性碱
切割质量。不同的砂浆供给条件会对硅片质量造成不同的影响，通过改变砂浆喷嘴和钢线之间的角度，可以想成两种不同的砂浆供给方式，形成水平薄膜和未形成水平膜，在形成水平薄膜下携带砂浆量远大于未形成水平膜量

晶硅太阳能电池的表面钝化一直是设计和优化的重中之重。从早期的仅有背电场钝化，到正面氮化硅钝化，再到背面引入诸如氧化硅、氧化铝、氮化硅等介质层的钝化局部开孔接触的PERC/PERL设计。虽然这一结构
氮化硅(SiNx：H)薄膜用作电池正面的减反射膜。其中原因之一在于相对合适的折射率，但更重要的原因则在于氮化硅优良的的钝化效果。氮化硅除了可以饱和表面悬挂键，降低界面态外，还通过自身的正电荷，减少正面n

公司电容膜稳健前行,太阳能背材基膜搭乘光伏快车迅猛发展,光学基膜投产,夯实产业链基础,驱动公司快速成长,首次给予审慎推荐-A投资评级。积极进取的高性能膜龙头。公司早期主要从事薄膜电容器专用
电子薄膜的生产和销售,产品主要应用于家电、电气、通信、电力等多个领域。依靠在薄膜方面积累的技术积累及外延并购,业务延伸至太阳能背材膜、光学膜及基膜、锂离子电池隔膜等多种高端功能膜产业,实力雄厚,发展势头正劲

Advanced Material SpA，展出了多款优质特色产品。其中，中来股份作为氟碳背板领导者，展示了双面涂覆的四氟型背膜FFC-JW30以及TFB等氟碳背板;Filmcutter也首次向印度市场
、苏州创新先锋企业，太阳能电池背膜国家标准的主要起草单位。公司紧贴市场需求，围绕光伏组件制造及光伏电站建设，不断开发新产品、新技术，以优异的表现在众多企业中脱颖而出。目前，中来背板产品广泛应用于全球20

是硅材料的制备工艺日趋完善、硅材料的质量不断提高使得电池效率稳步上升，这一期间电池效率在15%。1972年到1985年是第二个发展阶段，背电场电池(BSF)技术、浅结结构、绒面技术、密栅金属化是这一
气体，非环境友好型生产方式。反应离子刻蚀技术(RIE)是最有发展前景的技术，它首先在硅片表面形成一层MASK(掩膜)再显影出表面织构模型，然后再利用反应离子刻蚀方法制备表面织构。用这种方法制备出的减反射