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沉积背面钝化叠层设备和激光开槽形成背接触的设备。 PERC产业化进程。1989年由澳洲新南威尔士大学的MartinGreen研究组首次正式报道了PERC电池结构，当时达到22.8%的实验室电池效率
线连接，一般会保留约2~3毫米的电池片间距。叠瓦组件将传统电池片切割成4-5片，将电池正反表面的边缘区域制成主栅，用专用导电胶使得前一电池片的前表面边缘和下一电池片的背表面边缘互联，省去了焊带焊接。在

、组件功率的推升促进了电池技术的发展。泰州中来光电科技有限公司高效电池研发部负责人吴伟梁说，N型双面钝化接触电池的产业化在加快。N型双面钝化接触电池转化效率从最初的20.8%提升至23%，并且表现出高稳定性
光伏电池生产线上，我国已基本实现装备的国产化替代。随着黑硅、PERC等高效电池的大规模量产，我国在黑硅清洗、背钝化、激光消融等装备技术上已经实现了国产化的突破。新建PERC电池生产线，基本采用国产设备

。这里建议一些不达标的公司可洒水。将一些粒子吸附到地面，避免与硅片接触。 7、扩散档片定期跟换。 8、建议将背钝化设备设计隔离间，方便维护，保护其他相邻道工序不受影响。 9、石墨舟清洗需要干净
扩散深度、减反膜相同，因而推断此异常是电池清洗过程残留杂质或背场钝化的问题。图1整个波段没有明显差异，只是中波段正常区域比黑斑区域量子效率略高，工艺过程不是问题，问题主要是整个生产过程杂质颗粒对电池

刻蚀去背结。再经过管式PECVD制作氮化硅减反射膜,PECVD过程中分别采用传统双层膜工艺和本文设计的三层膜工艺各做一组实验,采用Sentech的SE400测试监控氮化硅膜的折射率以及厚度。传统双层
氮化硅膜工艺:第一层膜(与硅表面接触的那一层)折射率为2.3左右,厚度为30nm,第二层膜折射率为2.0左右,厚度为55nm;本文设计的三层膜结构为第一层膜折射率为2.35以上,厚度为10nm,第二层

) 问题电池的来源 1. 硅材料自身的缺陷 2. 电池制造的原因 1) 去边不彻底、边缘短路 2) 去边过头，P型层向N型层中心延伸，边缘栅线引起局部短路 3) 烧结不良，正电极或背电极与硅片
接触不良，串联电阻增大 4) 烧结过度，即将使PN结烧透，短路以上几种有可能在分选测试时尚未暴露，而做成组件后在长期的使用过程中，逐渐变化而导致愈演愈烈 3. 同一档次的电池片性能不一致 1

意大利Silfab股份公司与康斯坦兹国际太阳能研究中心(ISC Konstanz)日前成功使用商业尺寸单晶硅片研制出效率达到21%的交错背接触(IBC)太阳能电池。双方自去年夏天起就开始共同开发
斑马交错背接触技术，据称这一技术有潜力将太阳能电池的效率提升至24%以上。斑马背接触电池使用156 156mm n型单晶硅片(Cz)，由于p-n结和电极连接均在电池背面，这一结构避免了传统

型双面太阳能电池和组件制造商(合作伙伴)中来股份开发的n-PERT(发射结钝化及背场全扩散) 太阳能电池正面转换效率已达到23.2%(经第三方认证)。通过经济高效的工艺和清晰的提效路线，使
更低的度电成本。我们携手imec来共同实现这一目标，因为他们拥有独特的专业知识和世界一流的研究基础设施。同时我们也在开发钝化接触技术的双面n-PERT电池上积累了大量的实战经验，目前已经实现了

导读：弗劳恩霍夫太阳能系统研究所(Fraunhofer ISE)日前在背接触太阳能电池的生产工艺中使用了Rasirc公司的蒸汽发生器，电池的效率一举突破20.2%。弗劳恩霍夫已先后在金属卷绕
太阳能电池(MWT)及发射极和背面钝化太阳能电池(PERC)的制作工艺中采用了该公司的高纯度水蒸汽发生系统。弗劳恩霍夫太阳能系统研究所(Fraunhofer ISE)日前在背接触太阳能电池的生产工艺

。降低光学损失的有效措施包括前表面低折射率的减反射膜、前表面绒面结构、背部高反射等陷光结构及技术，而前表面无金属电极遮挡的全背接触技术则可以最大限度地提高入射光的利用率。减少电学损失则需要从提高硅片质量
转换效率超过25%的单晶硅太阳电池主要包括以下六种。 2.1 钝化发射极背场点接触(PERC)电池家族新南威尔士大学(UNSW)Martin Green领导的小组提出PERC结构的单晶硅太阳电池，在P型

。太阳光首先穿过保护层(通常为玻璃)，然后通过透明接触层进入到电池内部。在组件的中心是吸附材料，这一层材料吸收光子，进而完成光生电流。而其中的半导体材料取决于具体的光伏系统需求。在吸附层材料下面是完成
电路导通的背金属层。复合薄膜层在背金属层下面，其作用是使光伏组件防水绝热。通常光伏组件背部会添加额外的保护层，保护层材料为玻璃、铝合金或塑料。半导体材料光伏发电系统中的半导体材料可以是硅、多晶