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。太阳能电池制造大部分工序使用的制造装置都实现了中国境内采购（注8）。但全自动丝网印刷机和平板式PECVD装置仍依赖进口。　　除太阳能电池的制造设备外，上游的多晶硅铸锭炉和下游的检测器也能在国内采购到
。在9月的常州展会上，最受关注的是浙江精工科技（注9）展出的多晶硅铸锭炉“JJL500”（注10）。这是全球首台能够制造500Kg多晶铸锭的设备。目前已经接受了多家客户的预定，供货将于2008年12月

太阳能电池生产设备方面取得重大技术突破，靠自主知识产权，使国产多晶硅片铸锭炉等设备与国外进口设备达到一争高低的水平。　　这一重大成果，不仅打破国外的技术壁垒，为发展我国的太阳能产业提供了巨大
支撑，也为山西省从地下到天上实现能源开采大转换，开辟出一条金光大道！　　国际水平炼丹炉这样铸就发展太阳能产业，核心技术在于太阳能电池生产的多晶硅片制造，关键设备则是被业内人士形象地称为炼丹炉的多晶硅片

比利时纳米科技研究中心IMEC于2008年7月美国旧金山举办的“Semicon West 2008”展览中，发表太阳电池用厚度50μm的结晶硅晶圆制造方法。其中最大的特点在于，切割硅碇的技术
的不同，是利用硅与金属间的热膨胀差异来剥取硅箔，有别于以往用钢丝锯（线锯的一种）的方法，因此不会有因切割而造成的不必要的浪费。IMEC表示，这种技术可大大降低结晶硅太阳电池的制造成

”上首次发布该技术。 IMEC介绍了此次的硅晶圆制造方法。首先，在较厚的结晶硅晶圆上用丝网印刷机印制金属薄膜。然后，将其放到带式输送机上入炉，在高温下退火（烧结）。随着该晶圆的温度下降
比利时研究机构IMEC宣布，开发出了太阳能电池用50μm厚结晶硅晶圆的制造方法。其最大的特点在于，不同于以往用钢丝锯（线锯的一种）切割硅碇的技术，而是利用硅与金属间的热膨胀差异来剥取硅箔，因此

”上首次发布该技术。　　IMEC介绍了此次的硅晶圆制造方法。首先，在较厚的结晶硅晶圆上用丝网印刷机印制金属薄膜。然后，将其放到带式输送机上入炉，在高温下退火（烧结）。随着该晶圆的温度下降，金属层与硅层的
　　比利时研究机构IMEC宣布，开发出了太阳能电池用50μm厚结晶硅晶圆的制造方法。其最大的特点在于，不同于以往用钢丝锯（线锯的一种）切割硅碇的技术，而是利用硅与金属间的热膨胀差异来剥取硅箔，因此

的西门子法。可一旦冶金级硅有突破性的发展，它对整个太阳能市场的影响恐怕将是前所未有的，这主要因为它的产出成本与现有传统西门子法或流体床反应炉法相差甚大。成本低廉的冶金级硅若快速
，使传统西门子法或流体床反应炉制程产出的多晶硅原料，快速被挤往高转换效率电池所需的原料，而低成本且约15%转换效率的太阳能电池将由冶金级硅来取代，传统多晶硅原料因被应用范围不及原本预估的广，供过于求的

一旦冶金级硅有突破的发展，它对整个市场的影响恐怕是前所未有的，尤其它的产出成本与现有传统西门子法或流体床反应炉法相差甚大，由于攸关成本问题，对整个产业供应链的冲击也可想而知。成本低廉的冶金级硅若
便宜的冶金级料源，若技术不足也只好乖乖购买昂贵的多晶硅料源，但彼此间的成本竞争力也可想而知，电池端产业的淘汰赛也将跟着展开。要冶金级硅料源达水平太阳能电池厂技术是关键若依目前结晶

~40美元，以及采用流体床反应炉法每公斤成本约20~30美元，明显具有杀伤力。硅晶圆加工厂指出，冶金级硅若能独当一面，对于严重缺料导致料源成本居高不下的太阳光电业将有重大意义，然因国外客户端极为保密
薄膜太阳能电池，2008年下半年将步入量产的诸多薄膜太阳能电池厂，产品转换效率约5~6%，设备资本支出又是传统结晶硅太阳能电池3~4倍，一旦冶金级硅在近几年兴起，薄膜转换效率若不快速精进，恐将被冶金级硅

，以及采用流体床反应炉法每公斤成本约20~30美元，明显具有杀伤力。硅晶圆加工厂指出，冶金级硅若能独当一面，对于严重缺料导致料源成本居高不下的太阳光电业将有重大意义，然因国外客户端极为保密，还无法得知料源
电池，2008年下半年将步入量产的诸多薄膜太阳能电池厂，产品转换效率约5~6%，设备资本支出又是传统结晶硅太阳能电池3~4倍，一旦冶金级硅在近几年兴起，薄膜转换效率若不快速精进，恐将被冶金级硅分食市场

美元，比起采用传统西门子法每公斤成本30~40美元，以及采用流体床反应炉法每公斤成本约20~30美元，明显具有杀伤力。硅晶圆加工厂指出，冶金级硅若能独当一面，对于严重缺料导致料源成本居高不下的太阳光电
换效率达15%，亦严重威胁正要发展的薄膜太阳能电池，2008年下半将步入量产的诸多薄膜太阳能电池厂，产品转换效率约5~6%，设备资本支出又是传统结晶硅太阳能电池3~4倍，一旦冶金级硅在近几年兴起，薄膜

精工科技（002006）半年度报告披露，公司最近已经研制成功高新技术产品――太阳能多晶硅结晶炉。记者随后从公司采访获悉，该项目属于浙江省十一五重大科技攻关项目，精工科技的科技人员经过两年多艰苦努力
依赖于西方发达国家，如日本、德国、西班牙、意大利、美国等政府对这一产业的鼓励政策；三是设备在外，我国生产硅晶片的设备如结晶炉、切片机都是进口的。　　据悉，国内有多家研究机构包括清华大学在内都在

主要设备：CZ生长炉　　CZ法生长炉的组成元件可分成四部分　　（1）炉体：包括石英坩埚，石墨坩埚，加热及绝热元件，炉壁　　（2）晶棒及坩埚拉升旋转机构：包括籽晶夹头，吊线及拉升旋转元件
）加料：将多晶硅原料及杂质放入石英坩埚内，杂质的种类依电阻的N或P型而定。杂质种类有硼，磷，锑，砷。　　（2）熔化：加完多晶硅原料于石英埚内后，长晶炉必须关闭并抽成真空后充入高纯氩气使之维持一定

，使薄膜的厚度可以很薄，而且薄膜的少数载流子扩散长度也是很容易超过1／，甚至对结晶程度很差或者多子浓度很高的材料，其扩散长度也容易超过V0、Cu1nSe2的光学性质主要取决于材料的元素组份比、各组份的
均匀性、结晶程度、晶格结构及晶界的影响。大量实验表明，材料的元素组份与化学计量比偏离越小，结晶程度好，元素组分均匀性好，温度越低其光学吸收特性越好。具有单一黄铜矿结构的Cu1nSe2薄膜，其吸收特性比

包履石墨为衬底，用快速热化学气相沉积（RTCVD）技术沉积多晶硅薄膜，硅膜经过区熔再结晶（ZMR）后制备太阳电池，两种衬底的电池效率分别达到9．3％和11％。北京市太阳能研究所自1996年开始
的纯度大部分仍在6N到7N，价格依其品位约在10一20美元／kg。目前半导体工业用的投炉多晶硅料是采用三氯氢硅精馏法（西门子法）生产的，采用改进的西门子法并扩大规模进行生产是未来降低成本的有效措施之一