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图2所示的是不同LCO宽度的d1关系图，其中y轴是深灰色区域（硅在铝中的区间限制d2）的光学测量，对应着烧结的峰值温度，LCO是500m时，标绘的误差线表示了在光学显微镜分析中的较小偏差。
抛光的Czochralski P型硅片，电阻率为1.50.5cm，覆盖着用加强等离子体化学蒸汽沉积的介质绝缘层。

在HJT太阳能电池的制造过程中，等离子增强化学气相沉积设备（PECVD）沉积多层非晶硅层以钝化硅片的表面，这在元器件的性能表现方面起到至关重要的作用。
2 HJT太阳能电池的核心制造设备 2.1 等离子增强化学气相沉积在生产制造HJT太阳能电池的过程中，PECVD扮演着最重要的角色。

一般情况下，使用这种等离子增强型化学气相沉积的方法沉积的薄膜厚度在70nm左右。这样厚度的薄膜具有光学的功能性。
通常采用等离子刻蚀技术完成这一工艺。等离子刻蚀是在低压状态下，反应气体CF4的母体分子在射频功率的激发下，产生电离并形成等离子体。

同时，目前包括低温等离子体改性技术、辐照改性技术、真空等离子体化学接枝技术在内的材料表面改性技术已较为成熟。
而苏州中来公司通过自主研发，在聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）表面和四氟涂层（FFC）表面分别采取全球首创的等离子体硅钛化处理技术和等离子体氟硅氧烷化处理技术，显著增加了PET和FFC的表面能和活性化学基团数量

利用光学元件将太阳光汇聚后再进行利用发电的聚光太阳能技术，被认为是太阳能发电未来发展趋势的第三代技术。
GaAs化合物材料具有十分理想的光学带隙以及较高的吸收效率，抗辐照能力强，对热不敏感，适合于制造高效单结电池。但是GaAs材料的价格不菲，因而在很大程度上限制了GaAs电池的普及。

例如，在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面，远不如单晶硅明显;在电学性质方面，多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著，甚至于几乎没有导电性。在化学活性方面，两者的差异极小。
例如，在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面，远不如单晶硅明显;在电学性质方面，多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著，甚至于几乎没有导电性。在化学活性方面，两者的差异极小。

为提高太阳能电池生产能力做出贡献新开发了可以生成高密度等离子的中空阴极等离子源，通过提高原料特气的分解效率，实现了采用直接等离子方式的业内最高成膜速度（100 nm/min以上）。
为此，岛津通过采用新开发的中空阴极等离子源和直接等离子法，成功开发出具备高产能、低运行成本，且具有更高PID耐性的减反射膜成膜装置（CVD）MCXS。

非晶硅作为太阳能材料尽管是一种很好的电池材料，但由于其光学带隙为1.7eV，使得材料本身对太阳辐射光谱的长波区域不敏感，这样一来就限制了非晶硅太阳能电池的转换效率。
目前制备多晶硅薄膜电池多采用化学气相沉积法，包括低压化学气相沉积（LPCVD）和等离子增强化学气相沉积（PECVD）工艺。此外，液相外延法（LPPE）和溅射沉积法也可用来制备多晶硅薄膜电池。

该研究成果将刊登在近期《光学快报》网络版上。
研究团队的金属三明治新结构次波长等离子腔可同时解决这两个问题，其具有抑制反射和捕获光线的非凡能力。新电池的顶层(即窗口层)使用极精细金属网，金属厚度为30纳米，网孔直径为175纳米，间隔为25纳米。

伯克利分校的团队将于今年5月6日至5月11日在加利福尼亚州圣何塞市举行的激光和电光学会议上展示其发现成果。
贾宝华称，这种宽波段等离子效应是该研究团队一年来的重要发现之一，新技术将对太阳能工业产生重大影响。顾敏为他们能在这么短时间内获得整体8.1%的光电转化效率深感兴奋，而且这种电池的转化效率仍有改进空间。

吸收的增强可能与Ag纳米结构的等离子体增强光散射有关。入射光以a-Si:H光活性层的陷波波导模式被共振散射，通过衬底上Ag纳米点与表面等离子体的相互作用，显著增加了光在a-Si:H层中的光学路径。
非晶硅薄膜主要由气相沉积法制备，目前，普遍采用的是等离子增强化学气相沉积法(PECVD)。