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综合

缺陷（如空位、填隙原子、替位原子），此外还与非本征掺杂和晶界有关。 2.3.1 导电类型对材料的元素组份比接近化学计量比的情况，按照缺陷导电理论，一般有如下的结果：当Se不足时，Se
空位呈现施主；当Se过量时，呈现受主；当Cu不足时，Cu空位呈现受主；当Cu过量时，呈现施主。当In不足时，In空位呈现受主。当In过量时，呈现施主。在薄膜的成份偏离化学计量比较大的情况下