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太阳电池技术，并持续取得重大的技术突破。实验室铜铟镓硒(CIGS)光电转换效率达20.4%，碲化镉(CdTe)薄膜电池效率也已达到19.6%，都已经接近或达到多晶硅电池的水平(20.4%)。而且这两种
碲化镉薄膜组件的光伏企业，龙焱公司深表支持，并在认真学习和研究的基础上，认为《条件》对薄膜光伏企业的一些要求和规定，可能会影响薄膜光伏行业的健康发展。对此，龙焱公司提出以下几点看法和建议：一

持续取得重大的技术突破。实验室铜铟镓硒(CIGS)光电转换效率达20.4%，碲化镉(CdTe)薄膜电池效率也已达到19.6%，都已经接近或达到多晶硅电池的水平(20.4%)。而且这两种薄膜电池全面
家能规模生产碲化镉薄膜组件的光伏企业，龙焱公司深表支持，并在认真学习和研究的基础上，认为《条件》对薄膜光伏企业的一些要求和规定，可能会影响薄膜光伏行业的健康发展。对此，龙焱公司提出以下几点看法和建议

技术，并持续取得重大的技术突破。实验室铜铟镓硒（CIGS）光电转换效率达20.4%，碲化镉（CdTe）薄膜电池效率也已达到19.6%，都已经接近或达到多晶硅电池的水平（20.4%）。而且这两种薄膜电池
家能规模生产碲化镉薄膜组件的光伏企业，龙焱公司深表支持，并在认真学习和研究的基础上，认为《条件》对薄膜光伏企业的一些要求和规定，可能会影响薄膜光伏行业的健康发展。对此，龙焱公司提出以下几点看法和建议

%； 4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于 14.5%和 15.5%； 5.硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于
单晶硅电池的光电转换效率分别不低于18%和 20%； 4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件光电转换效率分别不低于 16.5%和 17.5%； 5.硅基、CIGS、CdTe 及其他薄膜电池

单晶硅电池的光电转换效率分别不低于 16%和 17%; 4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于 14.5%和 15.5%; 5.硅基、铜铟镓硒( CIGS) 、碲化镉
(CdTe)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于 8%、10%、11%、10%。 (五)新建和改扩建企业及项目产品应满足以下要求: 1.多晶硅满足《硅多晶》 (GB/T12963)2级品以上要求

%和15.5%；5.硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、10%、11%、10%。（五）新建和改扩建企业及项目产品应满足以下要求：1.多晶硅满足
、CIGS、CdTe 及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于12%、12%、13%、12%。（六）多晶硅电池组件和单晶硅电池组件衰减率在2 年内分别不高于3.2%和4.2%，25 年内不高于20

硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于 8%、10%、11%、10%。（五）新建和改扩建企业及项目产品应满足以下要求： 1.多晶硅满足《硅多晶
别不低于 16.5%和 17.5%； 5.硅基、CIGS、CdTe 及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于 12%、12%、13%、12%。4 （六）多晶硅电池组件和单晶硅电池组件衰减率

多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于16%和17%；4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于14.5%和15.5%；5.硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其
效率分别不低于18%和20%；4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件光电转换效率分别不低于16.5%和17.5%；5.硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于12%、12%、13

;3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于16%和17%;4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于14.5%和15.5%;5.硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe
光电转换效率分别不低于18%和20%;4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件光电转换效率分别不低于16.5%和17.5%;5.硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于12%、12

的光电转换效率分别不低于16%和17%；多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于14.5%和15.5%；硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别
16.5%和17.5%；硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于12%、12%、13%、12%。多晶硅电池组件和单晶硅电池组件衰减率在2年内分别不高于3.2%和4.2%，25年内

；3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于16%和17%；4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于14.5%和15.5%；5.硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe
光电转换效率分别不低于18%和20%；4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件光电转换效率分别不低于16.5%和17.5%；5.硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于12%、12

，多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于16%和17%；硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、10%、11%、10%。对新建和改扩建企业及项目
，多晶硅电池组件和单晶硅电池组件光电转换效率分别不低于16.5%和17.5%；硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于12%、12%、13%、12%。此外，《条件》还对项目资源

多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于14.5%和15.5%； 5.硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、10%、11%、10
硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于12%、12%、13%、12%。对于新建设的电池产线，18%和20%的多单晶的要求很正常，截止到2013年8月份市场上的主流多晶

%； 4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于14.5%和15.5%； 5.硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8
不低于18%和20%； 4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件光电转换效率分别不低于16.5%和17.5%； 5.硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于12%、12

和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于16%和17%；4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于14.5%和15.5%；5.硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池
不低于18%和20%；4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件光电转换效率分别不低于16.5%和17.5%；5.硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于12%、12%、13%、12

为什么还有人在坚持薄膜电池的研发。除空间应用的化合物薄膜电池（如GaAs等）之外，最近几年用于地面应用的薄膜电池技术有四种：多晶硅薄膜、非晶硅薄膜、铜铟镓硒（CIGS）多晶薄膜和碲化镉（CdTe）多晶
两个前提：能量的来源必须是无限的；获取这种能量的手段必须是无限的。不知道我们能否在这一个基础上聊聊碲化镉薄膜产业产业的未来。吴选之：我几乎读了你所有的文章，我知道你不懂薄膜技术，但我知道你是一个热爱光伏

薄膜、非晶硅薄膜、铜铟镓硒（CIGS）多晶薄膜和碲化镉（CdTe）多晶薄膜。多晶硅薄膜电池（施正荣做的那种电池），这个电池本身逻辑上有矛盾:多晶硅薄膜的吸收系数低，仅仅是其他薄膜的1/100
替代能源，必须具备两个前提：能量的来源必须是无限的；获取这种能量的手段必须是无限的。不知道我们能否在这一个基础上聊聊碲化镉薄膜产业产业的未来。吴选之：我几乎读了你所有的文章，我知道你不懂薄膜技术