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多晶硅技术是一种异质形核。虽然两者都可以获得高品质的小晶粒高效多晶硅锭，但是由于形核机理不同，两种技术生长的晶体硅存在一定的差异。本文通过EBSD晶向检测，PL缺陷检测等手段对比晶向分布、晶界比例、电池效率
底部红区高度仅仅为45mm左右，因此无籽晶高效多晶硅技术硅锭具有一定的良率优势。通过两硅锭相同位置硅块底部到顶部顺序片的PL检测数据对比可以看出，有籽晶高效多晶硅锭的晶体品质较高，综合评分

口价格上涨说明供不应求，但目前现状是国内供应和进口大幅增长，那么为什么价格还会上涨?记者了解到，这主要是因为大量的进口多晶硅简单加工成硅锭及硅片后即出口，国内电池组件企业没有用到这部分原料。根据2015年
的统计数据，中国多晶硅年产量达17万吨，足够供应36吉瓦电池用料，而同期晶体硅电池产量为40吉瓦，国内多晶硅料自给率已经达到90%，但同期进口多晶硅仍然达到破纪录的11.6万吨，其中只有不到2万吨用于

组件企业所用。国内多晶硅供应充足进口多晶硅多数经简单加工后复出口价格上涨说明供不应求，但目前现状是国内供应和进口大幅增长，那么为什么价格还会上涨?记者了解到，这主要是因为大量的进口多晶硅简单加工成硅锭及
硅片后即出口，国内电池组件企业没有用到这部分原料。根据2015年的统计数据，中国多晶硅年产量达17万吨，足够供应36吉瓦电池用料，而同期晶体硅电池产量为40吉瓦，国内多晶硅料自给率已经达到90%，但同期

索比光伏网讯:晶体生长设备供应商GT Advanced Technologies(GTAT)凭借推出一个新产品，将重新进入铸锭炉市场进行多晶硅锭生产。GTAT最近退出第十一章破产，尽管2012年时是
上海举办的SNEC上推出其新的DSS 20M。中国仍是多晶硅锭/硅片生产的最大市场，2012年看到的产能过剩最近才恢复到供应紧张。GT Advanced Technologies首席执行官戴夫凯克

晶体硅电池产量为40吉瓦，国内多晶硅料自给率已经达到90%，但同期进口多晶硅仍然达到破纪录的11.6万吨，其中只有不到2万吨用于补充国内电池生产的用料缺口，其余9.6万吨都是加工成硅锭和硅料，利用
上涨? 记者了解到，这主要是因为大量的进口多晶硅简单加工成硅锭及硅片后即出口，国内电池组件企业没有用到这部分原料。根据2015年的统计数据，中国多晶硅年产量达17万吨，足够供应36吉瓦电池用料，而同期

2016年5月9日，GT先进科技公司宣布，将会在本月底上海召开的SNEC展会上正式发布其最新一代多晶铸锭炉产品DSSTM20M。一台DSSTM20M每年能够生产大于20MW的高效硅锭。这是GT公司
伏市场提供最新一代多晶硅锭生产设备,GT 先进科技公司的首席执行官Dave Keck表示。生产厂商必须以最高水平的生产力和效率运营工厂才能保持盈利。GT长期服务于多晶铸锭炉市场，我们最新的铸锭炉

组件企业所用。国内多晶硅供应充足进口多晶硅多数经简单加工后复出口价格上涨说明供不应求，但目前现状是国内供应和进口大幅增长，那么为什么价格还会上涨?记者了解到，这主要是因为大量的进口多晶硅简单加工成硅锭及硅片后
即出口，国内电池组件企业没有用到这部分原料。根据2015年的统计数据，中国多晶硅年产量达17万吨，足够供应36吉瓦电池用料，而同期晶体硅电池产量为40吉瓦，国内多晶硅料自给率已经达到90%，但同期进口

电池(通常是36个)并联或串联起来使用，形成太阳能光电板。 2.硅太阳能电池的生产流程通常的晶体硅太阳能电池是在厚度350～450m的高质量硅片上制成的，这种硅片从提拉或浇铸的硅锭上锯割而成
光电效应，一般的半导体主要结构如下：图中，正电荷表示硅原子，负电荷表示围绕在硅原子旁边的四个电子。当硅晶体中掺入其他的杂质(如硼、磷等)，掺入硼时，硅晶体中就会存在着一个空穴，它的

，但对于光学损失的差异，针对单晶没有更好的解决方法。随着光伏产业的快速发展，使晶体硅太阳电池及其组件成为研究的热点，以实现太阳电池组件效益的最大化。电池封装为组件不仅可以使电池的电压
、电流和输出功率得到保证，而且还可以保护电池不受环境损害和机械损伤。晶体硅太阳电池经过封装为组件后，组件的功率(实际功率)与所有电池片的功率之和(理论功率)的差值，称为组件封装功率损失，其计算公式为

氧复合损失可以想办法改善，但对于光学损失的差异，针对单晶没有更好的解决方法。随着光伏产业的快速发展，使晶体硅太阳电池及其组件成为研究的热点，以实现太阳电池组件效益的最大化。电池封装为组件不仅可以使电池
的电压、电流和输出功率得到保证，而且还可以保护电池不受环境损害和机械损伤。晶体硅太阳电池经过封装为组件后，组件的功率（实际功率）与所有电池片的功率之和（理论功率）的差值，称为组件封装功率损失，其

可以想办法改善，但对于光学损失的差异，针对单晶没有更好的解决方法。随着光伏产业的快速发展，使晶体硅太阳电池及其组件成为研究的热点，以实现太阳电池组件效益的最大化。电池封装为组件不仅可以使电池的电压、电流
和输出功率得到保证，而且还可以保护电池不受环境损害和机械损伤。晶体硅太阳电池经过封装为组件后，组件的功率(实际功率)与所有电池片的功率之和(理论功率)的差值，称为组件封装功率损失，其计算公式为

测试结果对比，如下图。 2电池生产过程中的污染生产制造过程中会产生一定的废气、废水或固体废物，统称三废，晶体硅光伏制造过程也不例外。下图展示了晶体硅光伏制造过程中产生三废种类
位置，不同类型的光伏系统的能量回收期约为0.5~1.4年。根据中国可再生能源学会光伏专委会最新一项关于晶体硅光伏系统能量回收期的测算结果：我国单晶硅光伏系统能量回收期约为1.34年，多晶硅