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。四. 太阳能电池组件的选择电池组件分为单晶硅电池组件、多晶硅电池组件和非晶电池组件。单晶的发电效率最高，在同样面积下可以发出更多的电，对于可安装面积比较小选择单晶的是最合适的，但是单价会高些
。多晶硅的效率次之，对安装面积比较富裕的选择多晶硅比较合算，价格相对较低。非晶硅的效率最低一般不建议使用。(小知识：单晶电池片一般是圆角的，多晶电池片一般是方角的) 电池组件的五大参数就是峰值功率、开路

索比光伏网讯:1.晶体硅电池效率损失机制太阳能电池转换效率受到光吸收利用、载流子输运、载流子收集的限制。对于晶体硅电池而言，其转换效率的理论最高值是28%。影响晶体硅电池转换效率的原因主要
来自两个方面，如图1所示：（1）光学损失，包括电池前表面反射损失、正面电极的遮光损失以及长波段的非吸收透射损失。（2）电学损失，包括硅片表面及体内的光生载流子复合、硅片体电阻、扩散层横向电阻和金属电极电阻，以及

，组件的输出功率越小。温度对硅太阳能电池的影响，主要反映在太阳能电池的开路电压、短路电流、峰值功率等参数随温度的变化而变化。在炎热的夏天时，太阳能电池组件背表面温度可达到70℃，而此时的太阳能电池
工作结温可以达到100℃(额定参数标定均在25℃条件下)。硅太阳能电池工作在高温环境下，开路电压随温度的升高而大幅下降，同时导致充电工作点的严重偏移，易使系统充电不足而损坏;硅太阳能电池的输出功率随

越小。温度对硅太阳能电池的影响，主要反映在太阳能电池的开路电压、短路电流、峰值功率等参数随温度的变化而变化。在炎热的夏天时，太阳能电池组件背表面温度可达到70℃，而此时的太阳能电池工作结温可以达到
100℃(额定参数标定均在25℃条件下)。硅太阳能电池工作在高温环境下，开路电压随温度的升高而大幅下降，同时导致充电工作点的严重偏移，易使系统充电不足而损坏;硅太阳能电池的输出功率随温度的升高也大幅下降

，环境温度越低，组件的输出功率越大;环境温度越高，组件的输出功率越小。温度对硅太阳能电池的影响，主要反映在太阳能电池的开路电压、短路电流、峰值功率等参数随温度的变化而变化。在炎热的夏天时，太阳能电池
组件背表面温度可达到70℃，而此时的太阳能电池工作结温可以达到100℃(额定参数标定均在25℃条件下)。硅太阳能电池工作在高温环境下，开路电压随温度的升高而大幅下降，同时导致充电工作点的严重偏移，易使

越小。温度对硅太阳能电池的影响，主要反映在太阳能电池的开路电压、短路电流、峰值功率等参数随温度的变化而变化。在炎热的夏天时，太阳能电池组件背表面温度可达到70℃，而此时的太阳能电池工作结温可以达到100
℃（额定参数标定均在25℃条件下）。硅太阳能电池工作在高温环境下，开路电压随温度的升高而大幅下降，同时导致充电工作点的严重偏移，易使系统充电不足而损坏；硅太阳能电池的输出功率随温度的升高也大幅下降

锂电池负极材料生产前三强；投资10亿元，开工建设3000吨硅烷气项目二期工程，打造国内最大硅烷气生产基地；与乐叶光伏科技有限公司在平顶山市宝丰县设立注册资本 6 亿元的合资公司，建设年产 2GW 高效单晶硅电池项目，并将于2016 年四季度投产，打造国内一流光伏产业园。

的收入占比高达66.06%。此外，公司在重组后借助控股股东中国平煤神马集团的平台新建1万吨负极材料生产项目并入股新能源公司，从而大举挺进锂电池储能行业。但值得注意的是，受技术更新的冲击，国内光伏晶硅
2016年一季度业绩预告。公告显示，1-3月，公司预计盈利50万元至500万元，净利润最大增幅可达1608.82%。作为一家专门从事太阳能晶硅片、半导体线切割刃料研发、生产、销售的企业，公司是太阳能光伏

。Bauer等人发现，在使用特定EVA和氮化硅抗反射涂层(ARC)时，受到PID影响的组件通常会出现钠离子从前表面向太阳能电池的迁移。对此的一个解释是，在迁移过程中，带电离子在电池表面聚集，产生电场，并且由于抗
反射涂层的存在，所产生的电场抵消了钝化工艺，从而增加了表面重组、降低了功率输出。离子还可能扩散至硅层，造成发射区域反型，导致电池分流，如图一所示。同样地，在一些薄膜组件中，PID被与金属离子在边框和

隐裂。光伏组件在出厂前会进行 EL 成像检测，所使用的仪器为 EL 检测仪。该仪器利用晶体硅的电致发光原理，利用高分辨率的 CCD 相机拍摄组件的近红外图像，获取并判定组件的缺陷。EL 检测仪能够检测
安装过程中，需对下述注意事项格外关注： 1）同尺寸、同规格型号的光伏组件才可以串联在一起； 2）严禁在下雨、下雪或大风的天气条件下安装光伏组件； 3）严禁将同一片光伏组件连接线的正、负极

厂前会进行 EL 成像检测，所使用的仪器为 EL 检测仪。该仪器利用晶体硅的电致发光原理，利用高分辨率的 CCD 相机拍摄组件的近红外图像，获取并判定组件的缺陷。EL 检测仪能够检测太阳能电池组件有无
在下雨、下雪或大风的天气条件下安装光伏组件；3）严禁将同一片光伏组件连接线的正、负极快速插头对接；4）光伏组件背板（EVA）出现破损后将禁止使用；5）严禁踩踏电池板，以免造成组件损坏或人身伤害；6）严禁

仪器为EL检测仪。该仪器利用晶体硅的电致发光原理，利用高分辨率的CCD相机拍摄组件的近红外图像，获取并判定组件的缺陷。EL检测仪能够检测太阳能电池组件有无隐裂、碎片、虚焊、断栅及不同转换效率单片电池
一片光伏组件连接线的正、负极快速插头对接；4）光伏组件背板（EVA）出现破损后将禁止使用；5）严禁踩踏电池板，以免造成组件损坏或人身伤害；6）严禁挤压或用尖锐物体敲打、碰撞、刮划光伏组件钢化玻璃；7

正负极时，使电池片上会形成一个电流回路，当有区域漏电时，该区域的电流就会特别大，产生的热量就会比较多，红外成像仪可以根据硅片表面产生的不同热量转换为电信号，进而在显示器上形成热图像，可以对发热的异常区域
本文描述了晶体硅太阳能电池片局部漏电现象，分析了晶体硅硅片及电池生产过程中可能产生的漏电原因及预防措施。电池生产过程中刻蚀不完全或未刻蚀、点状烧穿和印刷擦片或漏浆等情况会产生漏电，严重影响电池片的

刻蚀或刻蚀不完全没有及时发现，并且下传印刷，将产生局部漏电的电池片，我们可以通过IR红外热成像仪，判断局部漏电硅片是否刻蚀原因产生的。 IR红外热成像仪的工作原理是在连接电池片的正负极时，使电池片上会
本文描述了晶体硅太阳能电池片局部漏电现象，分析了晶体硅硅片及电池生产过程中可能产生的漏电原因及预防措施。电池生产过程中刻蚀不完全或未刻蚀、点状烧穿和印刷擦片或漏浆等情况会产生漏电，严重影响电池片的

、多晶硅产业链最上游是太阳能晶硅制造，这个环节技术门槛高，具有一定垄断性。我国多晶硅产业基本上是2005年以来在我国光伏产业发展的推动下才逐步发展起来的，一路经过产能过剩、淘汰兼并，行业集中度不断提升

运输、倒运过程中剧烈的抖动都有可能造成电池片的隐裂。光伏组件在出厂前会进行EL成像检测，所使用的仪器为EL检测仪。该仪器利用晶体硅的电致发光原理，利用高分辨率的CCD相机拍摄组件的近红外图像，获取并判定
连接线的正、负极快速插头对接；4）光伏组件背板（EVA）出现破损后将禁止使用；5）严禁踩踏电池板，以免造成组件损坏或人身伤害；6）严禁挤压或用尖锐物体敲打、碰撞、刮划光伏组件钢化玻璃；7）施工现场已开箱