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1985年问世，1986年V型槽技术又被应用到该电池上，效率突破20％。V型槽对电他的贡献是：减少电池表面反射；垂直光线在V型槽表面折射后以41”角进入硅片，使光生载流子更接近发射结，提高了收集效率，对低
％的填充因子和20．8％（AM1．5）的效率。（B）钝化发射区和背表面电池（PERC）：铝背面吸杂是PEsC电池的一个关键技术。然而由于背表面的高复合和低反射，它成了限制PESC电池技术

：#l.G9y8TcmI0il 到2020年全球光伏发电量将占总发电量的1.1%。到2040年占21-26%，而在2050年以后，光伏发电量将达到50%以上。8_@(]7Yr:r6b
太阳电池。}/I$Y2] nY}wj0Tl 目前市场上的主流电池仍然是晶体硅太阳电池，2005年市场份额占95%。其中多晶硅电池52.3%、单晶硅电池38.3%、带硅/片硅电池