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缩放半个器件节点。应用材料公司硅系统事业部晶体管与金属化产品副总裁Steve Ghanayem表示，除了传统的PMOS 外延以外，通过实施NMOS外延工艺，我们能帮助晶圆代工客户进一步增强用于下一代器件
选择性沉积。应用材料公司市场领先的专有外延技术能够实现高质量应变膜在沉积时进行精准的原子掺杂。严格的制造工艺控制带来优秀的膜性能、均匀性和极低缺陷率。这些特性解决了诸多性能问题，包括关键电荷层的电阻率

石墨烯-硅化物。相关研究发表在英国自然集团旗下的《科学报告》杂志上。石墨烯是从石墨材料中剥离出来、由碳原子组成的二维晶体，只有一层碳原子的厚度，是迄今最薄也最坚硬的材料，其导电、导热性能超强，远远
斯和尼克雷-沃比提斯基表示：单原子厚度的石墨烯层以及由其制成的混合材料使我们能借用ARPES研究很多新奇的电子现象。借用ARPES，科学家们发现，这种石墨烯覆盖的硅化物不会被氧化，所以，其可以用于很多

。实验表明，增加一种半导体可以将太阳能电池板的光电转化率从目前的25%提高到40%，再增加另一种半导体就可以使转化率提高到50%。在输出总量不变的情况下，就可以减少安装至少一半的太阳能电池板。目前，这种半导体物质相结合的方法面临的主要挑战是晶体硅中硅原子的排列结构。（来源：MIT《技术评论》，内容有删减）

。增加一种半导体有望将太阳能电池板的光电转化效率从目前的20%到25%提升至40%左右。再增加另外一种半导体有望使效率高达50%，这就可以少安装至少一半的太阳能电池板。当然，这一方法面临的主要挑战是让这些半导体能很好地联姻，这一挑战主要由晶体硅中的硅原子的排列所制造。

。更重要的是，跟晶硅完全不一样，铜铟镓硒是一种独特的技术。它是将严格配比后的铜、铟、镓、硒四种元素合成半导体，依靠原子配比的缺陷来生成P型或N型半导体材料。它对生产工艺的要求非常高。以铜铟镓硒电池为
光伏业还处于非常初级的阶段，甚至到了90年代末，整个中国大陆的光伏产能才4兆瓦(MW)左右。当时晶体硅电池是给无人值守的通讯站、信号灯以及油田输油管的阴极保护装置提供电源，而非晶硅薄膜电池则是给牧区的人

大学光伏与可再生能源工程系教授Stuart Wenham表示：该工艺可令较低级质量的硅材料性能优于由优质材料制作而成的太阳能电池。预计太阳能电池的效率介于21%-23%之间研究人员已研发出一种机制控制氢原子
，令其能够更佳的纠正硅材料（至今为止，制造太阳能电池最为昂贵的部件）的缺陷。Wenham补充道，目前，标准商业硅电池最高转换效率约为19%，预计该新科技可将效率提升至21%-23%。氢原子通常

工程系教授Stuart Wenham表示：该工艺可令较低级质量的硅材料性能优于由优质材料制作而成的太阳能电池。预计太阳能电池的效率介于21%-23%之间研究人员已研发出一种机制控制氢原子，令其能够更佳的
纠正硅材料(至今为止，制造太阳能电池最为昂贵的部件)的缺陷。Wenham补充道，目前，标准商业硅电池最高转换效率约为19%，预计该新科技可将效率提升至21%-23%。氢原子通常可在三种充电状态下

。"事实上，多结聚光组件没能像晶硅和薄膜电池那样受到传统市场的青睐，其高额的成本正是原因之一。制造商尽力通过放大照射在组件上的光强来增加其功率输出，以期降低高成本。放大倍数通常用"日照强度"表示。比如
使聚光组件吸收阳光最大化。三结技术的独特之处就在于其材料系统的带隙可调，但材料的原子空间仍保持不变。SolarJunction技术部副总裁VijitSabnis介绍道。"很容易找到一种材料可以吸收

。太阳能电池的时间平均输出是其峰值功率的15-20%;所以，50TWp的太阳能电池将产生7.5-10TW的平均输出，或2100年全球能量需求的～18%。在现今几乎所有的硅片太阳能电池中，用Ag作为n型
发射极上的指形电极，而Al用于作为p型基极上的背电极。硅片太阳能电池达到万亿瓦数量级的主要瓶颈之一是Ag的稀少。根据美国地质调查(U.S. Geological Survey)，地球上已知的Ag储量

索比光伏网讯: JAIST采用此次开发的工艺，在玻璃基板上制作出了pin型非晶硅太阳能电池。此前仅对i层采用此次的涂覆工艺、对p层及n层采用CVD法制作的电池单元，其转换效率为1.79%。而对pin
层全部采用涂覆工艺制作出的电池单元的转换效率则达到了0.51%。不过，此次的i层的膜厚为120nm，相对于已有非晶硅太阳能电池的250nm厚度来说还比较薄。如果能加大这一厚度，那么效率就有可能提高

索比光伏网讯:摘要：JAIST采用此次开发的工艺，在玻璃基板上制作出了pin型非晶硅太阳能电池。此前仅对i层采用此次的涂覆工艺、对p层及n层采用CVD法制作的电池单元，其转换效率为1.79%。而对
pin层全部采用涂覆工艺制作出的电池单元的转换效率则达到了0.51%。不过，此次的i层的膜厚为120nm，相对于已有非晶硅太阳能电池的250nm厚度来说还比较薄。如果能加大这一厚度，那么效率就有可能提高