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在那个年代，以半导体工艺为基础的单晶生长技术产能极其有限，单晶电池成本居高不下，人们想尽一切办法扩大晶体产量，最有效的方法就是扩大硅料生长的炉体空间，在直拉单晶炉技术瓶颈未解的情况下，开始尝试浇铸工艺和定向
多晶铸锭制成的电池效率仅能提高0.5个百分点，单晶优势进一步凸显。目前国内已有厂商大批量生产背钝化单晶电池，同时，直拉单晶炉的单体产能提升到过去的3倍，材料成本快速降低，而多晶铸锭

成本居高不下，人们想尽一切办法扩大晶体产量，最有效的方法就是扩大硅料生长的炉体空间，在直拉单晶炉技术瓶颈未解的情况下，开始尝试浇铸工艺和定向凝固工艺制造晶体硅，多晶铸锭应运而生，然而它的晶体结构始终是无数
生产背钝化单晶电池，同时，直拉单晶炉的单体产能提升到过去的3倍，材料成本快速降低，而多晶铸锭炉的单体产能瓶颈则始终无法突破。预计到2016年底，在单晶组件功率高出10%左右的条件下，单晶组件与多晶组件

成本居高不下，人们想尽一切办法扩大晶体产量，最有效的方法就是扩大硅料生长的炉体空间，在直拉单晶炉技术瓶颈未解的情况下，开始尝试浇铸工艺和定向凝固工艺制造晶体硅，多晶铸锭应运而生，然而它的晶体结构始终是无数
大批量生产背钝化单晶电池，同时，直拉单晶炉的单体产能提升到过去的3倍，材料成本快速降低，而多晶铸锭炉的单体产能瓶颈则始终无法突破。预计到2016年底，在单晶组件功率高出10%左右的条件下，单晶组件与

上生产太阳能电池硅片所用的主要方法是直拉工艺。在坩埚中，将半导体级多晶硅熔融，同时加入掺杂剂。在温度可以精细控制的情况下用籽晶能够从熔融硅中拉出大圆柱形的单晶硅。半导体硅的性质依赖于它在制作过程的
将硼掺杂到直拉工艺的熔料中，从而生产出P型硅片。为了制造太阳电池，必须掺入n型杂质，以形成p-n结。磷是常用的n型杂质，现在常用的工艺是载气通过液态的POCl3混入少量的氧后通过排放有硅片的加热炉

。　　目前在硅材料的生产制造过程中大量使用石墨制品。其中，石墨制品在直拉单晶硅工艺中应用尤为典型。据不完全统计，我国现有工作状态的单品炉超过2000台左右。其中直拉单晶炉用以生产硅半导体器件所需的
硅单晶材料以16寸热场为主，直拉单晶炉用以生产太阳能电池用的硅单晶材料以18寸热场为主。单晶炉热场零部件除保温毡以外，主要由高纯度等静压石墨构成，有20多个部件。随着单晶尺寸的增大，对石墨的规格及特性的

代表保利协鑫承诺：将始终为实现光伏平价上网而不懈努力，全力以赴开展技术创新和产品开发等系列工作。流化床颗粒硅（FBR）技术，新一代高效铸锭工艺及配套设备开发、连续直拉单晶技术及金刚线切片技术必将成为保利协鑫践行光伏平价上网美好夙愿的强大推动力。

源源不断的低成本硅片。而随着市场对硅片的要求持续增高，迫切需要为市场带来更具突破性的创新型能源，智能硅片可以解决这个问题。其是将不同多晶进行互质整合再结晶，能效更高。毫无疑问，硅材料和硅片，连续直拉
今天的研发决定明天的概念，并指出高品质的硅片将是光伏高效组件应用的基础。报告对保利协鑫的多晶硅、铸锭及单晶生长等产业做了简要介绍，重点分析了颗粒硅、连续直拉单晶、区熔单晶、定向凝固铸锭、类单晶铸锭等技术

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