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综合
2018年光伏展望 市场爆发+技术升级双重利好
来源:索比光伏
发布时间:2017-12-10 23:59:59
维持市场竞争力的砝码。在多晶硅料端,以龙头保利协鑫为例,根据公告其徐州基地电子级多晶硅已经量产,新疆多晶硅将完全满足CCz连续
直拉
单晶和N型单晶用料需求。我们预测,在2018年下半年扩建多晶硅产能部分
释放后,能满足CCz连续
直拉
单晶的硅料和仅能满足铸锭需求的硅料,价格差距会拉开至1万元/吨以上,高品质硅料仍会供不应求。此外,保利协鑫在硅片端全面改造传统砂浆切割,产能翻倍提升的金刚线切改造年底将全部
光伏
市场展望
技术升级
光伏行业2017年总结(一):金刚线本质上是有利于单晶的产业革命
来源:索比光伏
发布时间:2017-12-10 23:59:59
提升对长晶环节的摊销降低这一概念的含义不太好理解,此处花一些时间更进一步地解释一下。单晶硅片与多晶硅片制造过程最根本的不同点在于长晶的过程,单晶为了保障内部晶格序列一致,往往是采用
直拉
单晶炉缓慢生长
金刚线
光伏
光伏要闻
光伏行业2017年总结(一):金刚线本质上是有利于单晶的产业革命
来源:索比光伏
发布时间:2017-12-10 09:48:57
长晶环节的摊销降低这一概念的含义不太好理解,此处花一些时间更进一步地解释一下。单晶硅片与多晶硅片制造过程最根本的不同点在于长晶的过程,单晶为了保障内部晶格序列一致,往往是采用
直拉
单晶炉缓慢生长单晶硅棒
单晶硅片
金刚线
硅片切割
太阳能电池片科普系列——单晶硅篇
来源:索比光伏
发布时间:2017-12-04 15:59:38
,很多的生产工序是可以共用的(不过需要匹配不同的相应的工艺)。而这篇文章笔者将主要带你了解单晶硅锭的生产制造过程。一、单晶硅制备原理1、
直拉
法
直拉
法是目前国内大面积使用较多的单晶硅制备技术,又称切
克劳斯基法(Czoalsik: CZ 法)是1917年由切克斯基建立的一种晶体生长方法,现成为制备单晶硅的主要方法。利用旋转着的籽晶从坩埚中的熔体中提拉制备出单晶的方法,又称
直拉
法。目前国内太阳电池
单晶硅
光伏发电
光伏技术
【科普】金刚线为什么能够提升效率?增效点在哪儿?
来源:索比光伏
发布时间:2017-12-01 12:00:41
采用粘接和电镀的方式固定在
直拉
钢线上进行高速往返切削,而砂浆的切割方式是游离式的切割模式,靠悬浮液的悬浮碳化硅,再通过线网的带动,进行磨削切割。 金刚线分类介绍 金刚线现主要分为两大类
、人员操作、耗材的更换、工艺的更变等几个方面。单从刚线的品质来说,金刚线母线的钢材型号和普通砂浆切割使用的
直拉
刚线钢材型号是存在一定差异之处的。从每公里采购单价高于普通的砂浆
直拉
刚线,价格也即决定了品质的
金刚线
金刚线切割
光伏辅材
单多晶“龙头”合作进一步深化 中环股份、保利协鑫相互增资
来源:索比光伏
发布时间:2017-11-30 08:56:53
基地多晶硅产能将由自备电厂低电价完全覆盖,成本低于所有非新疆产能。最重要的是,新疆的高品质多晶硅为中环提供连续
直拉
单晶的原料保障。 此外,相关报道显示,今年以来保利协鑫金刚线切多晶改造进展超预期,11
中环股份
保利协鑫
光伏企业
单多晶巨头再联手,增资降本,剑指光伏平价上网
来源:索比光伏
发布时间:2017-11-29 23:59:59
多晶硅产能将由自备电厂低电价完全覆盖,成本低于所有非新疆产能。这意味着,协鑫位于新疆的高品质多晶硅将为中环提供连续
直拉
单晶的原料保障。据保利协鑫高管透露,今年以来该公司金刚线切多晶改造进展超预期,11
单多晶
光伏
平价上网
光伏要闻
3亿+30亿 协鑫中环两单多晶巨头再度发力
来源:索比光伏
发布时间:2017-11-29 18:29:59
地区的其他项目;徐州基地多晶硅产能将由自备电厂低电价完全覆盖,成本低于所有非新疆产能。最重要的是,新疆的高品质多晶硅为中环提供连续
直拉
单晶的原料保障。据之前报道,今年以来保利协鑫金刚线切多晶改造进展
中环
协鑫
复盘
光伏要闻
保利协鑫携手天津中环再度发力多晶硅项目
来源:索比光伏
发布时间:2017-11-29 15:40:59
,低于现有新疆等低电价地区的其他项目;徐州基地多晶硅产能将由自备电厂低电价完全覆盖,成本低于所有非新疆产能。最重要的是,新疆的高品质多晶硅为中环提供连续
直拉
单晶的原料保障。今年以来保利协鑫金刚线切多晶
保利协鑫
天津中环
多晶硅项目
中国光伏届第一位科学院院士诞生 浙江大学杨德仁教授当选
来源:索比光伏
发布时间:2017-11-29 10:09:03
应用。 他的学术贡献 提出了掺氮控制极大规模集成电路用
直拉
硅单晶微缺陷的思路,系统解决了氮关缺陷的基础科学问题,促进了其在国际上的广泛应用。 提出了微量掺锗控制晶格畸变的思路,发明了微量掺锗硅
杨德仁
光伏企业
中国科学院
3亿,30亿,协鑫中环两单多晶巨头再度发力
来源:索比光伏
发布时间:2017-11-29 08:56:57
全球最低水平,低于现有新疆等低电价地区的其他项目;徐州基地多晶硅产能将由自备电厂低电价完全覆盖,成本低于所有非新疆产能。最重要的是,新疆的高品质多晶硅为中环提供连续
直拉
单晶的原料保障。 据之前报道
保利协鑫
天津中环
光伏企业
3
3亿,30亿,协鑫中环两单多晶巨头再度发力
来源:索比光伏
发布时间:2017-11-28 23:59:59
最低水平,低于现有新疆等低电价地区的其他项目;徐州基地多晶硅产能将由自备电厂低电价完全覆盖,成本低于所有非新疆产能。最重要的是,新疆的高品质多晶硅为中环提供连续
直拉
单晶的原料保障。据之前报道,今年以来
保利协鑫
3亿
光伏要闻
喜报 | 浙江大学杨德仁教授当选“中国光伏届第一位科学院院士”!
来源:索比光伏
发布时间:2017-11-28 18:24:03
,全世界都在应用。 他的学术贡献 提出了掺氮控制极大规模集成电路用
直拉
硅单晶微缺陷的思路,系统解决了氮关缺陷的基础科学问题,促进了其在国际上的广泛应用。 提出了微量掺锗控制晶格畸变的思路,发明了微量
浙江大学
科学院院士
热烈祝贺光伏专委会副主任杨德仁当选中国科学院院士
来源:索比光伏
发布时间:2017-11-28 16:28:05
、纳米硅及纳米半导体材料等研究工作。 学术贡献:主要从事半导体硅材料研究,取得了系列创新成果。提出了掺氮控制极大规模集成电路用
直拉
硅单晶微缺陷的思路,系统解决了氮关缺陷的基础科学问题,促进了其在国际上的
中国科学院
光伏企业
杨德仁
保利协鑫能源控股有限公司荣获OFweek 2017“维科杯”优秀光伏材料商奖
来源:索比光伏
发布时间:2017-11-13 21:13:59
电池工艺下可达20.85%,与同样工艺的
直拉
单晶效率相差不超过0.5个百分点。保利协鑫能源控股有限公司能在本届“OFweek 2017中国太阳能光伏行业年度评选”中脱颖而出,是其公司实力的体现,也是
保利协鑫
光伏材料商奖
光伏要闻
憋了两年,iPhoneX发售当天,这家和苹果合作的光伏企业终于放大招了
来源:索比光伏
发布时间:2017-11-03 14:40:10
自主知识产权的转换效率超过24%的高效N型DW硅片,转换效率达到26%、零衰减的CFZ-DW(
直拉
区熔)硅片。单晶晶体晶片的综合实力、整体产销规模位列全球前列,高效N型硅片市场占有率全球第一。
中环
环欧
单晶
iPhoneX
2018年是单晶年?协鑫、晶科、隆基:行业标杆各有“钱”路
来源:索比光伏
发布时间:2017-10-30 13:47:21
单晶。保利协鑫副总裁吕锦标曾对记者表示,鑫单晶有99%成分是单晶,所以它的转换效率在常规的电池下跟
直拉
单晶只相差0.5个百分点。目前
直拉
单晶硅片卖6.4元,砂浆切的高效多晶硅片卖4.5元,铸锭单晶做出来
。铸锭单晶做出来之后,单晶的需求主要就让铸锭单晶取代了。当然,
直拉
单晶的未来是往高效的
直拉
N型、25%的转换效率方向走的。为了促进单晶、多晶两条主要技术路线的并行发展,国家政策制定部门对市占率较低的单晶提供
单晶组件
PERC电池
光伏企业
协鑫集团:做绿色发展的践行者
来源:索比光伏
发布时间:2017-10-25 13:54:06
硅料新基地、超纯硅、
直拉
单晶、黑硅工艺、金刚线切片等重大项目,持续引领行业发展。 产业链中游的协鑫集成一着不让,积极适应市场新趋势,按照一站式智慧综合能源系统集成商这一最新定位,快速推进品牌、渠道
协鑫集团
光伏企业
可再生能源
单晶和多晶的技术路线之争,保利协鑫(03800)单晶产品值得期待?
来源:索比光伏
发布时间:2017-10-22 23:59:59
区别在于,在硅棒环节,单晶对硅料要求比较高,采用
直拉
工艺,成本高于采用铸锭工艺的多晶。所以保利协鑫在发展单晶技术路线的时候,放弃了
直拉
工艺,采用了适用于自己当前生产设备成本更低廉的铸锭单晶技术工艺
单晶技术平台,硅片的单晶面积可达99%以上。数据显示,批量生产的整锭单晶硅片G3在常规工艺下的电池转换效率可达19.52%,在PERC电池工艺下可达20.85%,与同样工艺的
直拉
单晶效率相差不超过0.5个
光伏要闻
单晶和多晶的技术路线之争 评一评哪家产品更值得期待
来源:索比光伏
发布时间:2017-10-18 23:59:59
环节很多方面技术可以共通共同的,但为什么价格一直高于多晶。其中最大的区别在于,在硅棒环节,单晶对硅料要求比较高,采用
直拉
工艺,成本高于采用铸锭工艺的多晶。所以保利协鑫在发展单晶技术路线的时候,放弃了
直拉
工艺下可达20.85%,与同样工艺的
直拉
单晶效率相差不超过0.5个百分点。与同样边长的
直拉
单晶硅片相比,整锭单晶硅片面积更大,组件封装损失更小。普通单晶电池工艺的G3硅片60片组件功率达到
单晶
多晶
企业竞争
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