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设备应用工程项目（2009ZX02011 ）中的300mm硅单晶直拉生长设备的开发课题（2009ZX02011-001A）在北京有研新材料股份有限公司，由国家02重大专项实施办公室和总体组组织召开的
28和32热场、满足300mm直拉硅单晶90-65nm特征线宽、高性能要求的新型全自动硅单晶生长炉商业样机。圆满地完成了课题合同书规定的各项技术、经济、知识产权、人才培养以及平台建设等指标，已达到课题

产品包括鑫多晶、鑫单晶、直拉单晶等系列高效硅片，为多元化的市场需求提供多种产品解决方案。保利协鑫持续推进科技创新，不断提升产品品质，降低产品成本。近年来，保利协鑫硅片垂直制造成本每年降幅达10%左右，凭借巨大的产销规模为光伏平价上网做出贡献。保利协鑫能源控股有限公司2017年6月14日

今年第一季度，保利协鑫硅片年产能达20GW，全球市场占有率达30%左右，是全球最大的高效硅片供应商。旗下硅片产品包括鑫多晶、鑫单晶、直拉单晶等系列高效硅片，为多元化的市场需求提供多种产品解决方案。保利协鑫

形貌技术，红外显微技术等方法。 2.3微缺陷结构直拉单晶中微缺陷比较复杂。TEM观察到在原生直拉硅单晶中，存在着间隙位错环，位错团和小的堆跺层错等构成的微缺陷，以及板片状SiO2沉积物，退火Cz
相称为夹杂物。应用电子探针和扫描电子显微镜观察到直拉或者区熔硅单晶中，存在α-SiC和β-SiC颗粒，其尺寸由几个微米到十几个微米。 3、孔洞硅单晶中存在的近于圆柱形或球形的空洞。在硅单晶机械

。半导体设备方面，公司曾连续承担两项国家科技重大专项，分别是2009年承担的国家极大规模集成电路工艺及装备研制02专项：极大规模集成电路制造设备及成套工艺的300mm硅单晶直拉生长装备的开发，和2011
完成国家科技重大专项《极大规模集成电路制造设备及成套工艺》之300mm 硅单晶直拉生长装备的开发课题的TDR130A-ZJS 全自动单晶硅生长炉产品的验收，并进入量产阶段。其全自动单晶生长炉可满足在

：多晶铸锭低于直拉单晶，而直拉单晶又低于区熔单晶。区熔法以其高品质的性能一直站在半导体级单晶材料技术难度的最顶端。做为光伏企业家中享受国务院特殊津贴的授衔半导体材料专家，沈浩平则毫无疑问的是区熔法和
：地方国企没人管饭，要自负盈亏了。于是这家1958年开始做半导体锗材料，1969年做直拉硅单晶，1978年做区熔硅法单晶、1981年开始进军光伏，与云南半导体、秦皇岛太阳能、宁波太阳能、天津18所

早期光致衰减幅度就很小。由此可见硅片自身的性质决定了太阳电池性能的早期光致衰减程度。因此要解决光伏组件的早期光致衰减问题。就必须从解决硅片问题人手。下面就几个方案进行讨论。 A、改进掺硼P型直拉
单晶硅棒的质量一些单晶棒的质量确实令人担忧，如果不能有效的改变这一状况将严重影响光伏产业的健康发展在掺硼直拉单晶产品中主要存在的问题和改进措施： 1）由于原始高纯多晶硅料短缺一些拉棒公司就掺了一些

年优质产品仍供不应求高品质、差异化、低成本是任何产品维持市场竞争力的砝码。在多晶硅料端，以龙头保利协鑫为例，根据公告其徐州基地电子级多晶硅已经量产，新疆多晶硅将完全满足CCz连续直拉单晶和N型单晶用料
需求。我们预测，在2018年下半年扩建多晶硅产能部分释放后，能满足CCz连续直拉单晶的硅料和仅能满足铸锭需求的硅料，价格差距会拉开至1万元/吨以上，高品质硅料仍会供不应求。此外，保利协鑫在硅片端全面