光伏咨询搜索-索比光伏网

研发功能也缩小了。之前该工厂从事相关工作的人员将改为从事该工厂化学气相沉积或半导体激光等领域的工作。但二色浜工厂将继续诸如丰田普锐斯PHV 汽车所采用的特定用途太阳电池等此类面向特定顾客的太阳电池的
Frontier将强化发电站的设计、筹措、EPC和O&M事业等，谋求公司业务结构的转型。 Solar Frontier国富工厂与市场上主流的硅晶体太阳能电池不同，Solar Frontier

PVSEC 光伏大会上德国 Fraunhofer太阳能研究所首次提出的一种新型钝化接触太阳能电池，首先在电池背面制备一层 1～2nm 的隧穿氧化层，然后再沉积一层掺杂多晶硅，二者共同形成了钝化接触结构，为
了无需开孔的钝化接触结构; 5.2 无需激光开孔，采用N型硅片无光致衰减，兼容中高温烧结; 5.3 主要提升的钝化是背面钝化，背面采用1-2nm的高质量SiOx层结合掺杂非晶硅进行高温晶化退火从而

，光伏电池巨头尚德也早在2005年上市后，布局新一代Pluto，也即通常业界所指的LDSE(激光沉积选择发射)技术，2008年金融危机后使得其失去了最初产业化和商业化的最佳战略机遇期亦颇为可惜，其他公司和行业
第一节挪REC 一体化后力不继渐次折翅流床法成就太阳硅业一哥与其他多晶硅巨头如海姆洛克等传统主业是化学产业和半导体硅料不同，挪威再能公司(REC)定位就只是专注于太阳能光伏行业所需的太阳能

目前巨大的PERC电池产能，TOPCon和PERC电池技术和产线设备兼容性较强，以PERC产线现有设备改造为主，主要新增设备在非晶硅沉积的LPCVD/PECVD设备以及镀膜设备环节。目前PERC电池产
本竞争力不足，核心因素在于两方面： 1) 设备投资额度大，国产化进行仍在路上。由于HJT与目前主流的PERC产线不兼容，因此非晶硅薄膜沉积和TCO膜沉积等核心设备需要重新购置，投资额度相对较大，但

PERC电池为主，PERC电池市场占比达到86.4%。 1) Al-BSF电池技术。为改善太阳能电池效率，在P-N结制备完成后，在硅片的背光面沉积一层铝膜，制备P+层，称为铝背场电池。铝背层主要进行表面
衬底隔离的方案减少少子复合，在电池背面制备一层超薄氧化硅，然后再沉积一层掺杂硅薄层，二者共同形成了钝化接触结构。超薄氧化层可以使多子电子隧穿进入多晶硅层同时阻挡少子空穴复合，进而电子在多晶硅层横向传输

：HJT发展潜力大，为下一代电池技术方向 HJT电池的生产工艺相对简单但技术难度高，设备国产化持续推进中。HJT只需4步工艺但技术难度较大：制绒清洗设备(投资占比10%)、非晶硅沉积设备(投资占比
投资要点 ● 需求端：政策支持发展，2021年新增光伏项目电价从指导价上调至燃煤标杆电价，直接推升项目收益率，刺激光伏项目加快开发进度。全球迈入低碳发展时代，十四五央企新能源开发

。除了用于PERC电池的正背面钝化沉积设备、扩散退火炉、激光掺杂机、激光开槽机、激光无损划裂机等，大族光伏装备不断集合创新技术、高起点地研发TOPCon、HJT等新型电池量产装备，携手核心客户共同发展，迈向新征程，未来致力于为客户提供更有竞争力的电池整线加工解决方案和综合服务。

，也就是多晶硅的能级化方面做了贡献;第三次是激光切割。这三次变革都给技术发展带来了成本降低，从而可以看出光伏的本质是成本，降本增效一直都是行业发展的核心。目前的光伏市场上情况稍显复杂，随着 PERC
开路电压，从而提高电池片的转换效率，平均转换效率比PERC电池高出约1%。HJT电池片工艺主要是制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO制备、电极制备四大步骤。 HJT目前规划产能达70GW，越来越多企业投身

数据来源：索比咨询整理表：部分非晶硅薄膜沉积设备供应商数据来源：索比咨询整理表：部分TCO层沉积设备供应商数据来源
。捷佳伟创捷佳伟创是国内领先的晶体硅太阳能电池设备研发、生产和销售的国家高新技术企业。主要产品包括PECVD及扩散炉等半导体掺杂沉积工艺光伏设备、清洗、刻蚀、制绒等湿法工艺光伏设备以及自动化(配套)设备

。 HIT生产线核心设备有望近期实现国产化：HIT的4大工艺步骤制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO制备、电极制备，对应的设备分别为清洗制绒设备、CVD设备(PECVD为主、HWCVD较少)、PVD/RPD设备
技术、一代工艺、一代设备，其中设备是核心瓶颈环节。 01 光伏设备分布光伏设备行业在光伏产业链中赚取现金能力较强：光伏行业更新迭代速度很快，一般硅片、电池片、组件生产线的建设时预定的投资回收期

时会把石油推到表面。但其对侵蚀性的现实条件(沉积物的温度和硬度)非常敏感，会失去实验中的理想特性。 3.高精准智能压裂技术近年来，水平井分段压裂呈现压裂段数越来越多、支撑剂和压裂液用量越来越大的
进展澳大利亚国立大学(ANU)的科学家利用串联钙钛矿硅电池实现了17.6%的太阳能直接制氢效率。这种电池是将低成本的过氧化物材料层叠在传统的硅太阳能电池上。目前的共识是，利用低成本的半导体来实现

单晶替代多晶、P-PERC 替代常规单晶的技术迭代。其中常规单晶电池是铝背场电池，在硅片的背光面沉积一层铝膜;P-PERC 电池通过引入背钝化和开槽接触工艺，在电池背面形成背反射器，减少入射光损失
电池结构相比，HBC 电池前表面无电极遮挡，并且采用 SiNx减反层取代 TCO 薄膜。 HBC 电池工艺流程为：清洗制绒-正面沉积本征非晶硅薄膜-正面沉积减反射膜-背面沉积本征非晶硅薄膜-背面沉积