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研发制造优势，推动光伏设备配套行业大幅增长。鼓励面板玻璃、边框等辅料产业发展，完善本地化配套，发挥对光伏产业发展的支撑作用。通知还指出，重点发展单晶硅片、电池组件、光伏逆变器等优势产品，加快PERC+
方向集成电路：布局第三代半导体生产线，重点引进8/12英寸硅衬底生产线，谋划引进6英寸SiC衬底和8英寸Si基GaN外延片生产线，引进光掩膜、高纯溅射靶材、湿电子化学品、特种气体及封测材料与设备、刻蚀设备

从柔性透光材料上转移至硅片表面形成栅线。该技术可适用于多种电池技术路线，可针对HJT的低温制程，匹配低温浆料。由于采用非接触印刷模式，激光印刷可降低隐裂、碎片、污染、划伤等风险，适用于薄片化、柔性
在政策和技术的双向推动下，异质结从众多技术路线中脱颖而出，成为晶硅太阳能电池的下一代主流技术。作为推动光伏产业技术升级的新兴力量，异质结电池技术在“降本增效”方面拥有巨大潜力，从硅片、浆料再到设备

对于钙钛矿电池技术的发展也颇为重视，在相关政策文件中均明确指出要掌握钙钛矿等新一代高效低成本光伏电池制备及产业化生产技术。随着晶硅电池已经愈发接近光电转换效率理论极限，钙钛矿电池凭借高效率、低成本优势，被
诸多媒体以及研究机构誉为光伏行业的“颠覆者”。同时，由于其具有光吸收系数高、载流子扩散长度长、带隙可调等特性，非常适合与晶硅电池制成转换效率高达49%的硅/钙钛矿叠层电池，因此也有一种声音认为其是晶硅的

导电氧化物(TCO)导电玻璃镀膜设备、多靶位磁控溅射系统、多线切割机、自动分选机等硅片生产设备;多槽制绒清洗设备、激光刻蚀机、全自动大面积等离子增强化学气相沉积装备(PECVD)、干法刻蚀机
制造企业带动作用，吸引高端装备龙头企业落户，支持本土优秀装备企业发展，研发生产硅基光电器件制造工艺和第三代半导体制造工艺用的沉积设备、刻蚀设备、离子注入、清洗设备、薄膜制备、检测量测等高端装备。(七

近年来，随着钙钛矿/硅和钙钛矿/铜铟镓硒(CIGS)叠层太阳能电池的出现，两端全钙钛矿叠层太阳能电池(2TPT-SCs)引起了研究人员极大的兴趣，它结合了宽带隙(WBG)钙钛矿顶部亚电池
(EG-top≈1.6-1.8 eV)和窄带隙(NBG)钙钛矿底部亚电池(EG-bottom 1.3 eV)的优势。由于目前这类电池效率超过了商用单结多晶硅或CIGS电池的转换效率，因此为2TPT

钙钛矿电池光电转换效率从3.8%提升至25.7%，有望打平甚至超越晶硅电池，而原料、制造成本远低于晶硅电池，有望成为新一代的光伏技术;随着相关企业逐步攻克钙钛矿电池长期稳定性、大面积制备等关键技术，该
%。南京大学研发的钙钛矿/钙钛矿叠层电池，效率28.0%;EPFL/CSEM研制的钙钛矿/硅叠层电池，效率31.3%，未来还将持续发展突破。钙钛矿工艺，路在何方?钙钛矿电池核心结构为电子传输层ETL

经济处理高放长寿命裂变产物(LLFP)嬗变技术。⑤激光等离子体不稳定饱和机制及其抑制方法研究。⑥开发关键技术以高效回收核废料中高价值的元素可以提高核资源的利用率，减少核废料的产生，降低燃料成本。 (2
运营技术。包括：①开发一种100千伏的GaN光导半导体开关取代传统硅技术制造的半导体开关，极大地提高效率并降低成本。②把电力电子的功能优势与高压电缆的功率密度优势结合起来，创建一个紧密、一体化的结构

效应降低表面少子浓度，从而降低表面复合速率，同时降低串联电阻，提升电子传输能力。电池背表面为叉指状排列的 p+ emitter(p+发射极)和 n+BSF(n+背场区)。其中，前者与 N 型硅
基底形成 P-N 结，有效分离载流子，是电池的核心结构;n+BSF 主要是与n型硅基底形成高低结，诱导形成P-N结，进一步增强载流子的分离能力。此外，前后表面均采用SiO2/SiNx 叠层膜进行

，TOPCon电池也有比较高的呼声。相比较而言，异质结电池有4道工艺(制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO制备、电极制备，对应的设备分别为清洗制绒设备、PECVD设备、PVD/RPD设备、丝网印刷设备
，光伏组件设备业务是公司最为核心的业绩支撑，但是其毛利率不如光伏电池设备业务。从产业链的角度，光伏行业大致可划分为上中下游三个大的环节，上游为晶体硅原料以及制成的单晶硅棒、多晶硅锭、单/多晶硅片，中游

巨大的 PERC 电池产能，TOPCon 和 PERC 电池技术和产线设备兼容性较强，以 PERC 产线现有设备改造为主，主要新增设备在非晶硅沉积的 LPCVD/PECVD 设备以及镀膜设备环节。目前
是隆基股份布局; 3) 方法三：原位掺杂。PECVD 制备多晶硅膜并原位掺杂工艺。该方法沉积速度快，沉积温度低，还可以用 PECVD 制备多晶硅层，简化很多流程，实现大幅降本。气体爆膜现象已经得到解决

设备，是未来2-3年最具性价比的技术路线。TOPCon和PERC电池技术和产线设备兼容性较强，以PERC产线现有设备改造为主，主要新增设备在非晶硅沉积的LPCVD/PECVD设备以及镀膜设备环节
; 3)方法三：原位掺杂。PECVD制备多晶硅膜并原位掺杂工艺。该方法沉积速度快，沉积温度低，还可以用PECVD制备多晶硅层，简化很多流程，实现大幅降本。气体爆膜现象已经得到解决，稳定性有待

型技术产线建设。面对目前巨大的PERC电池产能，TOPCon和PERC电池技术和产线设备兼容性较强，以PERC产线现有设备改造为主，主要新增设备在非晶硅沉积的LPCVD/PECVD设备以及镀膜设备环节
40%; 3)设备方面降本：目前单GW成本低于4亿元，未来仍有40%降本空间。HJT制作工艺流程大幅简化，制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO薄膜沉积、电极金属化四个步骤，分别对应制绒清洗、PECVD