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综合
意法半导体引领高能效太阳能产业发展潮流
来源:索比光伏
发布时间:2010-10-27 09:39:41
效率。与传统的二极体解决方案不同的是,当太阳能光电面板发电时,这款高效能功率元件与逻辑控制电路整合晶片可更有效地降低
漏电
流。此外,SPV1001
开关
IC的作业温度较低,能实现更长的使用寿命及更高的可靠性
背面的独立转换器。相较于将大多数电子元件集中在主转换器内的传统太阳能光电系统拓扑,意法半导体的分散式架构更能够提高总体效率。 SPV1001智慧型
开关
IC,能够提高太阳能电池的能源转换
意法半导体
光伏要闻
意法半导体通过智能热点防护技术再生被损耗的太阳能
来源:索比光伏
发布时间:2010-10-21 09:45:42
二极管,进而保护在二极管内损耗掉的能量。与传统的二极管解决方案不同的是,当太阳能光伏(PV)面板发电时,SPV1001集成的功率
开关
的泄
漏电
流几乎为零。意法半导体的BCD6芯片制程是这款高效能功率器件与
太阳能电池产生的能量进入电网。SPV1001可提高太阳能面板应用产生的能量,提升投资收益。 意法半导体全新的SPV1001整合了低损耗功率
开关
和精密控制器,可直接取代用于预防热点效应的旁通
意法半导体
光伏科技
美国太阳能面板存安全隐患 威胁消防员生命
来源:索比光伏
发布时间:2010-04-16 09:50:13
, 一个
开关
最大限度地减少交流电流入房间,另一个
开关
是起保护作用,避免直流电流从太阳能面板中
漏电
。Pavis家的火灾中,太阳能面板的直流
开关
在一个旧型逆变器盒中,这为扑灭火灾增加了困难。但
太阳能
光伏要闻
发展碲化镉薄膜太阳能电池的几个关键问题
来源:索比光伏
发布时间:2010-04-02 10:41:19
,后者的刻划速度可高达3000 mm/Sec以上。 刻痕形貌对串联集成的电子学特性有极大影响。激光入射方向、激光模式、刻划速度和Q
开关
调制频率是决定刻痕形貌的主要参量。从玻璃面入射比从薄膜面
和温度可以进一步延长腐蚀。磷硝酸溶液沿晶界的择优腐蚀较为严重,容易在沉积背电极后形成局部的短路
漏电
通道。使用硝酸-冰乙酸溶液可以进一步减轻晶体择优腐蚀程度,获得更好的膜面腐蚀效果。 图6
碲化镉
光伏科技
通过提升性能来缩减太阳能电池板的尺寸
来源:索比光伏
发布时间:2009-03-09 10:15:08
将会减少。从理想上来说,太阳能电池板在最大功率点上将始终被加载,旨在充分地利用可用的太阳能,并由此实现太阳能电池板成本的最小化。 图 1 太阳能电池板在不用时会泄
漏电
流 (黑暗环境或夜晚
二极管相比,这种理想二极管可使反向
漏电
流减小一个数量级,并具有极小的正向电压降,从而增加了充电电流 太阳能二极管和 LTC4412 太阳能电池板的泄漏问题一般是通过给电池板串联一个二极管来
太阳能
光伏科技
广州建成首个太阳能社区
来源:索比光伏
发布时间:2008-11-24 10:07:59
。 “能源取之不竭,不像烧煤、石油一样会产生二次污染,安装又简易,还无须维护,日常使用还能做到人性化
开关
……”说起太阳能的“好”,技术提供方中科院广州能源所下属企业广州科凌新技术有限公司
太阳能产品,还有一个普通电源产品所不能及的优点———能根据日照时间自动控制
开关
。 “太阳能产品则不同,其电池板通过感光功能感受日照,冬季早上关灯时间迟晚上开灯时间早,夏季则相反。”住在
太阳能
太阳能社区
光伏要闻
我国发展太阳能发电技术产业的思考
来源:索比光伏
发布时间:2008-02-25 14:24:32
工作中产生等效电容充放电电流。其中低频部分,有可能使供电电路的
漏电
保护
开关
误动作。其中高频部分,将通过配电线对其他用电设备造成电磁干扰,而影响其他用电设备工作。这样,必须加滤波和保护,达不到降低成本的预期
变压器绝缘方式国用于独立型太阳能发电设备,可靠性高,维护量少,
开关
频率低,电磁干扰小。 (2)高频变压器绝缘方式国用于并网型太阳能发电设备,体积小,重量轻,成本低。要经两级变换,效率问题比较突出
太阳能
光伏市场
关于我国发展太阳能发电技术产业的思考
来源:索比光伏
发布时间:2007-12-05 23:40:51
充放电电流。其中低频部分,有可能使供电电路的
漏电
保护
开关
误动作。其中高频部分,将通过配电线对其他用电设备造成电磁干扰,而影响其他用电设备工作。这样,必须加滤波和保护,达不到降低成本的预期效果
于独立型太阳能发电设备,可靠性高,维护量少,
开关
频率低,电磁干扰小。 (2)高频变压器绝缘方式国用于并网型太阳能发电设备,体积小,重量轻,成本低。要经两级变换,效率问题比较突出,采取措施后
太阳能
光伏要闻
(二)发展碲化镉薄膜太阳电池的几个关键问题
来源:索比光伏
发布时间:2007-06-14 22:23:53
入射方向、激光模式、刻划速度和Q
开关
调制频率是决定刻痕形貌的主要参量。从玻璃面入射比从薄膜面入射更容易得到高质量的刻痕。图5是分别用1064nm激光和532nm的激光刻划CdS/CdTe薄膜后,用探针式
进一步延长腐蚀。磷硝酸溶液沿晶界的择优腐蚀较为严重,容易在沉积背电极后形成局部的短路
漏电
通道。使用硝酸-冰乙酸溶液可以进一步减轻晶体择优腐蚀程度,获得更好的膜面腐蚀效果。 图
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