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成本的需求，H.C. Starck 的机加工制品 (Fabricated Products, FPR) 事业部针对薄膜光伏 (TFPV) 能源应用开发出溅射性能卓越的溅射靶材。该事业部为铜铟镓
and Ceramic Powders, AMCP) 事业部的高档氮化硅粉末始终能够满足硅锭/硅片生产商对纯度的要求。在多晶硅凝固的过程中要避免杂质进入并减少凝固带来的压力。用于硅熔化和结晶的硅坩埚的内壁有

再生能源电力并网损耗降低50%，例如光伏逆变器。这将有待于利用基于碳化硅（SiC）和硅上氮化镓（GaN-on-Si）的创新半导体器件实现。　　这些新型半导体器件未来还可用于台式机和笔记本电脑
左右的时间，它可确保大幅降低开关模式电源的电流和电压转换损耗。它们主要应用于PC或电视机的开关模式电源、太阳能逆变器和电机变频器等。目前，氮化镓材料主要应用于白光二极管。对这种电源产品材料的可用性研究

。一个由铯涂层镓氮化物制造的小型PETE设备，在超高真空室内测试时发光了。图片由Nick Melosh提供大多数光伏电池使用的半导体材料，例如硅，都是把光子的光转换为电力。然而，只有光谱的
的还仅限于理论，因为PETE设备目前还处于测试和开发的阶段。研究员在证明这个概念的测试中选择使用氮化镓半导体，是因为它是目前仅有的能够经受高温的材料。尽管功效的测试结果远低于之前计算的潜在功效，但

。　　日本京都工艺纤维大学副教授园田早纪的研究小组2010年3月19日在“第57届应用物理学相关联合演讲会”上宣布，试制出了可对从紫外光、可视光直至红外光进行光电转换的太阳能电池。据称是在氮化镓（GaN
，已达到约2V。　　园田等发表了题为“在过渡金属添加氮化物半导体形成紫外-可视-红外光电转换材料～以简单元件结构实现新一代超效率太阳能电池目标”的演讲。园田连续6次使用限时15分钟的演讲机会，进行了

进行研究。厦门大学的微纳光电子研究室试图用氮化镓（GaN）基材料来提高太阳能电池的转换效率。他们的理论支持是，如果要将地面应用的光伏器件转换效率提高到50％以上，必须使用带隙超过2.4GeV的材料，并把
铜铟镓硒（CIGS）电池片转换效率达到了19.9％。目前美国陶式化学公司的CIGS薄光电管电池的转换效率目标为15％，其竞争对手Helio Volt的目标为12.2％，Global Solar的目标为

BluGlass公司今天宣布，准备扩大公司潜能，研发尖端的半导体制造技术，特别是太阳能行业上用到的远距离等离子化学气相沉积技术，发展诸如氮化镓铟(InGaN)的III族氮化薄膜技术，使之成为
光谱转化为电力。BluGlass公司正是擅长于该领域的研究，特别是III族氮化薄膜，氮化镓铟(InGaN)，氮化太阳能电池等方面。一旦研究成功，该类电池片的使用寿命将会更长，相对来说更便宜，更为重要的是

Magnolia日前宣布，公司目前正在与Kopin合作发展N型量子点太阳能电池项目，该合作项目将应用于NASA以及防御系统。这已不是两家公司的第一次合作，早前的氮化镓(GaN)材料运用项目就是
型量子点太阳能电池的强室温发光力，最大发射能量范围可以从红外线达到紫外线。二期项目中，量子点太阳能电池将会运用更高能带隙的氮化镓(GaN)栅栏材料。 Kopin相关人士表示，进行中的

降低采用镓、铟、氮化物和多晶硅等材料的太阳能电池成本，成为一大难题。 Honsberg表示：「我们有来自不同领域的专家，现在的挑战是结合他们的不同专长，共同设计出一个具成本效益的方案。」该联盟
一个适合这一波长的太阳能电池芯片中。之所以需要多个晶粒，是因为该技术结合了多种不兼容的半导体，包括单晶硅、砷化镓、砷化镓铟和氮化镓铟等。 VHESC项目首席研究员、电子工程教授Allen