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中国电源学会副理事长、阳光电源董事长曹仁贤：光伏电站功率标定不合理影响光伏发展

来源：索比光伏发布时间：2015-11-10 09:26:03

。　　光伏逆变器高度依赖于电力电子和微电子技术的发展，如果没有新型的功率器件和半导体器件，没有高速的性能优越的微处理器，就无法去实现更高的性能。曹仁贤认为，随着氮化镓、碳化硅的器件，三电平、多电平的转换

阳光电源曹仁贤光伏逆变器

阳光电源曹仁贤：逆变器对系统影响大光伏电站功率需合理标定

来源：索比光伏发布时间：2015-11-09 23:59:59

微电子技术的发展，如果没有新型的功率器件和半导体器件，没有高速的性能优越的微处理器，就无法去实现更高的性能。曹仁贤认为，随着氮化镓、碳化硅的器件，三电平、多电平的转换电路的应用，下一代逆变器的转换效率有望

光伏要闻

美专利商标局授予Solar-Tectic LLC薄膜太阳能电池与半导体专利

来源：索比光伏发布时间：2015-04-22 23:59:59

、锗和氮化镓等各种材料在廉价衬底上生长的高品质半导体薄膜的低温沉积。具有成本效益、类似纳米线的薄膜生长工艺，其中包括低共熔合金，非常适合大规模工业应用，可采用当前用于多个行业的电子束和化学气相沉积等

光伏要闻

日本光伏逆变器市场2014财年增长19.5%

来源：索比光伏发布时间：2015-04-10 13:32:15

、采用基于SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)等新材料的高输出功率半导体、延长使用寿命、追加外围功能、提高冷却效率、扩大输入电压范围、延长保修时间、支持带蓄电池的系统等等。

日本光伏市场光伏逆变器

日本新能源用逆变器市场2014财年增长19.5% 2017财年起将开始减少

来源：索比光伏发布时间：2015-04-10 09:26:12

室外机的种类、采用基于SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)等新材料的高输出功率半导体、延长使用寿命、追加外围功能、提高冷却效率、扩大输入电压范围、延长保修时间、支持带蓄电池的系统等等。原标题:日本新能源用逆变器市场2014财年增长19.5% 2017财年起将开始减少

光伏要闻

2014财年日本新能源用逆变器市场增长19.5％，2017财年起将开始减少

来源：索比光伏发布时间：2015-04-09 23:59:59

，充实室外机的种类、采用基于SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）等新材料的高输出功率半导体、延长使用寿命、追加外围功能、提高冷却效率、扩大输入电压范围、延长保修时间、支持带蓄电池的系统等等。

光伏要闻

安川电机首次将GaN功率半导体用于住宅用光伏逆变器设置面积减少一半

来源：索比光伏发布时间：2014-12-16 11:09:12

索比光伏网讯:安川电机公司12月11日宣布，配备GaN（氮化镓）功率半导体模块的住宅用室内设置型光伏逆变器（PCS）将将开始销售。光伏发电用PCS采用GaN功率半导体是全球首次，并在此级别上实现了

光伏要闻

安川电机全球首次将GaN功率半导体用于住宅用光伏逆变器，设置面积减少一半

来源：索比光伏发布时间：2014-12-15 23:59:59

光伏要闻

光伏行业完整产业链解析

来源：索比光伏发布时间：2014-12-12 10:11:20

形成非晶硅薄膜，之后制作PN结，形成薄膜电池组件。除了用硅作为薄膜外，还有用碲化镉、砷化镓、和铜铟镓硒（）等材料作为原料的。由于大自然所蕴含的所有元素中，硅占了四分之一多（27%），另外氧占了
42%，因此，其余的元素很少。尤其是碲、镉、镓、铟等，都是电子行业和航天产业的极其宝贵的元素，如果用在光伏发电这样大规模的场合，无异于焚琴煮鹤。 2009年9月某美国薄膜公司到中国内蒙号称要投资

光伏产业链光伏发电光伏科技

环节薄膜硅的源头，也是采用金属硅，先制成硅烷气，然后通过气相沉积技术在薄膜衬底上形成非晶硅薄膜，之后制作PN结，形成薄膜电池组件。除了用硅作为薄膜外，还有用碲化镉、砷化镓、和铜铟镓硒（CIGS）等材料
作为原料的。由于大自然所蕴含的所有元素中，硅占了四分之一多（27%），另外氧占了42%，因此，其余的元素很少。尤其是碲、镉、镓、铟等，都是电子行业和航天产业的极其宝贵的元素，如果用在光伏发电这样大规模的

光伏要闻

2015年光伏逆变器发展报告

来源：索比光伏发布时间：2014-11-27 08:18:48

和我们系统的性价比提上去，从直流侧，从逆变侧，从电网侧，从系统角度做些布局。我们看看发展的轨迹，这是以我们阳光为例的，下一代的大家可以看看从明年开始，这种氮化镓碳化硅的器件，三电平多电平的转换电路，主平

光伏逆变器逆变器光伏电站

2015年光伏逆变器现状及未来趋势分析

来源：索比光伏发布时间：2014-11-26 12:55:57

性价比提上去，从直流侧，从逆变侧，从电网侧，从系统角度做些布局。我们看看发展的轨迹，这是以我们阳光为例的，下一代的大家可以看看从明年开始，这种氮化镓碳化硅的器件，三电平多电平的转换电路，主平现在

光伏逆变器组串式逆变器逆变器

曹仁贤：光伏逆变的最新技术及展望

来源：索比光伏发布时间：2014-11-24 10:54:19

氮化镓碳化硅的器件，三电平多电平的转换电路，主平现在有1000兆的公共机的主平也在做这样的设备，使得这个设备做起来变得非常容易。我预测下一代逆变设备基本上是无损，无损的话转换效率达到99%，这个肯定能

光伏要闻

阳光电源曹仁贤：光伏逆变器的最新技术及展望

来源：索比光伏发布时间：2014-11-24 08:37:05

布局。我们看看发展的轨迹，这是以我们阳光为例的，下一代的大家可以看看从明年开始，这种氮化镓碳化硅的器件，三电平多电平的转换电路，主平现在有1000兆的公共机的主平也在做这样的设备，使得这个设备做起来

阳光电源曹仁贤光伏逆变器

解读：光伏竞争仍激烈三安光电转让资产集中发展主业

来源：索比光伏发布时间：2014-11-12 09:35:59

的战略定位为立足于新一代高效、高功率半导体材料的研发与应用，将以砷化镓、氮化镓、碳化硅等半导体新材料的主业做大做强，力争打造具有国际竞争优势的半导体材料厂商。在此背景下，综合考虑公司现有业务布局和

三安光电资产转让日芯光伏

如何提高太阳能电池效率

来源：索比光伏发布时间：2014-10-29 13:51:14

人员指出,用氮化铟和氮化镓双层制成的多级太阳能电池可以达到理论极限最大效率的50%,为此,一层需要调整到1.7eV的禁带,而另一层需调整到1.1eV的禁带。如果能制成层数很多的太阳能电池,在每层中都

光伏要闻

采用SiC和GaN功率模块的光伏逆变器纷纷亮相光伏展，三菱电机率先推出产品

来源：索比光伏发布时间：2014-08-01 07:55:24

在可再生能源技术及产品展会PVJapan2014（东京有明国际会展中心，2014年7月30日～8月1日）上，各公司纷纷展示了采用碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等新一代功率半导体的光伏发电用逆变器

三菱电机光伏逆变器光伏展

菲拉赫基地的未来蓝图——英飞凌科技拟创建“工业 4.0 试点基地”

来源：索比光伏发布时间：2014-07-01 23:59:59

产中追求高能效的目标。在材料、工艺流程、技术和系统专业知识上进行各种创新的大规模研发项目是菲拉赫基地扩展的又一支柱，有力支持了新一代高能效产品的开发。该项目的重点放在氮化镓和碳化硅等创新型基片在MEMS

英飞凌 4 光伏要闻

挪威科技大学携手IBM开展研究 GaAs LED效率大幅提升

来源：索比光伏发布时间：2014-04-22 23:59:59

纳米线的晶体结构的方法。实验室的其他研究成果还包括在石墨烯材料上生长半导体纳米线等，并且已将研究成果转化为商业运作，由HelgeWeman等主要研究人员共同建立了CrayoNanoAS公司。Weman先生表示公司下一步将开展生长用于白光LED的氮化镓纳米线的业务。

GaAs 光伏要闻

aSiC-T:实现大规模生产碳化矽晶体的全新系统

来源：索比光伏发布时间：2014-01-13 23:59:59

(EKZ) 系统目前用于高纯度矽单晶长晶技术。而在专用的PVA TePla 真空炉中，可以对氮化镓磊晶制程中使用的Susceptors实现回收利用。子公司Metrology Technologies的多种

光伏要闻

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