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人员还未找到合适的材料。碲化镉(CdTe)本来有望成为候选材料，但其禁带过窄，只有1.4eV。非晶硅和铜镓硒(CGS)的禁带宽度在1.7eV左右，比较合适，但其转换效率太低。半导体量子结构不仅不解
示意图。目前，普遍认为该技术在经济性上未达到量产标准。图7：磷化镓铟/硅基双结叠层太阳能电池的结构示意图第二个选项是采用钙钛矿太阳能电池作为顶电池。近年来，全球各地的实验室在

正泰新能源的研发团队紧跟双面发电时代步伐，经过半年的研发，实现P型单晶双面电池正面平均转换效率21.83%，双面率达81.2%。高效高双面率P型双面技术对比掺镓硅片基底正泰P型双面
背钝化电池采用掺镓硅片技术解决产品的光致衰减，为产品长期稳定性提供保障。双面制绒双面电池采用氢氧化钾碱刻蚀双面制绒体系，背顿化双面电池小批量量跑，对比酸刻蚀，正面效率下降0.06%，背面效率

单晶双面电池正面平均转换效率21.83%，双面率达81.2%。高效高双面率P型双面技术掺镓硅片基底正泰P型双面背顿化电池采用掺镓硅片技术解决产品的光致衰减，为产品长期稳定性提供
氮化硅减反叠层膜设计模拟及多次实验对比，在保证电池钝化效果同时逐步降低双面电池背面反射率，提升背面吸收率。背面网板设计、浆料选择双面电池关键点在于背开槽激光与丝网二道铝浆对准，在激光与丝网厂商

;氮氧化硅(SiONx)早期Solar Word以及现在的爱旭、润阳等;氧化铝(AlOx)现在主流厂家都采用氧化铝和氮化硅叠层膜的背钝化膜结构。氧化铝和氮化硅叠层膜叠层结构作为P型PERC背面
钝化膜的优势，主要体现在三个方面。氧化铝具有较高的固定负电荷密度Q10E13/cm3，可以得到优异的场钝化效果;氮化硅膜富含氢原子，可以在热处理过程中对表面和体内的缺陷进行化学钝化;氧化铝薄膜带隙

索比光伏网讯:该解决方案扩大了GT可用于生产低成本、开盒即用发光二极管（LED）晶圆的氮化镓技术产品供应新罕布什尔州梅里马克，2014年3月1日 GT Advanced Technologies
(TM))可以在氮化镓沉淀前，在晶圆上沉积一层高质量的生长型初始层氮化铝。GT 计划将等离子体汽相淀积工具商业化，以配合其正在研发的氢化物气相外延(HVPE)系统，这个组合将可以让LED生产商在图案化

索比光伏网讯:日本物质与材料研究机构2013年12月6日宣布，通过在太阳能电池材料氮化铟镓（InGaN）中形成多重量子点（中间带），成功利用了波长为450～750nm的太阳光。InGaN以前只能利用
认为，如果能够以调整了In成分的窒化氮化铟镓（InxGa1-xN）混晶为中心形成中间带，不仅可利用能量等于带隙能量的光，还可利用波长更长的光、也就是太阳光光谱的主要构成波长绿色及黄色等可见光来提高

，氮化硅2.1，氧化铝1.6；背面的叠层结构可以实现：①光从光密到光疏介质时在一定角度都可以形成全反射，增大光反射的几率。②PREC结构中间多一层叠层膜，增加红光吸收减少穿透损失。目前PERC电池的制备以P
或N型单晶硅为主，对硅片衬底的电阻率和少子寿命提出了更高的要求。一般要求少子寿命高于100us。其光致衰减（LID）与普通单晶硅电池无明显差别，如果采用掺镓（Ga）技术，能够进一步降低LID效应

国Solar Junction公司在铜铟镓硒（CIGS）、砷化镓（GaAs）两种主流技术方面取得了重要突破。在CIGS技术上，汉能的柔性CIGS薄膜太阳能组件全面积量产转换效率为16.5%-17
的四结GaAs太阳能电池的研发。目前在GaAs衬底上用稀释氮化物作为底电池，生产的高效率三结GaAs太阳能电池在太空环境的转换效率已超过31%。这是个蓝海新型科技实现突破的意义，首先体现在广阔的

解决的问题。在这样的前沿领域，竞争自然也难以避免，一水之隔的台湾大学奈米科技研究中心的陈永芳教授就是可能的挑战者之一。与王中林有所不同的是，一年前他选择了性质和氧化锌颇为相似的氮化镓来进行自己的纳米
发电机实验。虽然氧化锌的成本比较低，但氮化镓工业上的用途更广，技术上比较成熟，在以电子代工为主业的台湾很容易获得。在接受本刊采访时，陈表示现在还有很多工作要做，很多困难要克服。王中林承认，氮化镓在半导体