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钝化材料，如非晶硅、氧化硅、氧化铝、氮化硅等，使其吸收的光子几乎全部能够转化为载流子，量子效率超过95%;第三，低成本：硅在地壳中的含量达到27.6%，取之不尽，用之不竭，因而不受材料储量的限制，目前
较高性价比的晶硅底电池。顶电池的选项较多，如钙钛矿、铜铟镓硒(CIGS)、砷化镓等。目前钙钛矿/晶硅叠层电池是一种比较好的组合方式，一道新能自主研发的具有高开路电压的TOPCon适合作为低成本的底电池

，电网面临两个最大的技术问题，一个是国产功率半导体器件的市场占有率低，二是通过电力电子并网的新能源逐步移走了电网的稳定性基础。功率半导体器件也叫电力电子器件，例如IGBT，还有新型碳化硅和氮化镓器件
主要是满足工况要求和提高可靠性，芯片结构的变化缓慢。那么我就想，我们能不能在功率芯片上，为芯片的工艺和可靠性作出令人夸赞的技术贡献，在碳化硅、氮化镓等新型器件上作出令人夸赞的技术贡献，把芯片做到质优价廉

微米的侧切面进行钝化，通过沉积由氮化硅覆盖的氧化铝和氧化硅层来实现，侧切面损坏性蚀刻之后进行钝化工艺。然而，生产这种电池需要几个额外的预金属化工艺步骤或金属化后化学蚀刻工艺，这就使得实现工业化量产具有
(a)和(b)中，没有显示背面银电极。B. 太阳能电池制造本文所研究的pSPEER和pSPEERPET采用6英寸掺镓直拉硅PERC电池，工艺流程如图2所示。图2. 6英寸p型Cz-Si生产

;而后级的全桥逆变部分，则可以采用纳芯微新一代隔离半桥驱动NSI6602V，具备更大的驱动电流、更高的输入耐压和更强的抗干扰能力，使用寿命也更加持久。同时，在一些新的设计中，氮化镓器件被用于提高
功率密度和系统效率，这时纳芯微的氮化镓专用驱动芯片NSD2621可以充分发挥氮化镓器件的性能。二、纳芯微的磁电流传感器产品在传统的光伏逆变器中有很多霍尔电流传感器模块，主要作用是输入/输出电流检测。纳芯微的

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)功率器件及模块，进一步推动碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体功率器件的产业化推广及应用。发展小型化、低功耗、集成化、高灵敏度的敏感元件。实现集成多维度信息采集
、氮化镓、蓝宝石衬底外延片等化合物材料发展。支持高端高密度封装基板、高频高速覆铜板、类载板等发展，推动高端树脂、玻纤布、铜箔等原材料研发和应用。(八)加大新技术新产品推广应用提升太阳能光伏发电效率和消纳

效评估、诊断和能效提升服务，引导用户提升IT能效水平。行动6：促进通信基站能效提升推动基站主设备节能技术应用推广。推进硬件节能技术应用，采用高制程芯片、利用氮化镓功放等提升设备整体能效。逐步引入液体