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韩华新能源（启东）有限公司 8、少子寿命在单晶硅太阳电池生产中的变化研究------中科院微电子研究所刘金虎 9、多晶硅锭坩埚涂层用氧氮化硅粉体的合成-------------南昌大学光伏
学院尹传强 10、基于高斯曲面拟合的单晶硅片漩涡缺陷检测方法---上海太阳能工程技术研究中心 11、利用回收硅锯屑制备坩埚涂层用氮化硅粉-------------南昌大学光伏学院尹

的转化效率突破20%，则可加速其产业化进程。未来此领域的研究趋势集中在以下两个方面：1、进一步优化电池的特性，包括：Al-p+发射极、背表面钝化、前表面场和钝化等；2、研发低成本设备，包括：激光刻蚀氮化硅设备、可丝网印刷的抗酸浆料等。

支持服务。我们的设备配合我们的技术实现设备的设计能力我们的硅烷技术是用岐化法，纯度能达到6个9(99.9999%)。硅烷气本身可以用在制作液晶显示器，用于光伏镀膜上的氮化硅涂层，硅烷气应用到多晶硅采用流化床技术可以进一步降低多晶硅生产成本。在不久的将来硅烷气会有非常好的市场前景。

排列整齐的方形沟槽组成，浅发射极n+位于硅片的上表面，在其上有一极薄的氧化隧道层，Al电极倾斜蒸镀于沟槽的侧面，然后利用PECVD蒸镀氮化硅作为钝化层和减反射膜OECO电池有以下特点：(1)电极是蒸
直接倾斜蒸镀Al作为面电极使用导电胶将各个面电极连接起来采用PECVD法在前表面蒸镀氮化硅作为钝化和减反射层。（作者：和海一样的新能源）

吸收率。通常的方法是晶体硅表面的绒面结构，结合前表面的氮化硅减反层来实现。对于传统的丝网印刷铝背场p-Si电池，在电池背表面采用铝背场结构(Al-BSF)，这种电池由于背表面点复合速率比较高，电池的效率
表面的反射率。目前获得的最佳平均反射率仅为2.8%，这一数值非常接近生产线上的氮化硅覆盖的绒面结构(STDSiNx)，其平均反射率为~2.9%。与此同时，采用Al2O3作为钝化层，对p型晶体硅

电池对入射光的吸收率。通常的方法是晶体硅表面的绒面结构，结合前表面的氮化硅减反层来实现。对于传统的丝网印刷铝背场p-Si电池，在电池背表面采用铝背场结构(Al-BSF)，这种电池由于背表面点复合速率
厚度可以调整电池表面的反射率。目前获得的最佳平均反射率仅为2.8%，这一数值非常接近生产线上的氮化硅覆盖的绒面结构(STD SiNx)，其平均反射率为~2.9%。与此同时，采用Al2O3作为钝化层，对

刻蚀，也可用于半导体工艺中多晶硅、氮化硅的刻蚀和去胶。2.工作原理及结构特征(1)设备的基本结构本光伏设备由反应室、真空系统、送气系统、高频电源、匹配器等部分组成，见图5.5所示。图5.5等离子体刻蚀
实验。采用PLC进行工艺自动控制，可靠性高，稳定性好。各电气元器件均采用插装式，便于维修和更换。图5.6等离子体刻蚀机系统示意图3.主要技术指标(1)刻蚀介质掺杂硅、氮化硅(2)刻蚀部位5英寸，6英寸

避免密封胶黄化和电池不能接受到短波长光线的问题。太阳电池的表面沉积了一层氮化硅结构的减反射膜，折射率约为2.1,其上有EVA和钢化玻璃（两者的折射率约为1.48左右），为使组件的透射率达到最大的减反效果
电流；不适合的焊接工艺还有可能造成电池的电极与硅片脱落，无法收集电流，从而造成封装损失的增加。封装试验及讨论不同氮化硅膜厚电池的封装对比选族三组不同氮化硅膜厚、效率17.25%档的单晶

。下一页太阳电池的表面沉积了一层氮化硅结构的减反射膜，折射率约为2.1，其上有EVA和钢化玻璃（两者的折射率约为1.48左右），为使组件的
焊接过程中存在虚焊、漏焊等焊接不良的问题，会造成较高的接触电阻，降低组件的输出电流；不合适的焊接工艺还有可能造成电池的电极与硅片脱落，无法收集电流，从而造成封装损失的增加。　　封装实验及讨论不同氮化硅