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主要成分有B2O3、BN和SiO2的混合物两种，扩散时在源片的同一石英舟上放上要扩散的硅片，待炉温加热至850℃的时候缓慢将石英舟推入恒温区，并一直通氮气，P扩散一小时后其方阻约在R=20～30/sq的
硅片少子寿命的下降，并引起衬底掺杂浓度的再分布。许多有害杂质也会在高温条件下扩散到硅片体内。早期就有人提出SiNx是理想的减反射膜，而且还可以同时达到表面钝化和体内钝化的效果。PECVD法沉积的氮化硅膜

给出了建议。 1 N 型背结背接触晶体硅电池高转化效率机理首先，与掺硼(B)的P型晶体硅材料相比，掺磷(P)的N型晶体硅材料具有如下优势：（1）N型材料中的杂质（如一些常见的金属离子）对
2009 年，荷兰国家能源研究中心(ECN)采用液态 B 扩散技术在 N 型太阳能级衬底上形成背部p 型发射极，并实现了N型 125125cm 2电池片的规模化生产。然而，采用液态B扩散技术存在着扩散

上的，光刻胶与欲刻蚀材料两者会同时被刻蚀，因而刻蚀选择性偏低。而且被击出的物质并非挥发性物质，这些物质容易沉积在被刻蚀薄膜表面及侧壁上，因此采用完全物理方式的刻蚀方法在半导体器件制程制造过程中很少
被使用。而化学性刻蚀是利用等离子将刻蚀气体解离产生带电离子、分子、电子及反应性很强的原子团。此原子团扩散到被刻蚀薄膜表面，与被刻蚀薄膜表面原子反应形成具有挥发性的产物，并被真空设备抽离反应腔。由于此反应

因子和20．8％（AM1.5）的效率。（B）钝化发射区和背表面电池（PERC）：铝背面吸杂是PEsC电池的一个关键技术。然而由于背表面的高复合和低反射，它成了限制PESC电池技术进一步提高
层上沉积SiN为A只乙后面用RF-PECVD掺硼的c一Si薄膜作为背场，用SiN薄膜作为后表面的钝化层，Al层通过SiN上的孔与cSi薄膜接触。5cmX5cm电池在AM1．5条件下效率达到21.4

％（AM1.5）的效率。（B）钝化发射区和背表面电池（PERC）：铝背面吸杂是PEsC电池的一个关键技术。然而由于背表面的高复合和低反射，它成了限制PESC电池技术进一步提高的主要因素。PERC和PERL
Si／c-Si异质pp+结高效电池SHARP公司能源转换实验室的高效光伏电池，前面采用绒面织构化，在SiO2钝化层上沉积SiN为A只乙后面用RF-PECVD掺硼的c一Si薄膜作为背场，用SiN薄膜作为

沉积速率的影响根据这现象，提高薄膜沉积均匀性的措施有：提高气体流速和装置的尺寸B；调整装置内温度分布，影响扩散系数的分布。二、实验方法本文针对的是管式PECVD设备的流量实验，在石墨舟的前后依次沿轴线
索比光伏网讯:氮化硅膜作为晶体硅太阳能电池减反射钝化膜是目前太阳能电池制备的主流，然而由于用PECVD来制备的氮化硅膜，是以SixNyHz方式来表达的，其中的x,y,z的数值直接影响了膜的光学性能和

科技股份有限公司研发总监。　　摘要：本文针对目前国内在太阳能电池行业使用管式PECVD沉积氮化硅减反射膜时为了实现均匀性而随意调整工艺气体流量而做出实验性分析，避免在工艺过程中发现电池转换效率下降了而难以找到原因
。通过改变工艺气体的流量，对各项技术指标进行测量分析，结合国内外的一些文献，得出了工艺气体流量对氮化硅膜的直接影响，同时也直接导致了电池转换效率的变化。通过这些研究为制备高性能电池减反射膜提供实验基础，为

生产能力太阳能电池片25兆瓦，太阳能组件100兆瓦，太阳能灯具100万只，薄膜太阳能电池组件10MW,年产值为30-40亿人民币。组件产品：单晶组件（1580808x35）、（15801068x50
、HCPV-TDB3B156、HCPV-TDB125W。 8 9 10 11 12 1111118 下一页余下全文　　巨力

增强化学气相沉积)技术，将具有减反射效果的SiNx薄膜镀在电池受光表面，增大光吸收量。目前有3种类型的进口设备，国产化设备研制也已迈开步伐。丝网印刷技术是目前简单可靠、精密且低成本的
专用生产设备，几年后将实现大规模应用。先进的高质量钝化膜将取代当前单一的氮化硅膜。随着选择性发射结工艺的广泛应用，更迫切地需要有先进的钝化膜进一步将上表面的载流子复合速度降低一个

结构自始至终占主导地位，其它结构对太阳电他的发展也有重要影响。以材料区分，有晶硅电池，非晶硅薄膜电池，铜钢硒（CIS）电池，磅化镐（CdTe）电池，砷化稼电他等，而以晶硅电池为主导，由于硅是
研究者的兴趣。目前因效率不高等问题研究者已不多，但SnO2、In2O3、（1n2O3＋SnO2）是许多薄膜电他的重要构成部分，作收集电流和窗口材料用。（5）M1S电池——是肖特基（MS）电他的