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11月17日，位于保定的六九硅业有限公司(简称六九硅业)管道林立的厂区内，一片繁忙。“多晶硅反应器的热油系统、四氟化硅制备区的热烘循环系统等均已启动，两大关键部位目前运转正常！”公司生产部
，并且采用3种回收工艺，分别将副产物氟化铝钠、氢气、硅烷加以回收，用作原料投入再生产。最终生成高纯的多晶硅和硫酸盐两种产品。据了解，英利所采用的新硅烷法在国内尚属首家，在国际上也只被少数厂家

)。　　多晶硅作为太阳能和微电子产业发展基石，是集成电路和光伏发电用关键原材料。随着我国光伏产业近年来的超常规发展，预计未来几年的年需求将超过2万吨。然而，生产多晶硅是一个提纯过程，金属硅转化成三氯氢硅，再用氢气
。　　该项目针对多晶硅生产中副产物的综合利用的产业化，重点开展副产物原料纯化与高纯SiCl4制备技术研究，高温水解技术及燃烧炉的研究，气相二氧化硅聚集分离技术和粒子聚集器研究，气相二氧化硅脱酸技术与表面改性

(metallurgical grade silicon;MG)来当作硅化合物的原料，少数是直接利用二氧化硅来制备硅化合物。化学法中，西门子法(Siemens process)广为早期生产半导体级多晶硅
法相同，皆为硅甲烷与氢气加热分解后产生的多晶硅。JSSI宣称此法所消耗的电量为传统西门子法的10分之1，转换率可达95~98%，目前已有量产纪录。物理法制程的冶金法太阳能多晶硅，于2008年开始被

等行业。三氯氢硅是制备多晶硅料的主要原料,目前国内市场上供不应求,缺口较大,而生产三氯氢硅的主要原料是硅粉、氯气和氢气,因此很适合在氯碱企业作为下游产品进行开发。光伏电池封装用的粘接材料一般是EVA
。目前国际上生产高纯度多晶硅料的生产工艺85%以上采用改良西门子法。它是利用氯气和氢气合成HCl，HCl和工业硅粉在一定的温度下合成SiHCl3，然后对SiHCl3进行分离精馏提纯，提纯后的SiHCl3在

健康、可持续地发展。多晶硅的制备从本质上讲是由冶金级硅到太阳能级硅的提纯过程。在用改良西门子法生产多晶硅的过程中，为了提纯虽然要引入氢气和氯气，但最终产品并未将这些元素带走。如果使
氢气和氯气在生产系统中不断循环，就会有效降低原料的消耗，同时减少环境污染。对于采用改良西门子法的厂家而言，无论从保护环境的角度考虑还是从节能降耗、降低成本的角度考虑，建设闭路循环的

多学科的大系统工程，必须具备各方面专业人才，需要一个实践经验丰富的团队，这是多晶硅区别其它工程项目的最大特点；其二，西门子制备多晶硅涉及大量氯气、氢气、三氯氢硅、四氯化硅、氯化氢、粉尘和酸碱，是一个易燃
。多晶硅制备技术难度之大，由此可见一斑。国内各大多晶硅项目要实现顺利投产、达产还面临着很大的技术挑战。多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成

主要是氢气和氯气，通过三氯氢硅的氢还原反应获得多晶硅。这个过程要不断供气和供电，在炉子里多晶硅棒逐渐长大，各个环节都需要大量资源支持。以乐山为例，其资源在国内享有比较优势。多晶硅生产是高耗能
装机容量为700万千瓦的水电站，乐山电力价格、人工成本处于全国中下游。加上当地有丰富的盐卤、石灰石、煤炭、水资源来制备原料，这些都增加了四川多晶硅未来取胜的砝码。知情人士透露，四川省有望出台用电

。1955年西门子公司采用化学方法，将粉碎的冶金级硅在硫化床反应器中与HCI气体混合并反应生成三氯氢硅和氢气，Si＋3HCI→SiHC13＋H2。由于SiHC13在30℃以下是液体，因此很容易与氢气
分离。接着，通过精馏使SiHC13与其它氯化物分离，经过精馏的SiHCl3，其杂质水平可低于10-10％的电子级硅要求。提纯后的SiHC13通过CVD原理制备出多晶硅锭。通过在西门子法工艺

）用元素合成法制备近似满足化学计量比的p型CulnSe2多晶晶块作为输运源料，用碘或碘化氢气体作为输运剂，以铝片、石墨片、w／A12O2或MO／玻璃作衬底，在封闭系统中进行蒸发
Cu2S／CdS是一种廉价太阳电池，它具有成本低、制备工艺十分简单的优点。因此，在70-80年代曾引起国内外广大光伏科研者的广泛兴趣，以空前热情进行研究。在烧结体Cu2JCdS太阳电池研究的基础上，70年代

是为了降低成本，其优点是能直接制备出适于规模化生产的大尺寸方型硅锭，设备比较简单，制造过程简单、省电、节约硅材料，对材质要求也较低。晶界及杂质影响可通过电他工艺改善；由于材质和晶界影响，电池效率较低。电池工艺主要
发射区的形成和磷吸杂结合，采用快速热过程制备铝背场，用lift一off法制备Ti／Pd／Ag前电极，并加双层减反射膜。1cm2电他的效率AM1.5下达到18．6％。（2）UNSw电池 uNsw

，2010年EG硅需求会达到26000t左右，现有的多晶硅厂和建设中的多晶硅厂（部分产品为EG硅）已能够满足电子级市场的需要。 1.2多晶硅的制备两大多晶硅制备工艺的形成bbs.solarzoom.com
年贝尔实验室将易于提纯和回收重复使用的氢气（H2）代替难于提纯的Zn还原SiCl4，在钽（Ta）丝上沉积多晶硅，P型电阻率达到1000Ω?cm。 l 1955年西门子公司研究成功了用H2还原