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单多晶组件CTM不同的内在原因。　　1、组件CTM影响因素影响CTM的因素很多，包括：A.光学损耗：制绒绒面不同引起的光学反射、玻璃和EVA等引起的反射损失。B.电阻损耗，电池片本身的串联电阻损耗、焊带
损耗，组件温度升高会引起的输出功率下降。E.B-O复合引起的电池片效率衰减，与本征衰退损失。F.组件生产过程中产生隐裂或碎片。影响单晶和多晶组件CTM差异的因素主要包括2个方面，光学损耗和硼氧复合损耗

组件CTM不同的内在原因。1、组件CTM影响因素影响CTM的因素很多，包括：A.光学损耗：制绒绒面不同引起的光学反射、玻璃和EVA等引起的反射损失。B.电阻损耗，电池片本身的串联电阻损耗、焊带，汇流条本身的
会引起的输出功率下降。E.B-O复合引起的电池片效率衰减，与本征衰退损失。F.组件生产过程中产生隐裂或碎片。影响单晶和多晶组件CTM差异的因素主要包括2个方面，光学损耗和硼氧复合损耗。光学损耗产生的

，单晶电池片成本也连带下降。近期中国市场已出现主流单晶电池价格达到RMB 2.35/W，为市场首次出现单晶电池价格等于多晶电池价格，使得单晶硅片在组件端更高的性价比优势进一步凸显，单晶技术的快速进步在确保
国内外光伏主流企业和投资商开始注意到单晶硅片相比多晶硅片具有更高的性价比，单晶代表着未来的趋势，这种认可度2015年以来开始呈现爆发之势。典型的风向标是领先的薄膜和光伏项目开发商First Solar于

，单晶电池片成本也连带下降。近期中国市场已出现主流单晶电池价格达到RMB 2.35/W，为市场首次出现单晶电池价格等于多晶电池价格，使得单晶硅片在组件端更高的性价比优势进一步凸显，单晶技术的快速进步在
晶电池效率绝对值高出6%，每瓦系统可变成本将下降30-40%左右。图3 ITRPV预测未来晶硅电池转换效率提升空间与速度另外，在品质方面，以往B-O复合体的存在导致P型电池中单晶电池的

增长35.8%。 B 累计装机量最大在政策支持加强、国内市场不断启动的情况下，我国光伏行业逐步走出低谷，2015年加速回暖，光伏新增装机量将达到16.5GW，继续位居全球首位，累计装机有望超过
瓦，新增分布式光伏装机容量158万千瓦。 2015年，我国多晶硅产量约16.9万吨，同比大幅增长25%，比2013年增长了约一倍。2015年季度产量逐步提高，一季度产量3.7万吨，二季度产量4.1万吨

%。 B 累计装机量最大在政策支持加强、国内市场不断启动的情况下，我国光伏行业逐步走出低谷，2015年加速回暖，光伏新增装机量将达到16.5GW，继续位居全球首位，累计装机有望超过43GW，超越德国成为
装机容量158万千瓦。2015年，我国多晶硅产量约16.9万吨，同比大幅增长25%，比2013年增长了约一倍。2015年季度产量逐步提高，一季度产量3.7万吨，二季度产量4.1万吨，三季度产量4.3万吨，四季度

处于很低水平时，电池的效率才会超过21%。当电池的厚度超过110m时，效率的提升幅度明显降低。2.实验　　2.1、PERC电池的制备工艺流程实验采用标准156mm156mmP型单晶硅片，扩散后方阻均为
样品出现失效问题。图8（a）、图8（b）分别是失效电池样品和正常样品的EL测试图。失效片只有边缘部分可以导通，其原因有待探究，但不是电极反印造成。其他厚度的片子翘曲度不大，所以没有出现失效的情况。可见

总产值超过2000亿元。其中，多晶硅产量约为10.5万吨，同比增长20%；硅片产量约为68亿片，电池片产量约为28GW，同比增长10%以上；组件产量约为31GW，同比增长26.4%。但同时，我国
功能，并有2B和2C的在线交易功能。初期将以辅导性交易为主，即电阳国际自主开发的项目在采购过程中的交易。随着交易及用户的增多，瓦特网将不断提高社会其他机构的自主交易比例，并用5年-10年的时间，实现

美国贝尔实验室成功研制出光电转换效率为6%的单晶硅太阳电池以来，类型丰富的太阳能电池接连问世。按照结晶状态，太阳能电池可分为结晶薄膜式和非结晶薄膜式；按照材料可分为硅薄膜型、多元化合物薄膜型、聚合物多层
在载文数量上随时间呈增长趋势，根据布拉德福定律（B.C.Bradford）的文献分散理论，核心期刊区域与相关期刊区域成等比关系（1∶n∶n2），因此选择百分比N%作为阈值选项较为合理。我们设定显示被引

贝尔实验室成功研制出光电转换效率为6%的单晶硅太阳电池以来，类型丰富的太阳能电池接连问世。按照结晶状态，太阳能电池可分为结晶薄膜式和非结晶薄膜式；按照材料可分为硅薄膜型、多元化合物薄膜型、聚合物多层修饰
增长趋势，根据布拉德福定律（B.C.Bradford）的文献分散理论，核心期刊区域与相关期刊区域成等比关系（1∶n∶n2），因此选择百分比N%作为阈值选项较为合理。我们设定显示被引次数排在前0.5%的

太阳能电池片或组件性能好坏的重要参数，一般来说，光伏组件的转换效率越高，建设项目占地就越小。本用地指标中所说的光伏组件效率是指光伏组件的全面积效率。光伏组件全面积效率=光伏组件功率/光伏组件面积
晶硅光伏组件，光电转换效率在12%~22%之间，高的可达到24%。其他的光伏发电组件如非晶硅、碲化镉等的的光电转换效率目前基本上在20%左右。但是随着科技的发展，新材料的运用，光伏发电材料的光电转化效率提高

道路用地指标附录A 直辖市、省会城市光伏阵列斜面日均辐射量参考值附录B 计算实例附加说明编制单位和主要起草人员名单附件《光伏发电站工程项目用地控制指标》条文说明　　光伏发电站工程项目用地控制指标为落实
用地面积（实际总装机容量/10MW）2.7表2-1～2-12中未列出发电效率和纬度的光伏发电站工程项目，总用地面积可以采用线性插值法进行计算。不同纬度用地面积计算公式为：用地面积=A+（B

在面临海外双反、无锡尚德破产的不利情况下，2014年我国多晶硅产量仍达到13．2万吨，同比增长57％；硅片产量达到38GW，同比增长28％；电池片产量达到33GW，同比增长32％；组件产量达到
35GW，同比增长27．2％。作为全球最大光伏市场，我国光伏产业链逐步从中下游向上游转变，我国光伏产业链各个环节均有企业进入全球前十，如多晶硅4家、硅片8家、电池片5～6家、组件5～6家，并且第一名均为